19 试验
65 农业
77 冶金
  • YS/T 840-2025 再生硅原料 现行
    译:YS/T 840-2025 regenerative silicone raw material
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2025-04-10 | 实施时间: 2025-11-01
  • YS/T 1061-2024 硅多晶用硅芯 现行
    译:YS/T 1061-2024
    适用范围:本文件适用于通过直拉法(CZ)或区熔法(FZ)拉制的用于硅多晶生产原料的硅芯
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2024-10-24 | 实施时间: 2025-05-01
  • YS/T 1510-2021 高纯锗粉 现行
    译:YS/T 1510-2021 High purity germanium powder
    适用范围:本文件适用于以高纯二氧化锗为原料经氢气还原后,研磨、筛分生产的高纯锗粉。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2021-12-02 | 实施时间: 2022-04-01
  • YS/T 724-2016 多晶硅用硅粉 现行
    译:YS/T 724-2016 Silicon power for polycrystalline
    适用范围:本标准规定了多晶硅生产用硅粉的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)内容等。 本标准适用于多晶硅生产用硅粉。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2016-07-11 | 实施时间: 2017-01-01
  • YS/T 1167-2016 硅单晶腐蚀片 现行
    译:YS/T 1167-2016 Monocrystalline silicon etched wafers
    适用范围:本标准规定了硅单晶腐蚀片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括区熔中子嬗变和气相掺杂)制备的硅单晶研磨片经化学腐蚀液去除表面损伤层后制备的酸腐蚀片和碱腐蚀片(以下简称腐蚀片)。产品主要用于制作晶体管、整流管、特大功率晶闸管、光电器件等半导体元器件或进一步加工成硅抛光片。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2016-07-11 | 实施时间: 2017-01-01
  • SJ/T 11552-2015 以布鲁斯特角入设P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量 现行
    译:SJ/T 11552-2015 Using Brewster angle to measure the content of silicon interstitial oxygen using P-polarized radiation and infrared absorption spectroscopy
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01
  • SJ/T 11495-2015 硅中间隙氧的转换因子指南 现行
    译:SJ/T 11495-2015 Silicon interstitial oxygen conversion factor guideline
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11493-2015 硅衬底中氮浓度的二次离子质谱测量方法 废止
    译:SJ/T 11493-2015 The method of secondary ion mass spectrometry for measuring the nitrogen concentration in a silicon substrate
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • YS/T 1061-2015 改良西门子法多晶硅用硅芯 废止
    译:YS/T 1061-2015 Silicon core for polysilicon by improved siemens method
    适用范围:本标准规定了改良西门子法生产多晶硅用硅芯的要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)内容等。 本标准适用于以多晶硅为原料,通过直拉法(CZ)生产硅棒再经过线切割加工或采用基座法拉制的硅芯。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11498-2015 重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法 现行
    译:SJ/T 11498-2015 The secondary ion mass spectrometry measurement method for oxygen concentration in heavily doped silicon substrate
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11491-2015 短基线红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量 现行
    译:SJ/T 11491-2015 Short-baseline infrared absorption spectroscopy method for measuring silicon interstitial oxygen content
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11494-2015 硅单晶中III-V族杂质的光致发光测试方法 现行
    译:SJ/T 11494-2015 The method for testing the photoluminescence of impurities in silicon single crystal belonging to the III-V group
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • YS/T 989-2014 锗粒 现行
    译:YS/T 989-2014 Germanium grain
    适用范围:本标准规定了锗粒的要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于以锗单晶或区熔锗锭为原料,经机械加工而制得的锗粒,主要为工艺品和健身护品提供镶件。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2014-10-14 | 实施时间: 2015-04-01