国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
29 电气工程
31 电子学
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
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现行
译：GB/T 29332-2012 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 9:Insulated-gate bipolar transistors (IGBT)适用范围：本标准给出了绝缘栅双极晶体管（IGBT）的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2012-12-31 | 实施时间： 2013-06-01收藏 -
现行
译：GB/T 6217-1998 Semiconductor devices-Discrete devices Part 7:Bipolar transistors Section One-Blank detail specification for ambient-rated bipolar transistors for low and high frequency amplification【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1998-11-17 | 实施时间： 1999-06-01收藏
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现行
译：GB/T 7576-1998 Semiconductor devices—Discrete devices Part 7:Bipolar transistors Section Four—Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for high-frequency amplification【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1998-11-17 | 实施时间： 1999-06-01收藏
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现行
译：GB/T 6219-1998 Semiconductor devices-Discrete devices Part 8:Field-effect transistors Section One-Blank detail specification for singe-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1998-11-17 | 实施时间： 1999-06-01收藏
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现行
译：GB/T 6218-1996 Blank detail specification for bipolar transistors for switching applications【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1996-07-09 | 实施时间： 1997-01-01收藏
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现行
译：GB/T 7577-1996 Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for low-frequency amplification【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1996-07-09 | 实施时间： 1997-01-01收藏
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现行
译：GB/T 6571-1995 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 3:Signal(including switching)and regulator diodes【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1995-07-24 | 实施时间： 1996-04-01收藏
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被代替
译：GB/T 4587-1994 Semiconductor discrete devices and integrated circuits—Part 7:Bipolar transistors【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1994-12-30 | 实施时间： 1995-08-01收藏
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现行
译：GB/T 4586-1994 Semiconductor devices Discrete devices—Part 8:Field-effect transistors【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1994-12-30 | 实施时间： 1995-08-01收藏
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现行
译：GB/T 7581-1987 Dimensions of outlines for semiconductor discrete devices【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1987-03-21 | 实施时间： 1987-11-01收藏
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现行
译：GB/T 6256-1986 Blank detail specification for industrial heating triodes【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1986-04-14 | 实施时间： 1987-04-01收藏
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被代替
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