国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
31 电子学
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
-
现行
译:YS/T 1655-2023 Chemical vapor deposition of zinc sulfide crystal适用范围:本文件适用于化学气相沉积法(CVD)制备的硫化锌晶体(包括标准硫化锌和多光谱硫化锌),透过波长范围为1μm~14μm。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2023-12-20 | 实施时间: 2024-07-01收藏 -
现行
译:YS/T 1653-2023适用范围:本文件适用于半导体光电器件与电子器件用氮化镓衬底片的研发生产、测试检验等相关领域。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2023-12-20 | 实施时间: 2024-07-01收藏 -
现行
译:SJ/T 11864-2022 Monocrystalline Silicon Carbide Narrow Bandgap Semiconductor Substrate (Half-Insulator)【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01收藏 -
现行
译:SJ/T 11865-2022 φ150mm n-type silicon carbide substrate for power devices【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01收藏 -
现行
译:SJ/T 11497-2015 The test method for thermal stability of gallium arsenide wafers【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01收藏 -
现行
译:SJ/T 11500-2015【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01收藏 -
现行
译:SJ/T 11502-2015【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01收藏 -
现行
译:SJ/T 11505-2015 Ruby monocrystal polishing specification【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01收藏 -
现行
译:SJ/T 11496-2015【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01收藏 -
现行
译:SJ/T 11503-2015 The method for testing the surface roughness of a single-crystal silicon carbide polishing slice【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01收藏 -
现行
译:SJ/T 11492-2015 The determination of composition of phosphorus-gallium-arsenic wafers using photoluminescence method【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01收藏 -
现行
译:SJ/T 11487-2015 Non-contact method for measuring the resistivity of semi-insulating semiconductor wafers【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01收藏 -
现行
译:SJ/T 11489-2015 The measurement method for the low-dislocation density indium phosphide polished surface pit density【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01收藏 -
现行
译:SJ/T 11504-2015 The testing method for surface quality of silicon carbide single crystal polishing wafers【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01收藏 -
现行
译:SJ/T 11501-2015【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01收藏 -
现行
译:YS/T 13-2015 High pure germanium tetrachloride适用范围:本标准规定了高纯四氯化锗的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容等。 本标准适用于以粗四氯化锗为原料经提纯工艺制备的高纯四氯化锗。产品主要用作石英光导纤维的掺杂剂及高纯二氧化锗的制备。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01收藏 -
现行
译:SJ/T 11490-2015 The measurement method for the pit density of polished gallium arsenide wafers with low dislocation density【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01收藏 -
现行
译:SJ/T 11488-2015 Resistivity, Hall coefficient, and mobility testing methods for semi-insulating gallium arsenide【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01收藏 -
现行
译:SJ/T 11499-2015 The testing methods for the electrical properties of silicon carbide single crystal【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01收藏 -
废止
译:YS/T 982-2014 Carbon/carbon U shape heating element of hydrogenation furnace适用范围:本标准规定了氢化炉用碳/碳复合材料U形发热体的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于多晶硅生产领域氢化炉用碳/碳复合材料U形发热体。【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2014-10-14 | 实施时间: 2015-04-01收藏