GB/T 43885-2024 碳化硅外延片

ICS29045

CCSH.83

中华人民共和国国家标准

GB/T43885—2024

碳化硅外延片

Siliconcarbideepitaxialwafers

2024-04-25发布2024-11-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T43885—2024

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

/—《:》

GBT1.120201

起草

。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会与全国半导体设备和材料标准

(SAC/TC203)

化技术委员会材料分会共同提出并归口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草单位南京国盛电子有限公司广东天域半导体股份有限公司上海天岳半导体材料有

:、、

限公司北京天科合达半导体股份有限公司瀚天天成电子科技厦门股份有限公司环鑫半导体

、、()、TCL

天津有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司南京盛鑫半导体材料有限公司山西烁科晶

()、、、

体有限公司河北普兴电子科技股份有限公司安徽长飞先进半导体有限公司中电化合物半导体有限

、、、

公司上海合晶硅材料股份有限公司江苏华兴激光科技有限公司杭州乾晶半导体有限公司湖南三安

、、、、

半导体有限责任公司浙江晶睿电子科技有限公司宁波合盛新材料有限公司沈阳星光技术陶瓷有限

、、、

公司深圳基本半导体有限公司海迪科南通光电科技有限公司哈尔滨科友半导体产业装备与技术

、、()、

研究院有限公司连科半导体有限公司

、。

本文件主要起草人李国鹏仇光寅刘勇骆红李素青丁雄杰舒天宇佘宗静冯淦杨玉聪

:、、、、、、、、、、

王银海侯晓蕊薛宏伟刘红超金向军尚海波刘薇王岩徐所成李毕庆陈浩袁肇耿周勋刘长春

、、、、、、、、、、、、、、

汪之涵黄勤金赵丽丽胡动力和巍巍

、、、、。

Ⅰ

GB/T43885—2024

碳化硅外延片

1范围

本文件规定了碳化硅外延片的产品分类技术要求试验方法检验规则及标志包装运输与贮存

、、、、、、

随行文件和订货单内容

。

本文件适用于在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅同质外延层的外延片产品用于制作碳化硅电力

,,

电子器件

。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

计数抽样检验程序第部分按接收质量限检索的逐批检验抽样

GB/T2828.1—20121:(AQL)

计划

硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T6624

硅外延层载流子浓度测定电容电压法

GB/T14146-

半导体材料术语

/

GBT14264

硅抛光片表面颗粒测试方法

GB/T19921

硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法

GB/T29505

碳化硅单晶抛光片

GB/T30656

碳化硅单晶片平整度测试方法

GB/T32278

硅片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法

/

GBT39145

碳化硅外延片表面缺陷的测试激光散射法

GB/T42902

碳化硅外延层厚度的测试红外反射法

GB/T42905

硅片包装

/

YST28

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T14264。

4产品分类

41碳化硅外延片按外延层导电类型分为型和型型外延层载流子元素为氮型外延层载流

.np。n,p

子元素为铝

。

42碳化硅外延片按直径分为等类型

.76.2mm、100.0mm、150.0mm、200.0mm。

43碳化硅外延片按晶型分为和

.4H6H。

1

GB/T43885—2024

5技术要求

51总则

.

碳化硅外延片合格质量区的边缘去除要求符合表的规定

(FQA)1。

表边缘去除区

1

直径边缘去除区

mmmm

76.22.0

100.03.0

150.03.0

200.03.0

52衬底材料

.

碳化硅外延片用衬底材料应符合的规定衬底片的技术要求由供方保证如有需求

GB/T30656。,

可由供方提供检测值

。

缓冲层

53

.

型碳化硅外延片一般无缓冲层要求型碳化硅外延片缓冲层的导电类型是型其载流子元

。,

pnn

素为氮具体要求应符合表的规定

,2。

表2缓冲层

外延层厚度缓冲层厚度缓冲层载流子浓度

-3

μmμmcm

<200.5±20%

1E18±25%

≥201.0±20%

外延层

54

.

541载流子浓度

..

碳化硅外延片的外延层载流子浓度及其允许偏差和径向载流子浓度变化应符合表的规定

3。

表3外延层载流子浓度及其允许偏差和径向载流子浓度变化

外延层厚度外延层载流子浓度直径直径直径直径

导电类型要求

-3

μmcm76.2mm100.0mm150.0mm200.0mm

0.2~4±50%±50%±50%±50%

型>4~20载流子浓度允许偏差±10%±10%±15%±15%

n5E13~2E19

>20~50±15%±15%±20%±20%

>50~150±25%±25%±30%±30%

2

GB/T43885—2024

表3外延层载流子浓度及其允许偏差和径向载流子浓度变化续

()

外延层厚度外延层载流子浓度直径直径直径直径

导电类型要求

-3

μmcm76.2mm100.0mm150.0mm200.0mm

0.2~4≤15%≤15%≤15%≤15%

型>4~20径向载流子浓度变化≤5%≤5%≤8%≤10%

n5E13~2E19

>20~50≤10%≤10%≤10%≤15%

>50~150≤15%≤15%≤15%≤15%

载流子浓度允许偏差

型±50%

p0.2~1505E13~2E19径向载流子浓度变化

≤25%

载流子浓度允许偏差

多层外延层±50%

—

0.2~150径向载流子浓度变化

≤25%

外延层厚度

542

..

碳化硅外延片的外延层厚度及其允许偏差和径向厚度变化应符合表的规定

。

4