适用范围：范围:本文件适用于石墨烯产品的绿色低碳评价，为石墨烯产品的生产、销售和使用提供指导; 主要技术内容:本文件规定了绿色低碳产品评价中石墨烯的评价原则、评价要求、评价方法、评价步骤和报告

适用范围：范围:本文件适用于石墨烯制造行业生产工厂满足绿色工厂评价的基本要求，对于工厂生产相关产品评价的技术要求以石墨烯行业相关规定为准，可用于企业自我评价，第二方（相关方）或第三方组织评价; 主要技术内容:本文件规定了石墨烯制造行业绿色工厂评价的评价原则、评价要求、评价方法和评价程序、评价报告和评价结果应用等

适用范围：本文件界定了半导体单晶硅生长用石英坩埚的术语和定义，规定了规格尺寸、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存。 本文件适用于以高纯石英砂(成分：二氧化硅)为原料，采用电弧熔融法生产，用于半导体单晶硅生长的石英坩埚。

适用范围：本文件确立了半导体单晶硅生长用石英坩埚从业人员、生产设备、主要原辅材料、生产工艺、作业环境及产品质量管控的程序和总体原则。 本文件适用于半导体单晶硅生长用石英坩埚的生产过程。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了集成电路用硝酸的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存。本文件适用于集成电路制造过程中使用的硝酸。分子式：HNO3相对分子质量：63.01（按 2014 年国际相对原子质量）

适用范围：主要技术内容:本文件规定了集成电路用氢氟酸的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存。本文件适用于集成电路制造过程中使用的氢氟酸。分子式：HF相对分子质量：20.01（按 2014 年国际相对原子质量）

适用范围：范围:本标准给出了非气密封装的功率半导体器件，包含但不限于绝缘栅双极晶体管、场效应晶体管、二极管的稳态湿热高压偏置试验方法，用以评价器件在高温高湿环境下耐受高电压的可靠性。 本标准适用于硅半导体器件以及宽禁带半导体器件; 主要技术内容:高温高湿反偏测试是考核器件在高温高湿偏压条件下的耐久性的一项可靠性试验，其主要的失效机理为与湿度相关的腐蚀、电化学效应引起的阻断能力下降、漏电升高。通常情况下，该项测试采用的阻断电压较低，如 AEC-Q101中规定偏置电压不超过100V。采用较低偏置电压的原因在于行业内普遍认为，阻断电压过高引起的较大的漏电流会导致器件的自加热，影响湿气进入封装内部。然而，近几年的研究成果及在实际使用过程中发现，功率器件在高温高湿环境下承受高偏压时失效率明显要更高，现有测试方法已不再满足器件高温高湿耐久性的验证需求。同时，高温高湿反偏测试涉及到温度、湿度、偏压三种应力，而这三种应力的施加方式在AEC-Q101中并未进行详细规定。本项目通过深入研究高温高湿反偏测试中，不同封装器件抵御湿气进入的能力，以及施加高电压对于测试方法的影响，对检测方法和要求进行更具针对性和更为详尽的规定和说明，从而建立一套更为严谨的用以评价非气密封装的功率半导体器件在高温高湿环境下耐受高电压的可靠性的检测标准

适用范围：主要技术内容:目    次前    言I1   范围12   规范性引用文件13   术语和定义24   评价方法35   评价要求36   产品生命周期评价报告编制方法6前    言本标准按照GB/T 2004.1-2016《团体标准化 第1部分：良好行为指南》制定。本标准按照GB/T 1.1-2009《标准化工作导则 第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。本标准由清华大学深圳研究生院提出。本标准由广东省光电技术协会归口。本标准主要起草单位：清华大学深圳研究生院、惠州市聚飞光电有限公司、厦门乾照光电股份有限公司、深圳市启悦光电有限公司、华南师范大学、中山市木林森电子有限公司、深圳市晶锐光电有限公司、深圳市同一方光电技术有限公司、广东海洋大学、郑州唯独电子科技有限公司、广东农工商职业技术学院、广东光阳电器有限公司、西安理工大学本标准主要起草人：钱可元、邢美正、魏冬寒、汪洋、单其林、康丽娟、杨冲、李立勉、杨帆、熊正烨、 刘玉怀、官金兰、马国书、柯熙政本文件为首次发布。绿色设计产品评价技术规范 发光二极管封装产品1   范围本标准规定了发光二极管封装产品及其绿色设计的评价要求和评价方法，以及产品生命周期评价报告的编制要求。本标准适用于采用半导体LED芯片封装的发光二极管封装产品，包括但不限于白光发光二极管封装产品、单色光（蓝色、绿色、黄色、橙色、红色等）发光二极管封装产品、彩色光发光二极管封装产品（由红色、绿色、蓝色中两种或三种LED芯片组成）、紫外光发光二极管封装产品、红外光发光二极管封装产品、COB封装产品等。2   规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GJB 33A-1997 半导体分立器件总规范SJ/T 11364 电子电气产品有害物质限制使用标识要求GB/T 16716.1 包装与包装废弃物 第1部分：处理和利用通则GB/T 18455 包装回收标志GB/T 19001 质量管理体系 要求GB/T 20861 废弃产品回收利用术语GB/T 23384 产品及零部件可回收利用标识GB/T 2423.28 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验T：锡焊GB/T 24001 环境管理体系 规范及使用指南G

适用范围：主要技术内容:本标准适用于晶体硅太阳能电池组件用聚合物背板（以下简称“背板”），不包括玻璃背板和其他导电功能的背板材料。本标准规定了光伏组件用背板的分类、性能要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输和贮存

适用范围：主要技术内容:本标准规定了基于半导体制冷技术的冷凝除湿装置（以下简称装置）的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存等。本标准适用于安装在开关柜、汇控柜、机构箱、端子箱、环网柜等电力箱柜内的除湿装置，其它除湿装置也可参照使用

适用范围：范围:本标准规定了由硅基绝缘栅双极晶体管（IGBT）以及碳化硅肖特基二极管构成的混合功率半导体模块的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特性要求; 主要技术内容:本标准规定了由硅基绝缘栅双极晶体管（IGBT）以及碳化硅肖特基二极管构成的混合功率半导体模块的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特性要求。本标准规定了极限值试验，特性参数测试、耐久性测试，根据特性参数确认模块特性，由此判断是否通过极限值试验。参数包括（集电极-发射极电压VCES, 二极管反向电压VR、集电极-发射极短路时的栅极-发射极电压±VGES、最大集电极电流IC、二极管正向（直流）电流IF、集电极峰值电流ICM、二极管正向峰值电流IFM、反偏安全工作区RBSOA、短路安全工作区1 SCSOA1、二极管正向（不重复）浪涌电流IFSM、端子和底板之间的绝缘电压Visol等）。本标准还规定了检测报告中应给出的信息

适用范围：范围:本标准规定了磁控溅射硅靶材的分类及牌号、原料、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、供货状态及订货单（或合同）内容。 本标准适用于半导体等电子器件用的各种磁控溅射硅靶材; 主要技术内容:本标准规定了磁控溅射硅靶材的分类及牌号、原料、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、供货状态及订货单（或合同）内容。本标准适用于半导体等电子器件用的各种磁控溅射硅靶材

适用范围：主要技术内容:本标准规定了光伏组件封装用乙烯-醋酸乙烯酯共聚物（EVA）胶膜（以下简称EVA胶膜）的术语和定义、要求、试验方法、检测规则、包装、标志、运输和贮存。本标准适用于地面晶体硅光伏组件封装用EVA胶膜，薄膜组件可参照使用