• GB/T 35305-2017 太阳能电池用砷化镓单晶抛光片 现行
    译:GB/T 35305-2017 Monocrystalline gallium arsenide polished wafers for solar cell
    适用范围:本标准规定了太阳能电池用砷化镓单晶抛光片的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书。本标准适用于太阳能电池用砷化镓单晶抛光片(以下简称砷化镓抛光片)。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2017-12-29 | 实施时间: 2018-07-01
  • GB/T 35308-2017 太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片 现行
    译:GB/T 35308-2017 Epitaxial wafers of germanium based Ⅲ-Ⅴcompounds for solar cell
    适用范围:本标准规定了太阳能电池用锗基ⅢⅤ族化合物外延片(以下简称“外延片”)的术语和定义、分类及牌号、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书。本标准适用于太阳能电池用锗基ⅢⅤ族化合物外延片。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2017-12-29 | 实施时间: 2018-07-01
  • GB/T 35307-2017 流化床法颗粒硅 被代替
    译:GB/T 35307-2017 Granular polysilicon produced by fluidized bed method
    适用范围:本标准规定了流化床法生产的颗粒硅的术语和定义、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于以硅烷气为原料,采用流化床法生产的颗粒状多晶硅产品。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2017-12-29 | 实施时间: 2018-07-01
  • GB/T 35310-2017 200 mm硅外延片 现行
    译:GB/T 35310-2017 200 mm silicon epitaxial wafer
    适用范围:本标准规定了直径200 mm硅外延片的术语和定义、产品分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书。本标准适用于在N型和P型硅抛光衬底片上外延生长的硅外延片。产品主要用于制作集成电路或半导体器件。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2017-12-29 | 实施时间: 2018-07-01
  • GB/T 35316-2017 蓝宝石晶体缺陷图谱 现行
    译:GB/T 35316-2017 Collection of metallographs on defects of sapphire crystal
    适用范围:本标准规定了蓝宝石晶体缺陷的术语和定义、形貌特征及产生原因。 本标准适用于蓝宝石单晶材料制备中各种缺陷的检验和分析。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2017-12-29 | 实施时间: 2018-07-01
  • GB/T 25074-2017 太阳能级多晶硅 现行
    译:GB/T 25074-2017 Solar-grade polycrystalline silicon
    适用范围:本标准规定了太阳能级多晶硅的术语和定义、牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书。本标准适用于以氯硅烷、硅烷为原料生长的棒状多晶硅或经破碎形成的块状多晶硅。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2017-11-01 | 实施时间: 2018-05-01
  • GB/T 34479-2017 硅片字母数字标志规范 现行
    译:GB/T 34479-2017 Specification for alphanumeric marking of silicon wafers
    适用范围:本标准规定了硅片或其他半导体晶片上字母数字标志的编码规范,包括标志的形状和尺寸、字母数字代码的定义、要求和字母数字错码检验方法等。本标准适用于在硅片及其他晶片正面或背面的编码标志。注: 字母数字标志及关联信息存入数据库,可被简单的自动光学字符读数(OCR)仪或人工进行独立、快速识别,确保晶片制造商对晶片标记的一致性。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2017-10-14 | 实施时间: 2018-07-01
  • GB/T 32651-2016 采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法 现行
    译:GB/T 32651-2016 Test method for measuring trace elements in photovoltaic-grade silicon by high-mass resolution glow discharge mass spectrometry
    适用范围:本标准规定了采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的方法。本标准适用于太阳能级硅材料中痕量元素的测定,其中铁(Fe)、铬(Cr)、镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、硼(B)、磷(P)、钙(Ca)、钠(Na)、镁(Mg)、铝(Al)、砷(As)、钪(Sc)、钛(Ti)、钒(V)、锰(Mn)、钴(Co)、镓(Ga)等元素的测定范围为5 μg/kg~50 mg/kg。本方法适用于分析多种物理形态的以及添加任何种类和浓度掺杂剂的硅材料,例如多晶硅粉末、颗粒、块、锭、片和单晶硅棒、块、片等。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2016-04-25 | 实施时间: 2016-11-01
  • GB/T 32573-2016 硅粉 总碳含量的测定 感应炉内燃烧后红外吸收法 现行
    译:GB/T 32573-2016 Silicon powder—Determination of total carbon content—Infrared absorption method after combustion in an induction furnace
    适用范围:本标准规定了利用感应炉燃烧后红外吸收法测定硅粉中总碳含量的方法。 本标准适用于生产多晶硅的原料硅粉中总碳含量的测定。测定范围为0.001%~1.0%(质量分数)。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2016-02-24 | 实施时间: 2016-11-01
  • GB/T 12962-2015 硅单晶 现行
    译:GB/T 12962-2015 Monocrystalline silicon
    适用范围:本标准规定了硅单晶的牌号及分类、要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容等。本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括中子嬗变掺杂和气相掺杂)制备的直径不大于200 mm的硅单晶。产品主要用于制作半导体元器件。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2015-12-10 | 实施时间: 2017-01-01
  • GB/T 32279-2015 硅片订货单格式输入规范 现行
    译:GB/T 32279-2015 Specification for order entry format of silicon wafers
    适用范围:本标准规定了硅片订货单的格式要求和使用。本标准适用于硅单晶研磨片、硅单晶抛光片、硅单晶外延片、太阳能电池用硅单晶切割片、太阳能电池用多晶硅片的订货单格式,其他半导体材料的订货单可参照本标准执行。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2015-12-10 | 实施时间: 2017-01-01
  • GB/T 31854-2015 光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法 现行
    译:GB/T 31854-2015 Test method for measuring metallic impurities content in silicon materials used for photovoltaic applications by inductively coupled plasma mass spectrometry
    适用范围:本标准规定了利用电感耦合等离子体质谱仪(ICP—MS)测定光伏电池用硅材料中痕量体金属杂质含量的方法。 本标准适用于光伏电池用硅材料中痕量体金属杂质铁、铬、镍、铜、锌含量的测定。各元素的测量范围见表1。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2015-07-03 | 实施时间: 2016-03-01
  • GB/T 12963-2014 电子级多晶硅 被代替
    译:GB/T 12963-2014 Electronic-grade polycrystalline silicon
    适用范围:本标准规定了多晶硅的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于以氯硅烷、硅烷制得的多晶硅。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-12-31 | 实施时间: 2015-09-01
  • GB/T 30652-2014 硅外延用三氯氢硅 被代替
    译:GB/T 30652-2014 Trichlorosilane for silicon epitaxial
    适用范围:本标准规定了硅外延用三氯氢硅(SiHCl3)的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书以及订货单 (或合同)内容。 本标准适用于以粗三氯氢硅为原料经过提纯而制得的硅外延用三氯氢硅(以下简称产品)。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-12-31 | 实施时间: 2015-09-01
  • GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程 现行
    译:GB/T 13389-2014 Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped,phosphorus-doped,and arsenic-doped silicon
    适用范围:本标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度之间的换算关系,该换算关系也适用于掺锑硅单晶,还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-12-31 | 实施时间: 2015-09-01
  • GB/T 30656-2014 碳化硅单晶抛光片 被代替
    译:GB/T 30656-2014 Polished monocrystalline silicon carbide wafers
    适用范围:本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书及订货单(或合同)内容。 本标准适用于4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。产品主要用于制作半导体照明及电力电子器件的外延衬底。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-12-31 | 实施时间: 2015-09-01
  • GB/T 31092-2014 蓝宝石单晶晶锭 被代替
    译:GB/T 31092-2014 Monocrystalline sapphire ingot
    适用范围:本标准规定了蓝宝石单晶晶锭的要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存和质量证明书、订货单(或合同)内容。 本标准适用于蓝宝石单晶晶锭,产品可用于制造氮化镓外延薄膜及其他用途的蓝宝石单晶衬底材料(以下简称晶锭)。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-12-22 | 实施时间: 2015-09-01
  • GB/T 2881-2014 工业硅 被代替
    译:GB/T 2881-2014 Silicon metal
    适用范围:本标准规定了工业硅的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和订货单(或合同)的内容。 本标准适用于矿热炉内炭质还原剂与硅石熔炼所生产的工业硅,主要用于配制合金、制取多晶硅和生产有机硅等。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H81半金属
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-12-05 | 实施时间: 2015-08-01
  • GB/T 30861-2014 太阳能电池用锗衬底片 现行
    译:GB/T 30861-2014 Germanium substrate for solar cell
    适用范围:本标准规定了太阳能电池用锗衬底片的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。 本标准适用于垂直梯度凝固法(VGF)和直拉法(CZ)制备的太阳能电池用锗衬底片(以下简称锗衬底片)。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-07-24 | 实施时间: 2015-04-01
  • GB/T 30858-2014 蓝宝石单晶衬底抛光片 现行
    译:GB/T 30858-2014 Polished mono-crystalline sapphire substrate product
    适用范围:本标准规定了蓝宝石单晶衬底抛光片的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。 本标准适用于单面抛光蓝宝石衬底片(以下简称蓝宝石衬底片)。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-07-24 | 实施时间: 2015-04-01