适用范围：GB/T 6730的本部分规定了重量法测定铁矿石中灼烧减量(LOI)。 本部分适用于天然铁矿石、铁精矿和烧结矿中灼烧减量的测定。测定范围(质量分数)：－10.0%～12.0%。 本部分不适用于含金属铁的加工矿、硫含量大于0.2%(质量分数)的天然或加工矿。

适用范围：本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片(以下简称硅片)弯曲度的接触式测量方法。 本标准适用于测量直径不小于25 mm，厚度为不小于180 μm,直径和厚度比值不大于250的圆形硅片的弯曲度。本测试方法的目的是用于来料验收和过程控制。本标准也适用于测量其他半导体圆片弯曲度。

适用范围：GB/T 6730的本部分规定了三氯化钛还原重铬酸钾滴定法测定全铁含量的方法（常规方法）。 本部分适用于天然铁矿石、铁精矿和块矿，包括烧结矿、球团矿中全铁含量的测定。测定范围（质量分数）：25%～72%。

适用范围：本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径或边长大于25 mm、厚度为0.1 mm～1 mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片（简称硅片）的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时，衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1 000倍。 硅片电阻率和薄膜薄层电阻测量范围分别为1.0×10-3 Ω·cm～2×102 Ω·cm和2×103 Ω/～3×103 Ω/。

适用范围：GB/T 6730的本部分规定了用氢化物发生-原子吸收分光光谱法测定铁矿石中砷含量的方法。本部分适用于天然铁矿、铁精矿和造块，包括烧结产品中砷含量的测定。测定范围（质量分数）：0.000 05%～0.1%。

适用范围：本标准规定了用电容位移传感器测定硅抛光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蚀片也可参考此方法。 本标准适用于测量标准直径76 mm、100 mm、125 mm、150 mm、200 mm,电阻率不大于200 Ω·cm厚度不大于1 000 μm的硅抛光片的表面平整度和直观描述硅片表面的轮廓形貌。

适用范围：本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片和外延片（简称硅片）厚度和总厚度变化的分立式和扫描式测量方法。本标准适用于符合GB/T 12964、GB/T 12965、GB/T 14139规定的尺寸的硅片的厚度和总厚度变化的测量。在测试仪器允许的情况下，本标准也可用于其他规格硅片的厚度和总厚度变化的测量。

适用范围：GB/T 6730的本部分规定了用自动电位滴定法测定铁矿石中全铁含量的方法。 本部分适用于铜、钒、锰含量分别小于0.1％的天然铁矿、铁精矿和造块，包括烧结产品中全铁含量的测定。测定范围（质量分数）：40%～70%。

适用范围：本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片（以下简称硅片）翘曲度的非接触式测试方法。本标准适用于测量直径大于50 mm，厚度大于180 μm的圆形硅片。本标准也适用于测量其他半导体圆片的翘曲度。本测试方法的目的是用于来料验收或过程控制。本测试方法也适用于监视器件加工过程中硅片翘曲度的热化学效应。

适用范围：本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。 本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率，测量范围:10-3 Ω·cm～102 Ω·cm。