19 试验
65 农业
77 冶金
  • YS/T 1655-2023 化学气相沉积硫化锌晶体 现行
    译:YS/T 1655-2023 Chemical vapor deposition of zinc sulfide crystal
    适用范围:本文件适用于化学气相沉积法(CVD)制备的硫化锌晶体(包括标准硫化锌和多光谱硫化锌),透过波长范围为1μm~14μm。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2023-12-20 | 实施时间: 2024-07-01
  • YS/T 1653-2023 氮化镓衬底片 现行
    译:YS/T 1653-2023
    适用范围:本文件适用于半导体光电器件与电子器件用氮化镓衬底片的研发生产、测试检验等相关领域。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2023-12-20 | 实施时间: 2024-07-01
  • SJ/T 11864-2022 半绝缘型碳化硅单晶衬底 现行
    译:SJ/T 11864-2022 Monocrystalline Silicon Carbide Narrow Bandgap Semiconductor Substrate (Half-Insulator)
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • SJ/T 11865-2022 功率器件用φ150mm n型碳化硅衬底 现行
    译:SJ/T 11865-2022 φ150mm n-type silicon carbide substrate for power devices
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • SJ/T 11497-2015 砷化镓晶片热稳定性的试验方法 现行
    译:SJ/T 11497-2015 The test method for thermal stability of gallium arsenide wafers
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11500-2015 碳化硅单晶晶向的测试方法 现行
    译:SJ/T 11500-2015
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11502-2015 碳化硅单晶抛光片规范 现行
    译:SJ/T 11502-2015
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11505-2015 蓝宝石单晶抛光片规范 现行
    译:SJ/T 11505-2015 Ruby monocrystal polishing specification
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11496-2015 红外吸收法测量砷化镓中硼含量 现行
    译:SJ/T 11496-2015
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11503-2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法 现行
    译:SJ/T 11503-2015 The method for testing the surface roughness of a single-crystal silicon carbide polishing slice
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11492-2015 光致发光法测定磷镓砷晶片的组分 现行
    译:SJ/T 11492-2015 The determination of composition of phosphorus-gallium-arsenic wafers using photoluminescence method
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11487-2015 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法 现行
    译:SJ/T 11487-2015 Non-contact method for measuring the resistivity of semi-insulating semiconductor wafers
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11489-2015 低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法 现行
    译:SJ/T 11489-2015 The measurement method for the low-dislocation density indium phosphide polished surface pit density
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11504-2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法 现行
    译:SJ/T 11504-2015 The testing method for surface quality of silicon carbide single crystal polishing wafers
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11501-2015 碳化硅单晶晶型的测试方法 现行
    译:SJ/T 11501-2015
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • YS/T 13-2015 高纯四氯化锗 现行
    译:YS/T 13-2015 High pure germanium tetrachloride
    适用范围:本标准规定了高纯四氯化锗的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容等。 本标准适用于以粗四氯化锗为原料经提纯工艺制备的高纯四氯化锗。产品主要用作石英光导纤维的掺杂剂及高纯二氧化锗的制备。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11490-2015 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法 现行
    译:SJ/T 11490-2015 The measurement method for the pit density of polished gallium arsenide wafers with low dislocation density
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11488-2015 半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法 现行
    译:SJ/T 11488-2015 Resistivity, Hall coefficient, and mobility testing methods for semi-insulating gallium arsenide
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法 现行
    译:SJ/T 11499-2015 The testing methods for the electrical properties of silicon carbide single crystal
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • YS/T 982-2014 氢化炉碳/碳复合材料U形发热体 废止
    译:YS/T 982-2014 Carbon/carbon U shape heating element of hydrogenation furnace
    适用范围:本标准规定了氢化炉用碳/碳复合材料U形发热体的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于多晶硅生产领域氢化炉用碳/碳复合材料U形发热体。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2014-10-14 | 实施时间: 2015-04-01