适用范围：范围:本文件规定了N型TOPCon单晶硅光伏组件的分类和型号、材料、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于N型TOPCon单晶硅光伏组件; 主要技术内容:本文件规定了N型TOPCon单晶硅光伏组件的分类和型号、材料、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于N型TOPCon单晶硅光伏组件

适用范围：主要技术内容:本文件规定了高压MOSFET用200 mm硅外延片（以下简称硅外延片）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、 质量证明书、 运输和贮存及质量承诺。本文件适用于直径为200 mm、外延层厚度为40 μm～80 μm、在n型重掺砷硅抛光片上生长n型掺磷外延层、晶向的硅外延片。产品主要用于制作高压金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET） 器件（简称高压MOSFET） 

适用范围：主要技术内容:本文件规定了瞬态电压抑制二极管（TVS）用硅单晶研磨片（以下简称硅片）的术语和定义、产品分类、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存、订货单（或合同）内容和质量承诺。本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为100 mm、 125 mm、 150 mm的硅单晶研磨片

适用范围：范围:本文件规定了单晶硅太阳能电池片（以下简称电池片）等级划分、类别及型号命名、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于以单晶硅片为主要原材料的地面用单晶硅太阳能电池片; 主要技术内容:7  要求7.1  电池片尺寸电池片的尺寸要求见表2。7.2  外观7.2.1  电池片正面外观应栅线图形完整、清晰，不允许有明显偏移、缺损。不应有氧化变色现象，保证具有良好的可焊性。其他要求见表3。7.2.2  电池片背面外观应电极图形应完整、电极附着强度满足设计要求，电极应无虚印，无铝珠，无铝刺，无脱落，浆料不能接触到电池片边缘。具体要求见表3。7.3  机械性能7.3.1  翘曲度一般情况下，电池的弯曲变形用电池的翘曲度来衡量，见表4。7.3.2  电极与焊点拉力强度电极附着应牢固，焊接后，电极与焊点应结合牢固，检测方法应符合GB/T 29195规定，测试到的拉力最小值为2.00 N/mm[除虚焊,过焊外, 180°测试稳定值的平均值]。7.3.3  电池片不应存在裂纹、隐裂、穿孔及V型缺口。大小角及崩边等缺陷规定见表4。7.4  电性能7.4.1  电性能参数电池电性能参数包括但不仅限于开路电压、短路电流、 填充因子、 最大功率、 转换效率、 低辐照度性能。电性能参数应符合相关产品详细规范的规定。7.4.2  双面电池片双面率多栅线双面电池其双面率应符合表5规定。7.4.3  电池片单片功率、平均值、逆电流、并联电阻、电池效率、光衰减规定应符合表5规定。7.5  电池片EL特性7.5.1  电池片EL特性测试，其中A级及透明组件图谱中不应出现黑芯、裂片。7.5.2  电池片EL特性测试，晶界痕、麻点、平行或垂直于主栅的黑线等不应超过封样。7.5.3  电池片EL特性测试，其他缺陷要求见表6。7.6  可靠性7.6.1  耐候可靠性按照IEC 61215-2，156.75 mm×156.75 mm型、166 mm×166 mm型、167.3 mm×167.3 mm型电池片做成组件后经过热循环，湿热循环，湿冻循环后无因电池片引起的不良，电性能衰减≤2%；210 mm×210 mm型电池片做成组件后经过热循环，湿热循环，热斑反向测试，动载及静载测试后无因电池片引起的不良，电性能衰减≤2%，扩展到TC400，DH2000h，衰减≤3%。7.6.2  抗 PI

适用范围：主要技术内容:本标准规定了单晶硅光伏电池（以下简称电池）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标识、储存和运输、质量承诺。本标准适用于以P型为衬底材料的地面用单面发射极和背面钝化（ Passivated Emitterand Rear Cell，简称PERC） 单晶硅光伏电池

适用范围：主要技术内容:本标准规定了晶体硅光伏组件中电池缺陷的检测，包含术语与定义、样品准备、测试设备、安全准则、环境要求、仪器校准、测试流程、缺陷分类和报告等。本标准适用于室内晶体硅光伏组件中电池缺陷的测试，室外测试可参考使用

适用范围：范围:本标准规定了4H-N型重掺杂碳化硅衬底（N型掺杂浓度>5×1018 cm-3）上同质外延层（掺 杂浓度5×1014cm-3-5×1016 cm-3）厚度的红外反射测量方法。 本标准适用于2-100微米的碳化硅外延层; 主要技术内容:本标准规定了4H-N型重掺杂碳化硅衬底（N型掺杂浓度>5×1018 cm-3）上同质外延层（掺杂浓度5×1014cm-3-5×1016 cm-3）厚度的红外反射测量方法。本标准适用于2-100微米的碳化硅外延层。本标准规定的方法是 4H 碳化硅衬底与外延层因掺杂浓度的不同导致两者具有不同的折射率，因此试样的反射光谱会出现反映外延层厚度信息的连续干涉条纹。当外延层表面反射的光束和衬底界面反射的光束的光程差是半波长的整数倍时，反射光谱中可以观察到极大极小值。根据反射谱中干涉条纹的极值峰位，试样的光学常数以及入射角可以计算出相应的外延层厚度。4H 碳化硅外延层的厚度检测原理如图2：入射光由A 处入射，经由外延表面AC 反射，同时经过折射在衬底和外延界面B 处反射，由C 处射出，和D 处的反射光之间的相位差δ即可求得

适用范围：主要技术内容:本标准规定了200 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片的术语和定义、产品分类、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输和贮存、订货单（或合同）内容和质量承诺。本标准适用于以电子级多晶硅为主要原材料，采用直拉法制备的直径为200 mm的硅单晶抛光片。产品主要用于集成电路、分立器件用外延片的衬底