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  • GB/T 6730.65-2009 铁矿石 全铁含量的测定 三氯化钛还原重铬酸钾滴定法(常规方法) 现行
    译:GB/T 6730.65-2009 Iron ores—Determination of total iron content—Titanium(Ⅲ) chloride reduction potassium dichromate titration methods(routine methods)
    适用范围:GB/T 6730的本部分规定了三氯化钛还原重铬酸钾滴定法测定全铁含量的方法(常规方法)。 本部分适用于天然铁矿石、铁精矿和块矿,包括烧结矿、球团矿中全铁含量的测定。测定范围(质量分数):25%~72%。
    【国际标准分类号(ICS)】 :73.060.10铁矿 【中国标准分类号(CCS)】 :D31铁矿
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-05-01
  • GB/T 6621-2009 硅片表面平整度测试方法 现行
    译:GB/T 6621-2009 Testing methods for surface flatness of silicon slices
    适用范围:本标准规定了用电容位移传感器测定硅抛光片平整度的方法,切割片、研磨片、腐蚀片也可参考此方法。 本标准适用于测量标准直径76 mm、100 mm、125 mm、150 mm、200 mm,电阻率不大于200 Ω·cm厚度不大于1 000 μm的硅抛光片的表面平整度和直观描述硅片表面的轮廓形貌。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-06-01
  • GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法 现行
    译:GB/T 6618-2009 Test method for thickness and total thickness variation of silicon slices
    适用范围:本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片和外延片(简称硅片)厚度和总厚度变化的分立式和扫描式测量方法。本标准适用于符合GB/T 12964、GB/T 12965、GB/T 14139规定的尺寸的硅片的厚度和总厚度变化的测量。在测试仪器允许的情况下,本标准也可用于其他规格硅片的厚度和总厚度变化的测量。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-06-01
  • GB/T 6624-2009 硅抛光片表面质量目测检验方法 现行
    译:GB/T 6624-2009 Standard method for measuring the surface quality of polished silicon slices by visual inspection
    适用范围:本标准规定了在一定光照条件下,用目测检验单晶抛光片(以下简称抛光片)表面质量的方法。 本标准适用于硅抛光片表面质量检验。外延片表面质量目测检验也可参考本方法进行。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-06-01
  • GB/T 6619-2009 硅片弯曲度测试方法 现行
    译:GB/T 6619-2009 Test methods for bow of silicon wafers
    适用范围:本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片(以下简称硅片)弯曲度的接触式测量方法。 本标准适用于测量直径不小于25 mm,厚度为不小于180 μm,直径和厚度比值不大于250的圆形硅片的弯曲度。本测试方法的目的是用于来料验收和过程控制。本标准也适用于测量其他半导体圆片弯曲度。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-06-01
  • GB/T 6412-2009 家庭用煤及炉具试验方法 现行
    译:GB/T 6412-2009 Test method for household coal and stoves
    适用范围:本标准规定了家庭用煤及以煤为燃料的家庭炉具性能评定过程中所用到的术语和定义、符号,性能评价的试验原理及测试指标、试验条件、试验程序及试验结果的计算和评定方法。 本标准适用于测定家庭用煤及以煤为燃料的家庭炉具(以下简称炉具)的性能指标。
    【国际标准分类号(ICS)】 :73.040煤 【中国标准分类号(CCS)】 :D20/29固体燃料矿
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-04-01
  • GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 现行
    译:GB/T 6617-2009 Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe
    适用范围:本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。 本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率,测量范围:10-3 Ω·cm~102 Ω·cm。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-06-01
  • GB/T 6620-2009 硅片翘曲度非接触式测试方法 现行
    译:GB/T 6620-2009 Test method for measuring warp on silicon slices by noncontact scanning
    适用范围:本标准规定了硅单晶切割片、研磨片、抛光片(以下简称硅片)翘曲度的非接触式测试方法。本标准适用于测量直径大于50 mm,厚度大于180 μm的圆形硅片。本标准也适用于测量其他半导体圆片的翘曲度。本测试方法的目的是用于来料验收或过程控制。本测试方法也适用于监视器件加工过程中硅片翘曲度的热化学效应。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-06-01
  • GB/T 6730.67-2009 铁矿石 砷含量的测定 氢化物发生原子吸收光谱法 现行
    译:GB/T 6730.67-2009 Iron ores—Determination of arsenic content—Hydride generation atomic absorption spectrometric method
    适用范围:GB/T 6730的本部分规定了用氢化物发生-原子吸收分光光谱法测定铁矿石中砷含量的方法。本部分适用于天然铁矿、铁精矿和造块,包括烧结产品中砷含量的测定。测定范围(质量分数):0.000 05%~0.1%。
    【国际标准分类号(ICS)】 :73.060.10铁矿 【中国标准分类号(CCS)】 :D31铁矿
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-05-01
  • GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 被代替
    译:GB/T 6616-2009 Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge
    适用范围:本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径或边长大于25 mm、厚度为0.1 mm~1 mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片(简称硅片)的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时,衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1 000倍。 硅片电阻率和薄膜薄层电阻测量范围分别为1.0×10-3 Ω·cm~2×102 Ω·cm和2×103 Ω/~3×103 Ω/。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-06-01