国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
29 电气工程
31 电子学
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
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现行
译：DB13/T 5118-2019 4H-SiC N-type homogeneous epitaxial wafer general technical requirements【国际标准分类号(ICS)】 ：暂无 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-DB13)河北省地方标准 | 发布时间： 2019-11-28 | 实施时间： 2019-12-28收藏 -
现行
译：DB34/T 3254-2018 Gold and silver content determination of bismuth oxide chlorite by means of recovery and analysis of smelting residue of precious metals using fire gold method适用范围：本标准规定了贵金属熔炼渣回收氯氧化铋中金、银含量的测定方法。 本标准适用于贵金属熔炼渣回收氯氧化铋中金、银含量的测定。 测定范围：金：1.00 g/t～100.00 g/t；银：50.0 g/t～3000.0 g/t。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.150有色金属产品 【中国标准分类号(CCS)】 ：H81半金属发布单位或类别：(CN-DB34)安徽省地方标准 | 发布时间： 2018-12-29 | 实施时间： 2019-01-29收藏
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现行
译：DB65/T 3486-2013 The infrared inspection method for solar grade multi-crystalline silicon blocks【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别：(CN-DB65)新疆维吾尔自治区地方标准 | 发布时间： 2013-10-20 | 实施时间： 2013-12-01收藏
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现行
译：DB65/T 3485-2013 Solar-grade multicrystalline silicon block minority carrier lifetime measurement method【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别：(CN-DB65)新疆维吾尔自治区地方标准 | 发布时间： 2013-09-20 | 实施时间： 2013-12-01收藏
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废止
译：DB36/ 652-2012 The energy consumption limit per unit of solar-grade multicrystalline silicon【国际标准分类号(ICS)】 ：27.010能源和热传导工程综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-DB36)江西省地方标准 | 发布时间： 2012-02-10 | 实施时间： 2012-05-01收藏
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现行
译：DB35/T 1146-2011 Determination of impurity element content in silicon materials using glow discharge mass spectrometry适用范围：本标准规定了测定硅材料中杂质元素含量的辉光放电质谱法（G D M S )所涉及的术语和定义、原理、试剂与材料、仪器设备、样品要求、样品要求、分析步骤、结果计算、允许偏差。 本标准适用于纯度不高于99.99999%的硅材料中的杂质元素L i、Be、B、N a、M g、A 1、P、K、T h、U等元素的测定【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别：(CN-DB35)福建省地方标准 | 发布时间： 2011-04-10 | 实施时间： 2011-07-10收藏
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