国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
31 电子学
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
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现行
译：GB/T 31474-2015 Soldering fluxes for high-quality interconnections in electronics assembly适用范围：本标准规定了电子装联用高质量内部互连用助焊剂（简称助焊剂）的分类、技术要求、试验方法、检测规则和产品的标识、包装、运输、储存。 本标准主要适用于印制板组装及电气和电子电路接点锡焊用助焊剂。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H21金属物理性能试验方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2015-05-15 | 实施时间： 2016-01-01收藏 -
现行
译：GB/T 31476-2015 Requirements for solders for high-quality interconnections in electronics assembly适用范围：本标准规定了电子装联高质量内部互连用焊料的分类、技术要求、试验方法、检验规则和产品的标志、包装、运输、储存。 本标准适用于电子产品组装中钎焊连接用的焊料，包括含铅焊料、无铅焊料和特殊焊料。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H21金属物理性能试验方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2015-05-15 | 实施时间： 2016-01-01收藏
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现行
译：GB/T 31475-2015 Requirements for solder paste for high-quality interconnections in electronics assembly适用范围：本标准规定了电子装联高质量内部互连用焊锡膏（简称焊锡膏)的分类、技术要求、试验方法、检验规则和产品的标志、包装、运输、储存。 本标准适用于表面组装元器件和电子电路互连时软钎焊所使用的焊锡膏。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H21金属物理性能试验方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2015-05-15 | 实施时间： 2016-01-01收藏
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被代替
译：GB/T 1555-1997 Test methods for determining the orientation of a semiconductor single crystal【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H21金属物理性能试验方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1997-12-22 | 实施时间： 1998-08-01收藏
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被代替
译：GB/T 17170-1997 Test method for deep level EL2 concentration of undoped semi-insulating monocrystal gallium arsenide by measurement infrared absorption method【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H21金属物理性能试验方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1997-12-22 | 实施时间： 1998-08-01收藏
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被代替
译：GB/T 1558-1997 Test method for substitutional atomic carbon content of silicon by infrared absorption【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H21金属物理性能试验方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1997-12-22 | 实施时间： 1998-08-01收藏
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废止
译：GB/T 17169-1997 Test method for the surface quality of polished silicon wafers and epitaxial wafers by optical-reflection【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H24金相检验方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1997-12-22 | 实施时间： 1998-08-01收藏
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被代替
译：GB/T 16596-1996 Specification for establishing a wafer coordinate system【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H21金属物理性能试验方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1996-11-04 | 实施时间： 1997-04-01收藏
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被代替
译：GB/T 6618-1995 Test method for thickness and total thickness variation of silicon slices【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H21金属物理性能试验方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1995-04-18 | 实施时间： 1995-12-01收藏
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被代替
译：GB/T 6616-1995 Test method for measuring resistivity of semiconductor silicon or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gage【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H21金属物理性能试验方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1995-04-18 | 实施时间： 1995-12-01收藏
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被代替
译：GB/T 6619-1995 Test methods for bow of silicon slices【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H21金属物理性能试验方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1995-04-18 | 实施时间： 1995-12-01收藏
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被代替
译：GB/T 6621-1995 Test methods for surface flatness of silicon polished slices【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H21金属物理性能试验方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1995-04-18 | 实施时间： 1995-12-01收藏
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被代替
译：GB/T 14847-1993 Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H21金属物理性能试验方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1993-12-24 | 实施时间： 1994-09-01收藏
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被代替
译：GB/T 14141-1993 Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H21金属物理性能试验方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1993-02-06 | 实施时间： 1993-10-01收藏
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被代替
译：GB/T 14142-1993 Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon by etching techniques【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H26金属无损检验方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1993-02-06 | 实施时间： 1993-10-01收藏
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被代替
译：GB/T 13389-1992 Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped and phosphorus-doped silicon【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H21金属物理性能试验方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1992-02-19 | 实施时间： 1992-10-01收藏
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被代替
译：GB/T 13388-1992 Method for measuring crystallographic orientation of flats on single crystal silicon slices and wafers by X-ray techniques【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H21金属物理性能试验方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 1992-02-19 | 实施时间： 1992-10-01收藏
现行
现行
现行
被代替
被代替
被代替
废止
被代替
被代替
被代替
被代替
被代替
被代替
被代替
被代替
被代替
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