适用范围：本标准规定了半导体集成电路快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能测试的基本方法。 本标准适用于半导体集成电路领域中快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能的测试。

适用范围：为了给设备的电气特性分析提供标准，需要考虑以下条目从而使得集成电路的输入信号、输出信号、电源、地端口的电气模型标准化：a)在已有标准基础上进行标准化以解决目前存在的问题以及扩大分析能力。b)为电子电路定义更多灵活的描述规则，以提供更准确的PCB分析。c)引入建模等级概念，为每一个应用提供相关数据。d)完善封装和模块的电气模型。

适用范围：本标准规定了半导体集成电路 低电压差分信号（LVDS，low voltage differential signaling）电路（以下称为“器件”）静态参数、动态参数测试方法的基本原理。本标准适用于低电压差分信号电路静态参数、动态参数的测试。

适用范围：本标准规定了双极、MOS、结型场效应半导体集成电路模拟开关(以下称为器件)参数测试方法。本标准适用于半导体集成电路模拟开关，也适用于多路转换器参数的测试。

适用范围：本标准规定了串行与非（NAND）型快闪存储器（以下称为器件）的物理接口、存储阵列架构、指令定义和参数表说明等。本标准适用于串行NAND型快闪存储器的设计和使用。

适用范围：本标准规定了电压调整器(以下称为器件)参数测试方法。本标准适用于半导体集成电路领域中电压调整器参数的测试。

适用范围：本标准规定了串行或非（NOR)型快闪存储器（以下称为器件)的物理接口、存储阵列架构、指令定义和参数表说明等。本标准适用于地址为24位的串行NOR型快闪存储器的设计和使用。

适用范围：本标准规定了半导体集成电路电平转换器（以下称为器件）功能、静态参数和动态参数的测试方法。本标准适用于半导体集成电路电平转换器功能、静态参数和动态参数的测试。

适用范围：本标准规定了非易失性存储器耐久和数据保持试验的方法。本标准适用于电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪存储器(Flash)以及内嵌上述存储器的集成电路(以下简称器件)。

适用范围：范围:本标准规定了集成电路塑料封装的四边引线扁平封装（PQFP）的术语及定义、结构及外形尺寸、封装材料、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输和贮存; 主要技术内容:本标准规定了集成电路塑料封装的四边引线扁平封装（PQFP）的术语及定义、结构及外形尺寸、封装材料、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输和贮存，适用于PQFP系列封装

适用范围：本标准规定了纳米尺度相变存储单元读写擦参数的晶圆测试规范，其测试结果可用于表征相变存储材料或器件的电学可操作性能。本标准适用于以硫系化合物为主要原料，基于半导体晶圆工艺加工制造的电极尺度小于100 nm的相变存储单元，100 nm～300 nm的相变存储单元也可参照本标准执行。本标准不适用于包含外围驱动电路的存储单元。

适用范围：本标准规定了半导体集成电路小外形封装(SOP)引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检验规则。 本标准适用于半导体集成电路小外形封装冲制型引线框架。

适用范围：本标准规定了半导体集成电路塑料四面引线扁平封装引线框架（以下简称引线框架）的技术要求及检验规则。 本标准适用于半导体集成电路塑料四面引线扁平封装冲制型引线框架。塑料四面引线扁平封装刻蚀引线框架也可参照使用。

适用范围：本标准规定了半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架(以下简称引线框架)的技术要求及检验规则。本标准适用于双列(DIP)冲制型引线框架。单列冲制型引线框架亦可参照使用。

适用范围：本标准规定了半导体集成电路塑料有引线片式载体（PLCC）封装引线框架（以下简称引线框架）的技术要求及检验规则。 本标准适用于半导体集成电路塑料有引线片式载体（PLCC）封装引线框架的研制、生产和采购。