19 试验
65 农业
77 冶金
  • DB13/T 6033-2024 半导体器件低浓度氢效应试验方法 现行
    译:DB13/T 6033-2024 Test method for low concentration hydrogen effect of semiconductor devices
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-DB13)河北省地方标准 | 发布时间: 2024-10-28 | 实施时间: 2024-11-28
  • DB13/T 5696-2023 基于高温反偏试验的GaN HEMT 射频功率器件缺陷快速筛选方法 现行
    译:DB13/T 5696-2023 The rapid screening method for defects in GaN HEMT RF power devices based on high-temperature reverse bias testing
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-DB13)河北省地方标准 | 发布时间: 2023-05-06 | 实施时间: 2023-06-06
  • DB13/T 5695-2023 GaN HEMT 射频器件陷阱效应测试方法 现行
    译:DB13/T 5695-2023 The testing method for trap effect of GaN HEMT RF device
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-DB13)河北省地方标准 | 发布时间: 2023-05-06 | 实施时间: 2023-06-06