国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
31 电子学
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
-
现行
译：SJ/T 11552-2015 Using Brewster angle to measure the content of silicon interstitial oxygen using P-polarized radiation and infrared absorption spectroscopy【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-10-10 | 实施时间： 2016-04-01收藏 -
现行
译：SJ/T 11495-2015 Silicon interstitial oxygen conversion factor guideline【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
-
现行
译：SJ/T 11493-2015 The method of secondary ion mass spectrometry for measuring the nitrogen concentration in a silicon substrate【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
-
现行
译：SJ/T 11498-2015 The secondary ion mass spectrometry measurement method for oxygen concentration in heavily doped silicon substrate【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
-
现行
译：SJ/T 11491-2015 Short-baseline infrared absorption spectroscopy method for measuring silicon interstitial oxygen content【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
-
现行
译：SJ/T 11494-2015 The method for testing the photoluminescence of impurities in silicon single crystal belonging to the III-V group【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
现行
现行
现行
现行
现行
现行