GB/T 42974-2023 半导体集成电路 快闪存储器(FLASH)

ICS31200

CCSL.56

中华人民共和国国家标准

GB/T42974—2023

半导体集成电路

快闪存储器FLASH

()

Semiconductorintegratedcircuits—

FlashmemorFLASH

y()

2023-09-07发布2024-01-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T42974—2023

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位中国电子技术标准化研究院兆易创新科技集团股份有限公司合肥美菱物联科

:、、

技有限公司存心科技北京有限公司芯天下技术股份有限公司三旗惠州电子科技有限公司

、()、、()。

本文件主要起草人罗晓羽何卫辛钧胡洪苏志强李东琦韩旭龙冬庆张静李柏泉王如松

:、、、、、、、、、、、

李敬李海龙

、。

Ⅰ

GB/T42974—2023

半导体集成电路

快闪存储器FLASH

()

1范围

本文件规定了快闪存储器的分类技术要求电测试方法和检验规则

(FLASH)、、。

本文件适用于的设计制造采购验收

FLASH、、、。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

包装储运图示标志

GB/T191

半导体器件机械和气候试验方法第部分外部目检

GB/T4937.33:

半导体器件机械和气候试验方法第部分强加速稳态湿热试验

GB/T4937.44:(HAST)

半导体器件机械和气候试验方法第部分快速温度变化双液槽法

GB/T4937.1111:

半导体器件机械和气候试验方法第部分盐雾

GB/T4937.1313:

半导体器件机械和气候试验方法第部分引出端强度引线牢固性

GB/T4937.1414:()

半导体器件机械和气候试验方法第部分通孔安装器件的耐焊接热

GB/T4937.1515:

半导体器件机械和气候试验方法第部分可焊性

GB/T4937.2121:

半导体器件机械和气候试验方法第部分高温工作寿命

GB/T4937.2323:

半导体器件机械和气候试验方法第部分静电放电敏感度测试人

GB/T4937.2626:(ESD)

体模型

(HBM)

半导体器件机械和气候试验方法第部分静电放电敏感度测试机

GB/T4937.2727:(ESD)

器模型

(MM)

集成电路术语

GB/T9178

半导体器件集成电路第部分半导体集成电路分规范不包括混合电路

GB/T1275011:()

半导体器件集成电路第部分数字集成电路

GB/T17574—19982:

非易失性存储器耐久和数据保持试验方法

GB/T35003

半导体集成电路快闪存储器测试方法

GB/T36477—2018

半导体器件机械和气候试验方法第部分高温贮存

IEC60749-66:(Semiconductordevices—

Mechanicalandclimatictestmethods—Part6:Storageathightemperature)

半导体器件机械和气候试验方法第部分密封

IEC60749-88:(Semiconductordevices—Me-

chanicalandclimatictestmethods—Part8:Sealing)

半导体器件机械和气候试验方法第部分标志耐久性

IEC60749-99:(Semiconductor

devices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part9:Permanenceofmarking)

半导体器件机械和气候试验方法第部分加速耐湿无偏置强加速应力试

IEC60749-2424:-

验

(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part24:Acceleratedmoisturere-

sistance-UnbiasedHAST)

1

GB/T42974—2023

半导体器件机械和气候试验方法第部分静电放电敏感度测试带

IEC60749-2828:(ESD)

电器件模型器件级

(CDM)(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part28:

Electrostaticdischarge(ESD)sensitivitytesting—Chargeddevicemodel(CDM)devicelevel)

半导体器件机械和气候试验方法第部分稳态加速度

IEC60749-3636:(Semiconductorde-

vices-Mechanicalandclimatictestmethods—Part36:Acceleration,steadystate)

3术语和定义

界定的术语和定义适用于本文件

GB/T9178。

4分类

41结构

.

411一般原则

..

的结构有与非型与或非型

FLASH“”(NAND)“”(NOR)。

型存储单元排列密写入擦除速度快宜用于存储数据信息

NANDFLASH、,。

型存储单元稳定寻址效率高宜用于存储程序代码

NORFLASH、,。

412NAND型

..

型的存储阵列中同一位线上的存储单元是串联关系

NANDFLASH,。

型阵列以页为单位读取数据并存入缓存缓存中的数据可以任意读取

NANDFLASH,。

型阵列以页为单位写入数据以块为单位擦除数据

NANDFLASH,。

413NOR型

..

型的存储阵列中同一位线上的存储单元是并联关系

NORFLASH,。

型阵列可以最小单位为字节的任意长度读取数据

NORFLASH。

型写入数据的最小单位是字节擦除数据的单位是块或扇区

NORFLASH,。

42接口类型

.

421SPI串行接口

..

串行接口模式配备四类信号接口即串行输入时钟信号片选信号串行数据

SPI,(SCLK)、(CS#)、

输入信号串行数据输出信号

(SI)、(SO)。

输入数据在时钟上升沿采样输出数据在时钟下降沿输出

,。

多端口传输模式下数据可以由多个数据端口输入或输出

,。

信号接口包含串行输入时钟信号片选信号以及多个串行数据输入或输出信号

(SCLK)、(CS#),。

串行数据输入或输出信号的个数为的正整数幂

2。

422并行接口

..

并行接口型接口模式可以分为口输入输出口输入输出口

NORFLASH8/(I/O)、16/(I/O)、32

输入输出代表并行数据传输线的引出端数量用于输入命令数据输出数据地址输入端

/(I/O),,/,。(A)

用来输入地址此外还包含片选信号输出使能信号写使能信号就绪忙碌

。(CE#)、(OE#)、(WE#)、/

状态输出信号写保护使能信号等

(R/B#)、(WP#)。

2

GB/T42974—2023

并行接口型接口模式可以分为口输入输出口输入输出

NANDFLASH8/(I/O)、16/(I/O)、32

口输入输出代表并行数据传输线的引出端数量用于输入地址数据命令输出数据此外还

/(I/O),,//、。

包含命令锁存信号地址锁存信号片选信号读使能信号写使能信号

(CLE)、(ALE)、(CE#)、(RE#)、

就绪忙碌状态输出信号写保护使能信号等

(WE#)、/(R/B#)、(WP#)。

5技术要求

51温度

.

511工作温度

..

工作温度应为以下温度范围在此温度范围内可以正常工作

FLASH,FLASH:

a)0℃~70℃;

b)-40℃~85℃;

c)-40℃~105℃;

d)-40℃~125℃;

e)-55℃~125℃。

512贮存温度

..

贮存温度范围宜比工作温度范围更宽

。

的贮存温度宜为

FLASH:-65℃~150℃。

52供电

.

由直流电源供电电源电压可为

FLASH,:

a)5.0V;

b)3.3V;

c)2.5V;

d)1.8V;

e)1.2V;

其他

f)。

可以同时支持以上的一种或多种电源电压

FLASH。

应支持欠压写入擦除保护功能

FLASH/。

53功能

.

531数据写入

..

支持从输入输出端接收地址和数据信号并将数据写入存储阵列中相应地址处

FLASH/(I/O),。

对于并行接口型地址信号由地址输入端接收

NORFLASH,(A)。

532数据读取

..

支持从输入输出端接收地址并将该地址的数据从输入输出端输出

FLASH/(I/O),/(I/O)。

对于并行接口型地址信号由地址输入端接收

NORFLASH,(A)。

3

GB/T42974—2023

533数据擦除

..

支持从输入输出端接收地址信号并将该地址的数据擦除

FLASH/(I/O),。

对于并行接口型地址信号由地址输入端接收

NORFLASH,(A)。

54电特性

.

541静态电参数

..

静态电参数的条目与的具体功能相关

FLASH。

表给出的参数是基于满足最基本的读取写入擦除三类操作所需的静态电参数

1、、。

表1静态电参数

参数符号

输入端漏电流I

LI

输出端漏电流I

LO

待机电流II

CC(standby)/SB

数据读取电流I

CC(read)

数据写入电流I

CC(program)

数据擦除电流I

CC(erase)

输入高电平电压V

IH

输入低电平电压V

IL

输出高电平电压V

OH

输出低电平电压V

OL

542动态电参数

..

动态电参数的条目与的具体功能相关

FLASH。

表表表给出的参数是基于满足最基本的读取写入擦除三类操作所需的动态电参数

2、3、4、、。

串行接口应规定表中的动态电性能指标并行接口应规定表中

SPIFLASH2,NANDFLASH3

的动态电性能指标并行接口应规定表中的动态电性能指标

,NORFLASH4。

表2SPI串行接口FLASH动态电参数

参数符号

时钟频率

fC

片选信号建立时间t

SLCH

片选信号保持时间t

CHSH

片选失效信号建立时间t

SHCH

片选失效信号保持时间t

CHSL

4

GB/T42974—2023

表2SPI串行接口FLASH动态电参数续

()

参数符号

片选高电平保持时间t