国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
29 电气工程
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
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译:GB/T 4587-2023 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 7:Bipolar transistors适用范围:本文件给出了下列几种类型双极型晶体管(微波晶体管除外)的有关要求:--小信号晶体管(开关和微波用除外);--线性功率晶体管(开关、高频和微波用除外);--放大和振荡用高频功率晶体管;--高速开关和电源开关用开关晶体管;--电阻偏置晶体管。【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-09-07 | 实施时间: 2024-04-01收藏 -
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译:GB/T 21039.1-2007 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 4-1:Microwave diodes and transistors—Microwave field effect transistors—Blank detail specification适用范围:本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一,并应与下列国家标准一起使用。【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L41半导体二极管发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2007-06-29 | 实施时间: 2007-11-01收藏 -
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译:GB/T 6217-1998 Semiconductor devices-Discrete devices Part 7:Bipolar transistors Section One-Blank detail specification for ambient-rated bipolar transistors for low and high frequency amplification【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1998-11-17 | 实施时间: 1999-06-01收藏 -
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译:GB/T 7576-1998 Semiconductor devices—Discrete devices Part 7:Bipolar transistors Section Four—Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for high-frequency amplification【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1998-11-17 | 实施时间: 1999-06-01收藏 -
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译:GB/T 6219-1998 Semiconductor devices-Discrete devices Part 8:Field-effect transistors Section One-Blank detail specification for singe-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1998-11-17 | 实施时间: 1999-06-01收藏 -
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译:GB/T 6218-1996 Blank detail specification for bipolar transistors for switching applications【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1996-07-09 | 实施时间: 1997-01-01收藏 -
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译:GB/T 16468-1996 Series programmes for static induction transistors【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L44场效应器件发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1996-07-09 | 实施时间: 1997-01-01收藏 -
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译:GB/T 7577-1996 Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for low-frequency amplification【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1996-07-09 | 实施时间: 1997-01-01收藏 -
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译:GB/T 12300-1990 Test methods of safe operating area for power transistors【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1990-01-10 | 实施时间: 1990-08-01收藏 -
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译:GB/T 9432-1988 Blank detail specification for industrial heating tetrode【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L36收、发信管发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1988-06-23 | 实施时间: 1989-02-01收藏 -
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译:GB/T 6256-1986 Blank detail specification for industrial heating triodes【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L42半导体三极管发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1986-04-14 | 实施时间: 1987-04-01收藏