适用范围：本文件描述了配备电子能量损失谱仪(简称“能损谱仪”,EELS)的透射电子显微镜(TEM)或扫描透射电子显微镜(STEM)中电子能量损失谱(简称“能损谱”)能量分辨率的测定程序。 本文件适用于内置型和后置型的EELS,包括采用并行检测系统和串行检测系统的谱仪。

适用范围：本文件提供了对电子探针显微分析仪（EPMA）进行常规诊断和实施质量保证程序的指南。仪器操作者定期使用该程序，确认仪器状态正常，或进行故障排查。它涵盖了所需参考物质的特性以及独立检测和全面评估EPMA系统主要组件性能所需的分析程序。 本文件所述分析程序旨在验证仪器对未知样品进行探索性分析、痕量分析和非常规工作（例如峰干扰）的能力，有别于仅用于衍射晶体位置和测试条件检验等单元素快速诊断程序。 本文件适用于电子探针和其他波谱仪（WDS）系统，该系统通过WDS检测到的特征 X 射线谱线进行波长和强度分析实现元素识别和定量分析。本文件不适用于能谱仪（EDS）进行的元素分析。

适用范围：本文件规定了用透射电子显微镜/扫描透射电子显微镜(TEM/STEM)测定集成电路芯片中功能薄膜层厚度的方法。本文件适用于测定几个纳米以上厚度的集成电路芯片中功能薄膜层。

适用范围：本文件描述了用透射电子显微术测定线状晶体表观生长方向的方法。 本文件适用于通过各种方法制备的所有种类的线状晶体材料，也适用于测定在钢、合金和其他材料中析出的类似于棒状或多边形第二相颗粒的一个轴的方向。受透射电子显微镜（TEM)的加速电压和样品自身等条件的制约，本文件适用于直径（或厚度或宽度)为几十纳米到一百纳米左右的晶体材料。本文件不适用于测定折叠、扭曲、旋转状态的线状晶体。 注： 在本文件中，线状晶体、带状晶体、针状第二相颗粒等均属于广义上的线状晶体。

适用范围：本文件规定了用层状材料截面像所记录的两种不同材料之间平均界面位置的测定方法。本文件适用于透射电子显微镜（TEM）或扫描透射电子显微镜（STEM）所记录的层状材料截面像和X射线能谱仪（EDS）或者电子能量损失谱仪（EELS）所记录的截面元素面分布图。也适用于由数码相机、电脑存储器和成像板图像传感器所采集的数字像以及胶片记录的模拟像经扫描仪转换的数字像。本文件不适用于测定多层模拟法（MSS）获得的界面位置。

适用范围：本标准规定了纳米材料暴露引起生物体代谢组变化的核磁共振检测方法。 本标准适用于纳米材料的生物效应评价。