适用范围：范围:本文件规定了测温定氧定氢的术语和定义、系统架构与组成、技术要求、系统功能和标志。 本文件适用于高温液态金属冶炼检测系统中温度、氧含量、氢含量的测定。碳含量、铝含量的测定可参考使用; 主要技术内容:本文件规定了测温定氧定氢的术语和定义、系统架构与组成、技术要求、系统功能和标志。本文件适用于高温液态金属冶炼检测系统中温度、氧含量、氢含量的测定。碳含量、铝含量的测定可参考使用

适用范围：本文件描述了精密电阻合金电阻温度系数的测试方法，包括原理、测试装置、试样制备及预处理、测试环境条件、测试方法、数据处理、数值修约以及测试报告。 本文件适用于在-65 ℃⁓250 ℃温度范围内，对精密电阻合金电阻温度系数的测试。其他金属材料在此温度范围内的电阻温度系数的测试参照执行。

适用范围：本文件描述了精密电阻合金热电动势率的测试方法，包括原理、测试装置、试样及制备、测试环境、测试程序、数据处理、精密度和准确度以及测试报告。 本文件适用于在-65 ℃～250 ℃范围内，精密电阻合金热电动势率的测试。其他金属材料在此温度范围内的热电动势率的测试参照执行。

适用范围：本文件描述了谐振腔级铌剩余电阻比（rRRR）的测试方法。 本文件适用于rRRR在150～600级别的高纯铌。本文件的铌超导体具有矩形或圆形截面、截面面积在1 mm2～20 mm2、长度不小于宽度或直径的10倍但不大于25倍。

适用范围：范围:本文件描述了基于太赫兹时域光谱技术检测隔热涂层厚度的方法，适用于对已知折射率隔热涂层厚度的检测。其他非金属、非极性材料类涂层检测可参照使用; 主要技术内容:1  范围2  规范性引用文件3  术语和定义4  系统逻辑框架4.1  语音+分体式链路4.2  多模态+端到端5  核心技术要求5.1  基本要求5.2  高端要求6  输入输出准则6.1  输入准则6.2  输出准则7  测试方法7.1  测试用例准备7.2  测试方法7.3  测试报告

适用范围：范围:本文件描述了基于太赫兹时域光谱技术检测隔热瓦粘接缺陷的方法，适用于隔热瓦粘接缺陷的检测。其他非金属、非极性粘接类材料体系粘接缺陷检测可参照使用; 主要技术内容:1 范围2 规范性引用文件3 术语和定义4 原理5 试验条件6 仪器设备7 样品8 检测程序与方法8.1 检测前准备8.2预检测8.3检测9 检测数据的处理10 检测结果的分析与评定10.1脱粘缺陷面积分析与评定依据10.2 夹杂缺陷面积分析与评定依据10.3 胶层厚度均匀性分析与评定依据10.4 检测报告附录A（资料性) 基于太赫兹时域光谱技术的隔热瓦粘接缺陷检测原始记录格式A.1检测原始记录封面格式A.2原始记录内页格式

适用范围：本文件规定了用单片测试仪测量电工钢带（片)磁性能的通则和技术细节，包括方法A（电流法)和方法B（磁场线圈法)。

适用范围：范围:本文件规定了用高分辨X射线衍射法表征6H和4H碳化硅单晶衬底基平面弯曲的方法。 本文件适用于（0001）面或（0001）面偏晶向的6H和4H-碳化硅单晶衬底中基平面弯曲的表征; 主要技术内容:碳化硅（SiC）具有高临界击穿场强、高的热导率、高电子饱和漂移速率、优越的机械特性和物理、化学稳定性等特点，可用于制作高温大功率器件。使用碳化硅作为衬底生长器件结构时，衬底质量对外延层的质量起决定性作用。大尺寸碳化硅单晶常常呈现基平面的摇摆曲线衍射峰位随着单晶直径衍射位置的改变而变化的现象，这种衍射峰位的移动源于基平面弯曲。由于基平面弯曲的存在，导致同质外延或异质外延层边缘位置的c轴偏离中心位置的c轴，影响后续器件制备工艺的均匀性与可靠性。只有掌握了碳化硅单晶衬底基平面弯曲的特性，才能够深入了解基平面弯曲产生的原因，提供单晶生长条件优化的方向，进而提升单晶质量。因此有必要发展一种能够准确、全面的表征碳化硅单晶基平面弯曲特性的方法。目前我国以X射线衍射法表征碳化硅单晶片的晶面弯曲特性的标准属于空白领域，因此特制定本标准

适用范围：本标准规定了纳米材料电阻率的接触式测量方法，包括测量原理、仪器设备、测量条件、测量步骤、影响因素等。 本标准中静态四探针法（A法）适用于纳米薄膜、纳米浆料和纳米粉体的电阻率测量；动态四探针法（B法）、动态四线两电极法（C法）适用于纳米粉体电阻率的测量。

适用范围：本文件描述了运用直流或低扫场速率磁强计方法测量Cu/Nb-Ti多丝复合材料磁滞损耗的相关事宜。本文件规定了Cu/Nb-Ti多丝复合导体中磁滞损耗的一种测量方法。测量在温度为4.2 K或接近于4.2 K的圆形截面超导线上进行。直流或低扫场速率磁强计法使用的是超导量子干涉器件（SQUID）磁强计（见附录A）或振动样品磁强计（VSM）。如果测量中发现用不同的（但均校准过的）磁强计所得的结果存在差异，则以外推至零扫场速率下的VSM测量结果为准。将本测量方法推广到一般超导体的规范详见附录B。

适用范围：本文件适用于非晶合金带材在频率不高于400 Hz下的交流磁性能测量。本文件给出了用单片测试仪测量非晶合金带材磁性能的基本原理和技术要求。本文件规定的单片测试仪适用于在规定的频率和磁极化强度峰值且感应电压为正弦状态下，对各种类型的非晶合金带材制成的试样的交流磁性能进行测量。测量应在环境温度（23±5)℃下进行。

适用范围：本标准规定了无应变、无外加磁场条件下铜(Cu)、铜-镍(Cu-Ni)、铜/铜-镍(Cu/Cu-Ni)基体和铝(Al)基体的铌-钛(Nb-Ti)和铌三锡(Nb3Sn)复合超导体剩余电阻比(RRR)的测试方法。本标准适用于剩余电阻比值低于350、横截面小于3 mm2、具有矩形或圆形横截面的一体化超导体的剩余电阻比的测量。对于Nb3Sn复合超导体，样品经反应热处理。

适用范围：本标准规定了反应后的Cu/Nb3Sn复合超导线室温拉伸试验方法原理、装置、试样制备、测试条件、结果计算、测量不确定度、测试报告。 本试验方法用于通过应力应变曲线来测量弹性模量和规定塑性延伸强度（由复合体中铜和铜锡组分的屈服而产生）。 另外，弹性极限、抗拉强度、断后伸长率可由本方法测量。根据国际循环比对试验报告，弹性极限和断后伸长率的测量具有很大不确定度，因此，这些物理量为选测。 本标准适用于测量横截面积在0.15 mm2～2.0 mm2,铜-非铜体积比在0.2～1.5之间的圆形或矩形截面的无绝缘覆层试样。

适用范围：主要技术内容:本标准规定了钢筋弯曲试验机的计量性能要求、通用技术要求、计量器具控制以及复校时间间隔等。本标准适用于钢筋弯曲试验机（Bending Tester For Corrugated Steel Bar）的首次校准、后续校准、测试和使用中检查

适用范围：范围:本标准适用于地上铁磁性金属压力管道组成件、支承件、焊缝，因受到基础沉降、温度变化等因素产生应力的磁记忆测试及结果判定，埋地管道开挖后也可按照本标准进行管道应力的磁记忆检测。 压力容器等承压设备焊缝应力的磁记忆检测可参照本标准进行；奥氏体不锈钢管道在一定条件下具有磁性，也可参考本标准进行管道应力的磁记忆检测; 主要技术内容:本标准规定了地上铁磁性金属管道应力的磁记忆测试术语和定义、原理、应用原则、一般要求、实验步骤、结果评价、实验质量保证和控制、实验记录和报告

适用范围：范围:本标准规定了高纯金杂质元素的测定方法，测定元素见表1。 本标准适用于高纯金中杂质元素含量的测定，各元素质量分数测定范围为0.1 μg/kg～20000 μg/kg; 主要技术内容:试料作为阴极进行辉光放电，其表面原子被溅射而脱离试样进入辉光放电等离子体中，在等离子体中离子化后被导入质谱仪。在每一元素同位素质量数处以预设的扫描点数和积分时间对相应谱峰积分，所得面积即为谱峰强度。进行半定量分析时，计算机根据仪器软件中的“典型相对灵敏度因子”自动计算出各元素的质量含量；进行定量分析时，需通过在与被测样品相同的分析条件、离子源结构以及测试条件下对标准样品进行独立测定获得相对灵敏度因子，应用该相对灵敏度因子计算出各元素的质量含量，金的质量分数以杂质减量法确定