适用范围：本文件规定了用单片测试仪测量电工钢带（片)磁性能的通则和技术细节，包括方法A（电流法)和方法B（磁场线圈法)。

适用范围：本标准规定了纳米材料电阻率的接触式测量方法，包括测量原理、仪器设备、测量条件、测量步骤、影响因素等。 本标准中静态四探针法（A法）适用于纳米薄膜、纳米浆料和纳米粉体的电阻率测量；动态四探针法（B法）、动态四线两电极法（C法）适用于纳米粉体电阻率的测量。

适用范围：本文件描述了运用直流或低扫场速率磁强计方法测量Cu/Nb-Ti多丝复合材料磁滞损耗的相关事宜。本文件规定了Cu/Nb-Ti多丝复合导体中磁滞损耗的一种测量方法。测量在温度为4.2 K或接近于4.2 K的圆形截面超导线上进行。直流或低扫场速率磁强计法使用的是超导量子干涉器件（SQUID）磁强计（见附录A）或振动样品磁强计（VSM）。如果测量中发现用不同的（但均校准过的）磁强计所得的结果存在差异，则以外推至零扫场速率下的VSM测量结果为准。将本测量方法推广到一般超导体的规范详见附录B。

适用范围：本文件适用于非晶合金带材在频率不高于400 Hz下的交流磁性能测量。本文件给出了用单片测试仪测量非晶合金带材磁性能的基本原理和技术要求。本文件规定的单片测试仪适用于在规定的频率和磁极化强度峰值且感应电压为正弦状态下，对各种类型的非晶合金带材制成的试样的交流磁性能进行测量。测量应在环境温度（23±5)℃下进行。

适用范围：本标准规定了无应变、无外加磁场条件下铜(Cu)、铜-镍(Cu-Ni)、铜/铜-镍(Cu/Cu-Ni)基体和铝(Al)基体的铌-钛(Nb-Ti)和铌三锡(Nb3Sn)复合超导体剩余电阻比(RRR)的测试方法。本标准适用于剩余电阻比值低于350、横截面小于3 mm2、具有矩形或圆形横截面的一体化超导体的剩余电阻比的测量。对于Nb3Sn复合超导体，样品经反应热处理。

适用范围：本标准规定了反应后的Cu/Nb3Sn复合超导线室温拉伸试验方法原理、装置、试样制备、测试条件、结果计算、测量不确定度、测试报告。 本试验方法用于通过应力应变曲线来测量弹性模量和规定塑性延伸强度（由复合体中铜和铜锡组分的屈服而产生）。 另外，弹性极限、抗拉强度、断后伸长率可由本方法测量。根据国际循环比对试验报告，弹性极限和断后伸长率的测量具有很大不确定度，因此，这些物理量为选测。 本标准适用于测量横截面积在0.15 mm2～2.0 mm2,铜-非铜体积比在0.2～1.5之间的圆形或矩形截面的无绝缘覆层试样。

适用范围：本指导性技术文件规定了测量纳米材料直流磁化率（磁矩）的术语及定义、样品制备及测量、测量仪器、测量步骤和试验报告等。 本指导性技术文件适用于利用电磁感应定律制造的超导量子干涉器磁强计及振动样品磁强计测量纳米材料的直流磁化率（磁矩）。亚微米尺度范围的材料也可参照本标准执行。

适用范围：本标准描述了运用直流或低扫场速率磁强计方法对Cu／NbTi多丝复合线磁滞损耗进行测量的相关事宜。本标准所针对的是Cu／NbTi多丝复合导体中磁滞损耗的测量。测量应在4.2 K或4.2 K附近的温度下针对圆形线进行。直流或低扫场速率磁强计法使用的是超导量子干涉器件(SQUID)磁强计或振动样品磁强计(VSM)。如果测量中发现用不同的(但均校准过的)磁强计所得的结果存在差异，则以VSM在外推至零扫场速率下测量的结果为准。