GB/T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范
GB/T 6219-1998 Semiconductor devices-Discrete devices Part 8:Field-effect transistors Section One-Blank detail specification for singe-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz
国家标准
中文简体
现行
页数：17页
|
格式：PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
1998-11-17
实施日期
1999-06-01
发布单位/组织
国家质量技术监督局
归口单位
全国半导体器件标准化技术委员会
适用范围
-
发布历史
-
1998年11月
研制信息
- 起草单位：
- 电子工业部标准化研究所
- 起草人：
- 王长福、顾振球、邓康、黄世杰
- 出版信息：
- 页数：17页 | 字数：31 千字 | 开本： 大16开
内容描述
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