国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
31 电子学
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
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译：SJ/T 11552-2015 Using Brewster angle to measure the content of silicon interstitial oxygen using P-polarized radiation and infrared absorption spectroscopy【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-10-10 | 实施时间： 2016-04-01收藏 -
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译：GB/T 31854-2015 Test method for measuring metallic impurities content in silicon materials used for photovoltaic applications by inductively coupled plasma mass spectrometry适用范围：本标准规定了利用电感耦合等离子体质谱仪(ICP—MS)测定光伏电池用硅材料中痕量体金属杂质含量的方法。 本标准适用于光伏电池用硅材料中痕量体金属杂质铁、铬、镍、铜、锌含量的测定。各元素的测量范围见表1。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2015-07-03 | 实施时间： 2016-03-01收藏
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译：GB/T 31476-2015 Requirements for solders for high-quality interconnections in electronics assembly适用范围：本标准规定了电子装联高质量内部互连用焊料的分类、技术要求、试验方法、检验规则和产品的标志、包装、运输、储存。 本标准适用于电子产品组装中钎焊连接用的焊料，包括含铅焊料、无铅焊料和特殊焊料。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H21金属物理性能试验方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2015-05-15 | 实施时间： 2016-01-01收藏
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译：GB/T 31474-2015 Soldering fluxes for high-quality interconnections in electronics assembly适用范围：本标准规定了电子装联用高质量内部互连用助焊剂（简称助焊剂）的分类、技术要求、试验方法、检测规则和产品的标识、包装、运输、储存。 本标准主要适用于印制板组装及电气和电子电路接点锡焊用助焊剂。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H21金属物理性能试验方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2015-05-15 | 实施时间： 2016-01-01收藏
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译：GB/T 31475-2015 Requirements for solder paste for high-quality interconnections in electronics assembly适用范围：本标准规定了电子装联高质量内部互连用焊锡膏（简称焊锡膏)的分类、技术要求、试验方法、检验规则和产品的标志、包装、运输、储存。 本标准适用于表面组装元器件和电子电路互连时软钎焊所使用的焊锡膏。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H21金属物理性能试验方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2015-05-15 | 实施时间： 2016-01-01收藏
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译：SJ/T 11502-2015【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：SJ/T 11500-2015【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：SJ/T 11497-2015 The test method for thermal stability of gallium arsenide wafers【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：SJ/T 11495-2015 Silicon interstitial oxygen conversion factor guideline【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：SJ/T 11503-2015 The method for testing the surface roughness of a single-crystal silicon carbide polishing slice【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：SJ/T 11493-2015 The method of secondary ion mass spectrometry for measuring the nitrogen concentration in a silicon substrate【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：SJ/T 11505-2015 Ruby monocrystal polishing specification【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：SJ/T 11496-2015【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：SJ/T 11492-2015 The determination of composition of phosphorus-gallium-arsenic wafers using photoluminescence method【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：SJ/T 11487-2015 Non-contact method for measuring the resistivity of semi-insulating semiconductor wafers【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：SJ/T 11498-2015 The secondary ion mass spectrometry measurement method for oxygen concentration in heavily doped silicon substrate【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：YS/T 1061-2015 Silicon core for polysilicon by improved siemens method适用范围：本标准规定了改良西门子法生产多晶硅用硅芯的要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容等。 本标准适用于以多晶硅为原料，通过直拉法（CZ）生产硅棒再经过线切割加工或采用基座法拉制的硅芯。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：SJ/T 11504-2015 The testing method for surface quality of silicon carbide single crystal polishing wafers【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：SJ/T 11489-2015 The measurement method for the low-dislocation density indium phosphide polished surface pit density【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：YS/T 543-2015 Standard specification for fine aluminum-1% silicon wire for semiconductor lead-bonding适用范围：本标准规定了半导体器件键合用铝-1%硅细丝的要求、试验方法、检验规则及包装、标志、运输、贮存及质量证明书与订货单（或合同）内容。 本标准适用于半导体内引线用拉制或挤压铝-1%硅细丝（以下简称细丝）。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H61轻金属及其合金发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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