19 试验
65 农业
77 冶金
  • GB/T 30652-2014 硅外延用三氯氢硅 被代替
    译:GB/T 30652-2014 Trichlorosilane for silicon epitaxial
    适用范围:本标准规定了硅外延用三氯氢硅(SiHCl3)的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书以及订货单 (或合同)内容。 本标准适用于以粗三氯氢硅为原料经过提纯而制得的硅外延用三氯氢硅(以下简称产品)。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-12-31 | 实施时间: 2015-09-01
  • GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程 现行
    译:GB/T 13389-2014 Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped,phosphorus-doped,and arsenic-doped silicon
    适用范围:本标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度之间的换算关系,该换算关系也适用于掺锑硅单晶,还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-12-31 | 实施时间: 2015-09-01
  • GB/T 30656-2014 碳化硅单晶抛光片 被代替
    译:GB/T 30656-2014 Polished monocrystalline silicon carbide wafers
    适用范围:本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书及订货单(或合同)内容。 本标准适用于4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。产品主要用于制作半导体照明及电力电子器件的外延衬底。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-12-31 | 实施时间: 2015-09-01
  • GB/T 31092-2014 蓝宝石单晶晶锭 被代替
    译:GB/T 31092-2014 Monocrystalline sapphire ingot
    适用范围:本标准规定了蓝宝石单晶晶锭的要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存和质量证明书、订货单(或合同)内容。 本标准适用于蓝宝石单晶晶锭,产品可用于制造氮化镓外延薄膜及其他用途的蓝宝石单晶衬底材料(以下简称晶锭)。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-12-22 | 实施时间: 2015-09-01
  • GB/T 2881-2014 工业硅 被代替
    译:GB/T 2881-2014 Silicon metal
    适用范围:本标准规定了工业硅的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和订货单(或合同)的内容。 本标准适用于矿热炉内炭质还原剂与硅石熔炼所生产的工业硅,主要用于配制合金、制取多晶硅和生产有机硅等。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H81半金属
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-12-05 | 实施时间: 2015-08-01
  • YS/T 989-2014 锗粒 现行
    译:YS/T 989-2014 Germanium grain
    适用范围:本标准规定了锗粒的要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于以锗单晶或区熔锗锭为原料,经机械加工而制得的锗粒,主要为工艺品和健身护品提供镶件。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2014-10-14 | 实施时间: 2015-04-01
  • YS/T 982-2014 氢化炉碳/碳复合材料U形发热体 废止
    译:YS/T 982-2014 Carbon/carbon U shape heating element of hydrogenation furnace
    适用范围:本标准规定了氢化炉用碳/碳复合材料U形发热体的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于多晶硅生产领域氢化炉用碳/碳复合材料U形发热体。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2014-10-14 | 实施时间: 2015-04-01
  • YS/T 978-2014 单晶炉碳/碳复合材料导流筒 现行
    译:YS/T 978-2014 Carbon/carbon composites guide shield of single crystal furnace
    适用范围:本标准规定了直拉单晶炉用碳/碳复合材料导流筒的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于直拉单晶炉用碳/碳复合材料导流筒。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2014-10-14 | 实施时间: 2015-04-01
  • YS/T 986-2014 晶片正面系列字母数字标志规范 现行
    译:YS/T 986-2014 Specification for serial alphanumeric marking of the front surface of wafers
    适用范围:本标准定义了标记包括字母数字的几何尺寸和空间位置尤其适用于带参考面和带缺口的硅抛光片。 本标准不涉及制作标记的技术。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2014-10-14 | 实施时间: 2015-04-01
  • YS/T 979-2014 高纯三氧化二镓 现行
    译:YS/T 979-2014 High purity gallium oxide
    适用范围:本标准规定了高纯三氧化二镓的要求、检验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)内容等。 本标准适用于以高纯镓为原料经氧化和粉末工艺制得的纯度为99.999 5%和99.999 9%的高纯三氧化二镓。产品供制备白光LED用的荧光粉、三钆石榴石(GGG晶体)和其他材料。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2014-10-14 | 实施时间: 2015-04-01
  • YS/T 977-2014 单晶炉碳/碳复合材料保温筒 现行
    译:YS/T 977-2014 Carbon/carbon composites heat insulation cylinder of single crystal furnace
    适用范围:本标准规定了直拉单晶炉用碳/碳复合材料保温筒的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于直拉单晶炉用碳/碳复合材料保温筒也适用于其他高温真空炉/保护气氛炉用碳/碳复合材料保温筒。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2014-10-14 | 实施时间: 2015-04-01
  • YS/T 985-2014 硅抛光回收片 现行
    译:YS/T 985-2014 Polished reclaimed silicon wafers
    适用范围:本标准规定了硅抛光回收片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于用户提供的或来源于第三方的硅回收片(主要包括100 mm、125 mm、150 mm和200 mm单面或双面抛光硅片、未抛光硅片或外延硅片)经单面抛光制备的硅抛光片。产品主要用于机械、炉处理、颗粒和光刻中的监控片。另外使用方需注意硅回收片的热历史、体沾污和表面沉积物情况。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2014-10-14 | 实施时间: 2015-04-01
  • YS/T 988-2014 羧乙基锗倍半氧化物 现行
    译:YS/T 988-2014 Carboxyethyl-germanium sesquioxide
    适用范围:本标准规定了羧乙基锗倍半氧化物的要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)等内容。 本标准适用于以高纯二氧化锗或以高纯四氯化锗为原料制备的羧乙基锗倍半氧化物(Ge-132)。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2014-10-14 | 实施时间: 2015-04-01
  • GB/T 30861-2014 太阳能电池用锗衬底片 现行
    译:GB/T 30861-2014 Germanium substrate for solar cell
    适用范围:本标准规定了太阳能电池用锗衬底片的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。 本标准适用于垂直梯度凝固法(VGF)和直拉法(CZ)制备的太阳能电池用锗衬底片(以下简称锗衬底片)。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-07-24 | 实施时间: 2015-04-01
  • GB/T 30858-2014 蓝宝石单晶衬底抛光片 现行
    译:GB/T 30858-2014 Polished mono-crystalline sapphire substrate product
    适用范围:本标准规定了蓝宝石单晶衬底抛光片的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。 本标准适用于单面抛光蓝宝石衬底片(以下简称蓝宝石衬底片)。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-07-24 | 实施时间: 2015-04-01
  • GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片 现行
    译:GB/T 30854-2014 Gallium nitride based epitaxial layer for LED lighting
    适用范围:本标准规定了LED发光用氮化镓基外延片(以下简称外延片)的要求、检验方法和规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。 本标准适用于LED发光用氮化镓基外延片。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-07-24 | 实施时间: 2015-04-01
  • GB/T 30855-2014 LED外延芯片用磷化镓衬底 现行
    译:GB/T 30855-2014 GaP substrates for LED epitaxial chips
    适用范围:本标准规定了LED外延芯片用磷化镓单晶衬底片(以下简称衬底)的要求、检验方法以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。 本标准适用于LED外延芯片的磷化镓单晶衬底。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-07-24 | 实施时间: 2015-04-01
  • GB/T 30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法 现行
    译:GB/T 30866-2014 Test method for measuring diameter of monocrystalline silicon carbide wafers
    适用范围:本标准规定了用千分尺测量碳化硅单晶片直径的方法。 本标准适用于碳化硅单晶片直径的测量。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-07-24 | 实施时间: 2015-02-01
  • GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法 现行
    译:GB/T 30867-2014 Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers
    适用范围:本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化(TTV)的测试方法,包括接触式和非接触式两种方式。 本标准适用于直径不小于30 mm、厚度为0.13 mm~1 mm的碳化硅单晶片。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-07-24 | 实施时间: 2015-02-01
  • GB/T 30856-2014 LED外延芯片用砷化镓衬底 现行
    译:GB/T 30856-2014 GaAs substrates for LED epitaxial chips
    适用范围:本标准规定了LED外延芯片用砷化镓单晶衬底片(以下简称衬底)的要求、检验方法和规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。 本标准适用于LED外延芯片用的砷化镓单晶衬底。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-07-24 | 实施时间: 2015-04-01