19 试验
65 农业
77 冶金
  • YS/T 840-2025 再生硅原料 现行
    译:YS/T 840-2025 regenerative silicone raw material
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2025-04-10 | 实施时间: 2025-11-01
  • YS/T 1744-2025 半绝缘砷化镓单晶衬底片 现行
    译:YS/T 1744-2025 Semiconductor-on-insulator gallium arsenide single crystal substrate sheet
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2025-04-10 | 实施时间: 2025-11-01
  • YS/T 28-2024 硅片包装和标志 现行
    译:YS/T 28-2024
    适用范围:本文件适用于硅单晶抛光片、硅外延片、SOI硅片、硅单晶腐蚀片、硅单晶研磨片、太阳能电池用硅片,其他晶片可参照使用
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2024-10-24 | 实施时间: 2025-05-01
  • YS/T 1061-2024 硅多晶用硅芯 现行
    译:YS/T 1061-2024
    适用范围:本文件适用于通过直拉法(CZ)或区熔法(FZ)拉制的用于硅多晶生产原料的硅芯
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2024-10-24 | 实施时间: 2025-05-01
  • YS/T 1655-2023 化学气相沉积硫化锌晶体 现行
    译:YS/T 1655-2023 Chemical vapor deposition of zinc sulfide crystal
    适用范围:本文件适用于化学气相沉积法(CVD)制备的硫化锌晶体(包括标准硫化锌和多光谱硫化锌),透过波长范围为1μm~14μm。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2023-12-20 | 实施时间: 2024-07-01
  • YS/T 1653-2023 氮化镓衬底片 现行
    译:YS/T 1653-2023 YS/T 1653-2023 Gallium nitride substrate sheet
    适用范围:本文件适用于半导体光电器件与电子器件用氮化镓衬底片的研发生产、测试检验等相关领域。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2023-12-20 | 实施时间: 2024-07-01
  • SJ/T 11864-2022 半绝缘型碳化硅单晶衬底 现行
    译:SJ/T 11864-2022 Monocrystalline Silicon Carbide Narrow Bandgap Semiconductor Substrate (Half-Insulator)
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • SJ/T 11865-2022 功率器件用φ150mm n型碳化硅衬底 现行
    译:SJ/T 11865-2022 φ150mm n-type silicon carbide substrate for power devices
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2022-10-20 | 实施时间: 2023-01-01
  • YS/T 1590-2022 多晶硅行业绿色工厂评价要求 现行
    译:YS/T 1590-2022 Green factory evaluation requirements for polycrystalline silicon industry
    适用范围:本文件适用于多晶硅行业绿色工厂的评价。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H04基础标准与通用方法
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2022-09-30 | 实施时间: 2023-04-01
  • YS/T 1510-2021 高纯锗粉 现行
    译:YS/T 1510-2021 High purity germanium powder
    适用范围:本文件适用于以高纯二氧化锗为原料经氢气还原后,研磨、筛分生产的高纯锗粉。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2021-12-02 | 实施时间: 2022-04-01
  • YB/T 4806-2020 钢铁行业电力需求侧管理平台管理规范 现行
    译:YB/T 4806-2020 Management Specification for Electricity Demand Side Management Platform in the Iron and Steel Industry
    适用范围:本标准规定了钢铁行业内各生产企业电力需求侧管理平台的总则、管理职责、平台业务管理、平台运行维护等内容。 本标准适用于钢铁行业内各生产企业电力需求侧管理平台的运行管理。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.020电气工程综合 【中国标准分类号(CCS)】 :H01技术管理
    发布单位或类别:(CN-YB)行业标准-黑色冶金 | 发布时间: 2020-12-09 | 实施时间: 2021-04-01
  • YB/T 4805-2020 钢铁行业电力需求侧管理平台技术规范 现行
    译:YB/T 4805-2020 Steel industry demand-side management platform technical specification
    适用范围:本标准规定了钢铁行业内各生产企业电力需求侧管理平台的术语和定义、基本原则、功能规范、接口规范、设计规范、安全防护规范等。 本标准适用于钢铁行业内各生产企业电力需求侧管理平台的设计、开发、建设及运维。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.020电气工程综合 【中国标准分类号(CCS)】 :H01技术管理
    发布单位或类别:(CN-YB)行业标准-黑色冶金 | 发布时间: 2020-12-09 | 实施时间: 2021-04-01
  • DL/T 1675-2016 高压直流接地极馈电元件技术条件 现行
    译:DL/T 1675-2016 High-voltage direct current grounding electrode feeder component technical specification
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.050导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H62重金属及其合金
    发布单位或类别:(CN-DL)行业标准-电力 | 发布时间: 2016-12-05 | 实施时间: 2017-05-01
  • YS/T 724-2016 多晶硅用硅粉 现行
    译:YS/T 724-2016 Silicon power for polycrystalline
    适用范围:本标准规定了多晶硅生产用硅粉的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)内容等。 本标准适用于多晶硅生产用硅粉。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2016-07-11 | 实施时间: 2017-01-01
  • YS/T 1160-2016 工业硅粉定量相分析 二氧化硅含量的测定 X射线衍射K值法 现行
    译:YS/T 1160-2016 Silicon powder-quantitative phase analysis—Determination of silicon dioxide content—Value K method of X-ray diffraction
    适用范围:本标准规定了工业硅粉中二氧化硅含量的测定方法。 本标准适用于工业硅粉中二氧化硅含量的测定,测定范围为≥1%。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H12轻金属及其合金分析方法
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2016-07-11 | 实施时间: 2017-01-01
  • YS/T 1167-2016 硅单晶腐蚀片 现行
    译:YS/T 1167-2016 Monocrystalline silicon etched wafers
    适用范围:本标准规定了硅单晶腐蚀片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括区熔中子嬗变和气相掺杂)制备的硅单晶研磨片经化学腐蚀液去除表面损伤层后制备的酸腐蚀片和碱腐蚀片(以下简称腐蚀片)。产品主要用于制作晶体管、整流管、特大功率晶闸管、光电器件等半导体元器件或进一步加工成硅抛光片。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2016-07-11 | 实施时间: 2017-01-01
  • SJ/T 11552-2015 以布鲁斯特角入设P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量 现行
    译:SJ/T 11552-2015 Using Brewster angle to measure the content of silicon interstitial oxygen using P-polarized radiation and infrared absorption spectroscopy
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-10-10 | 实施时间: 2016-04-01
  • SJ/T 11500-2015 碳化硅单晶晶向的测试方法 现行
    译:SJ/T 11500-2015 Test method for crystal orientation of silicon carbide monocrystals SJ/T 11500-2015
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11495-2015 硅中间隙氧的转换因子指南 现行
    译:SJ/T 11495-2015 Silicon interstitial oxygen conversion factor guideline
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01
  • SJ/T 11497-2015 砷化镓晶片热稳定性的试验方法 现行
    译:SJ/T 11497-2015 The test method for thermal stability of gallium arsenide wafers
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间: 2015-04-30 | 实施时间: 2015-10-01