GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法
GB/T 41765-2022 Test method for dislocation density of monocrystalline silicon carbide
国家标准
中文简体
现行
页数：11页
|
格式：PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2022-10-12
实施日期
2023-05-01
发布单位/组织
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
适用范围
本文件规定了碳化硅单晶位错密度的测试方法。
本文件适用于晶面偏离{0001}面、偏向112-0方向0°～8°的碳化硅单晶位错密度的测试。
本文件适用于晶面偏离{0001}面、偏向112-0方向0°～8°的碳化硅单晶位错密度的测试。
发布历史
-
2022年10月
研制信息
- 起草单位：
- 北京天科合达半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司
- 起草人：
- 彭同华、佘宗静、娄艳芳、王大军、赵宁、王波、郭钰、杨建、李素青
- 出版信息：
- 页数：11页 | 字数：24 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS77.040
CCSH21
中华人民共和国国家标准
/—
GBT417652022
碳化硅单晶位错密度的测试方法
Testmethodfordislocationdensitofmonocrstallinesiliconcarbide
yy
2022-10-12发布2023-05-01实施
国家市场监督管理总局
发布
国家标准化管理委员会
/—
GBT417652022
前言
/—《:》
本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定
GBT1.120201
起草。
。。
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