19 试验
65 农业
77 冶金
  • T/ZSA 231-2024 氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 现行
    译:T/ZSA 231-2024 The testing method for half-width of X-ray double-crystal swing curve of gallium oxide monocrystalline wafers
    适用范围:范围:本文件描述了利用双晶X射线衍射仪测试氧化镓单晶片摇摆曲线及其半高宽的方法。 本文件适用于熔体法、液相法及气相法生长的β相氧化镓单晶片,对前述单晶片进行化学或机械抛光后的样品同样适用于此方法; 主要技术内容:本文件描述了利用双晶X射线衍射仪测试氧化镓单晶片摇摆曲线及其半高宽的方法。本文件适用于熔体法、液相法及气相法生长的β相氧化镓单晶片,对前述单晶片进行化学或机械抛光后的样品同样适用于此方法
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2024-05-15 | 实施时间: 2024-05-16
  • GB/T 31474-2015 电子装联高质量内部互连用助焊剂 现行
    译:GB/T 31474-2015 Soldering fluxes for high-quality interconnections in electronics assembly
    适用范围:本标准规定了电子装联用高质量内部互连用助焊剂(简称助焊剂)的分类、技术要求、试验方法、检测规则和产品的标识、包装、运输、储存。 本标准主要适用于印制板组装及电气和电子电路接点锡焊用助焊剂。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2015-05-15 | 实施时间: 2016-01-01
  • GB/T 31476-2015 电子装联高质量内部互连用焊料 现行
    译:GB/T 31476-2015 Requirements for solders for high-quality interconnections in electronics assembly
    适用范围:本标准规定了电子装联高质量内部互连用焊料的分类、技术要求、试验方法、检验规则和产品的标志、包装、运输、储存。 本标准适用于电子产品组装中钎焊连接用的焊料,包括含铅焊料、无铅焊料和特殊焊料。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2015-05-15 | 实施时间: 2016-01-01
  • GB/T 31475-2015 电子装联高质量内部互连用焊锡膏 现行
    译:GB/T 31475-2015 Requirements for solder paste for high-quality interconnections in electronics assembly
    适用范围:本标准规定了电子装联高质量内部互连用焊锡膏(简称焊锡膏)的分类、技术要求、试验方法、检验规则和产品的标志、包装、运输、储存。 本标准适用于表面组装元器件和电子电路互连时软钎焊所使用的焊锡膏。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2015-05-15 | 实施时间: 2016-01-01
  • GB/T 1555-1997 半导体单晶晶向测定方法 被代替
    译:GB/T 1555-1997 Test methods for determining the orientation of a semiconductor single crystal
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1997-12-22 | 实施时间: 1998-08-01
  • GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法 被代替
    译:GB/T 17170-1997 Test method for deep level EL2 concentration of undoped semi-insulating monocrystal gallium arsenide by measurement infrared absorption method
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1997-12-22 | 实施时间: 1998-08-01
  • GB/T 1558-1997 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 被代替
    译:GB/T 1558-1997 Test method for substitutional atomic carbon content of silicon by infrared absorption
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1997-12-22 | 实施时间: 1998-08-01
  • GB/T 16596-1996 确定晶片坐标系规范 被代替
    译:GB/T 16596-1996 Specification for establishing a wafer coordinate system
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1996-11-04 | 实施时间: 1997-04-01
  • GB/T 6618-1995 硅片厚度和总厚度变化测试方法 被代替
    译:GB/T 6618-1995 Test method for thickness and total thickness variation of silicon slices
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1995-04-18 | 实施时间: 1995-12-01
  • GB/T 6616-1995 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法 被代替
    译:GB/T 6616-1995 Test method for measuring resistivity of semiconductor silicon or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gage
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1995-04-18 | 实施时间: 1995-12-01
  • GB/T 6619-1995 硅片弯曲度测试方法 被代替
    译:GB/T 6619-1995 Test methods for bow of silicon slices
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1995-04-18 | 实施时间: 1995-12-01
  • GB/T 6621-1995 硅抛光片表面平整度测试方法 被代替
    译:GB/T 6621-1995 Test methods for surface flatness of silicon polished slices
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1995-04-18 | 实施时间: 1995-12-01
  • GB/T 14847-1993 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 被代替
    译:GB/T 14847-1993 Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1993-12-24 | 实施时间: 1994-09-01
  • GB/T 14141-1993 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 被代替
    译:GB/T 14141-1993 Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1993-02-06 | 实施时间: 1993-10-01
  • GB/T 13389-1992 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程 被代替
    译:GB/T 13389-1992 Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped and phosphorus-doped silicon
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1992-02-19 | 实施时间: 1992-10-01
  • GB/T 13388-1992 硅片参考面结晶学取向X射线测量方法 被代替
    译:GB/T 13388-1992 Method for measuring crystallographic orientation of flats on single crystal silicon slices and wafers by X-ray techniques
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H21金属物理性能试验方法
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1992-02-19 | 实施时间: 1992-10-01