国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
29 电气工程
31 电子学
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
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现行
译：SJ/T 11845.3-2022 Low-frequency noise parameter-based reliability evaluation method for electronic components Part 3: Diodes. (English translation only)【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2022-10-20 | 实施时间： 2023-01-01收藏 -
现行
译：SJ/T 11767-2020适用范围：适用于二极管1 Hz～300 kHz 频率范围内的噪声参数的测试【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2020-12-09 | 实施时间： 2021-04-01收藏
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废止
译：DB52/T 860-2013 Detailed specification for 5KP series silicon transient voltage suppressor diodes【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管发布单位或类别：(CN-DB52)贵州省地方标准 | 发布时间： 2013-12-06 | 实施时间： 2014-02-01收藏
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废止
译：DB52/T 861-2013 Model 2CB003 Silicon Avalanche Rectifier Diode Detailed Specification【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管发布单位或类别：(CN-DB52)贵州省地方标准 | 发布时间： 2013-12-06 | 实施时间： 2014-02-01收藏
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现行
译：GB/T 21039.1-2007 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 4-1:Microwave diodes and transistors—Microwave field effect transistors—Blank detail specification适用范围：本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一，并应与下列国家标准一起使用。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2007-06-29 | 实施时间： 2007-11-01收藏
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现行
译：GB/T 6589-2002 Semiconductor devices—discrete devices—Part 3-2:Signal (including switching) and regulator diodes—blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes (excluding temperature-compensated precision reference diodes)【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2002-12-04 | 实施时间： 2003-05-01收藏
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现行
译：GB/T 6588-2000 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 3:Signal(including switching) and regulator diodes Section One—Blank detail specification for signal diodes,switching diodes and controlled-avalanche diodes【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2000-10-17 | 实施时间： 2001-10-01收藏
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被代替
译：GB/T 4023-1997 Semiconductor devices—Discrete devices and integrated circuits—Part 2:Rectifier diodes【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1997-10-07 | 实施时间： 1998-09-01收藏
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废止
译：GB/T 15177-1994 Blank detail specification for microwave detectors and mixer diodes【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1994-08-20 | 实施时间： 1995-04-01收藏
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废止
译：GB/T 15178-1994 Blank detail specification for variable capacitance diodes【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1994-08-20 | 实施时间： 1995-04-01收藏
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废止
译：GB/T 15137-1994 Blank detail specification for gunn diodes【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1994-06-25 | 实施时间： 1995-04-01收藏
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被代替
译：GB/T 14863-1993 Standard test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1993-12-30 | 实施时间： 1994-10-01收藏
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废止
译：GB/T 13063-1991 Blank detail specification for current-regulator and current-reference diodes【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1991-07-06 | 实施时间： 1992-03-01收藏
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废止
译：GB/T 13066-1991 Blank detail specification for unijunction transistors【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.20晶体闸流管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1991-07-06 | 实施时间： 1992-03-01收藏
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废止
译：GB/T 12562-1990 Blank detail specification for PIN diodes【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1990-12-06 | 实施时间： 1991-10-01收藏
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废止
译：GB/T 6570-1986 Measuring methods for microwave diodes【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1986-07-22 | 实施时间： 1987-07-01收藏
现行
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被代替
废止
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被代替
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