GB/T 32189-2015 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法
GB/T 32189-2015 Test method for surface roughness of GaN single crystal substrate by atomic force microscope
国家标准
中文简体
现行
页数：11页
|
格式：PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2015-12-10
实施日期
2016-11-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会 (SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC2)
适用范围
本标准规定了用原子力显微镜测试氮化镓单晶衬底表面粗糙度的方法。 本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的表面粗糙度小于10 nm的氮化镓单晶衬底。其他具有相似表面结构的半导体单晶衬底应用本标准提供的方法进行测试前，需经测试双方协商达成一致。
发布历史
-
2015年12月
研制信息
- 起草单位：
- 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州纳维科技有限公司
- 起草人：
- 刘争晖、钟海舰、徐耿钊、樊英民、邱永鑫、曾雄辉、王建峰、徐科
- 出版信息：
- 页数：11页 | 字数：20 千字 | 开本： 大16开
内容描述
ICS77.040
H21
中华人民共和国国家标准
/—
GBT321892015
氮化镓单晶衬底表面粗糙度的
原子力显微镜检验法
TestmethodforsurfacerouhnessofGaNsinlecrstalsubstratebatomicforce
ggyy
microscoe
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2015-12-10发布2016-11-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
/—
GBT321892015
前言
本标准按照/—给出的规则起草。
GBT1.12009
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(/)与全国半导体设备和材料标准
SACTC203
化技术委员会材料分会(//)共同提出并归口。
SACTC203SC2
:
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