适用范围：GB/T 4937的本部分规定了采用铅锡焊料或无铅焊料进行焊接的元器件封装引出端的可焊性试验程序。 本试验方法规定了通孔、轴向和表面安装器件(SMDs)的“浸入和观察”可焊性试验程序，以及可选的SMDs板级安装可焊性试验程序，用于模拟在元器件使用时采用的焊接过程。本试验方法也规定了老化条件,该条件为可选。 除有关文件另有规定外，本试验属于破坏性试验。

适用范围：本标准规定了烧结金属材料和硬质合金电阻率的测定。

适用范围：GB/T 4937的本部分规定了塑封表面安装半导体器件(SMD)的耐焊接热评价方法。该试验为破坏性试验。

适用范围：GB/T 4937的本部分用来确定将半导体芯片安装在管座或其他基板上所使用的材料和工艺步骤的完整性(基于本试验方法的目的，本部分中半导体芯片包括无源元件)。本部分适用于空腔封装，也可作为过程监测。不适用于面积大于10 mm2的芯片，以及倒装芯片和易弯曲基板。

适用范围：GB/T 4937的本部分对已封装的半导体集成电路和半导体分立器件进行60Co γ射线源电离辐射总剂量试验提供了一种试验程序。本部分提供了评估低剂量率电离辐射对器件作用的加速退火试验方法。这种退火试验对低剂量率辐射或者器件在某些应用情况下表现出时变效应的应用情形是比较重要的。本部分仅适用于稳态辐照，并不适用于脉冲型辐照。本部分主要针对军事或空间相关的应用。本试验可能会导致辐照器件的电性能产生严重退化，因而被认为是破坏性试验。

适用范围：GB/T 5169的本部分给出了将电气绝缘液体产生的着火危险降至最小的导则，这些绝缘液体的使用涉及： a)电工设备和系统； b)人群、建筑物及其中的物品。 本部分旨在供产品标委会根据IEC指南104：2010和ISO/IEC指南51：1999中规定的原则编写标准。并不适用于制造商或认证机构。 产品标委会的任务之一就是在编写标准时，凡适用之处都要使用本部分。

适用范围：GB/T 4937的本部分是为了测定半导体器件在中子环境中性能退化的敏感性。本部分适用于集成电路和半导体分立器件。中子辐照主要针对军事或空间相关的应用，是一种破坏性试验。试验目的如下：a）检测和测量半导体器件关键参数的退化与中子注量的关系；b）确定规定的半导体器件参数在接受规定水平的中子注量辐射之后是否在规定的极限值之内（见第4章）。

适用范围：GB/T 4937的本部分规定了耐焊接热的试验方法，以确定通孔安装的固态封装器件承受波峰焊或烙铁焊接引线时产生的热应力的能力。 为制定具有可重复性的标准试验程序，选用试验条件较易控制的浸焊试验方法。本程序为确定器件组装到电路板时对所需焊接温度的耐受能力，要求器件的电性能不产生退化且内部连接无损伤。 本试验为破坏性试验，可以用于鉴定、批接收及产品检验。 本试验与IEC 60068-2-20基本一致，但鉴于半导体器件的特殊要求，采用本部分的条款。