国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
29 电气工程
31 电子学
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
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译：GB/T 1558-2023 Test method for substitutional carbon content in silicon by infrared absorption适用范围：本文件描述了硅中代位碳原子含量的红外吸收测试方法。 本文件适用于电阻率大于3 Ω·cm的p型硅单晶片及电阻率大于1 Ω·cm的n型硅单晶片中代位碳原子含量的测试(室温下测试范围：5×1015 cm-3至硅中碳原子的最大固溶度；温度低于80 K时测试范围：不小于5×1014 cm-3)。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2023-12-28 | 实施时间： 2024-07-01收藏 -
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译：GB/T 24582-2023 Test method for measuring surface metal impurity content of polycrystalline silicon—Acid extraction-inductively coupled plasma mass spectrometry method适用范围：本文件描述了用酸从多晶硅表面浸取金属杂质，并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面金属杂质含量的方法。本文件适用于太阳能级多晶硅和电子级多晶硅表面碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镍、铜、锌、铝等杂质元素含量的测定，测定范围为0.01 ng/g。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2023-08-06 | 实施时间： 2024-03-01收藏
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译：GB/T 35306-2023 Determination of carbon and oxygen content in single crystal silicon—Low temperature fourier transform infrared spectrometry method适用范围：本文件描述了采用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧含量的方法。 本文件适用于室温电阻率大于1 Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于3 Ω·cm的p型硅单晶中代位碳、间隙氧含量的测定，测定范围(以原子数计)为2.5×1014 cm-3~1.5×1017 cm-3。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2023-08-06 | 实施时间： 2024-03-01收藏
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译：GB/T 42276-2022 Determination of fluorine ion and chloride ion in silicon nitride powder—Ion chromatography method适用范围：本文件描述了氮化硅粉体中氟离子和氯离子含量的离子色谱测定方法。本文件适用于氮化硅粉体中氟离子和氯离子含量的测定，测试范围为0.050 0 mg/g～0.600 mg/g。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2022-12-30 | 实施时间： 2023-04-01收藏
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译：GB/T 42263-2022 Determination of nitrogen content in silicon single crystal—Secondary ion mass spectrometry method适用范围：本文件描述了硅单晶中氮含量的二次离子质谱测试方法。本文件适用于硼、锑、砷、磷的掺杂浓度小于1×1020 cm-3（0.2%）的硅单晶中氮含量的测定，测定范围不小于1×1014 cm-3。注： 硅单晶中氮含量以每立方厘米中的原子数计。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2022-12-30 | 实施时间： 2023-04-01收藏
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译：GB/T 42274-2022 Determination of the content and distribution of trace elements (magnesium,gallium) in aluminum nitride materials—Secondary ion mass spectrometry适用范围：本文件描述了氮化铝单晶中痕量镁和镓含量及分布的二次离子质谱测试方法。 本文件适用于氮化铝单晶中痕量镁和镓含量及分布的定量测定，测定范围为镁、镓的含量均不小于1×1016 cm-3，元素含量（原子个数百分比）不大于1%。 注：氮化铝单晶中待测元素的含量以每立方厘米中的原子个数计。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2022-12-30 | 实施时间： 2023-04-01收藏
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译：GB/T 37211.3-2022 Method for chemical analysis of metal germanium—Part 3:Determination of trace impurity elements content—Glow discharge mass spectrometry适用范围：本文件规定了辉光放电质谱法测定金属锗中痕量杂质元素含量的方法。本文件适用于金属锗中痕量杂质元素含量的测定，测定范围为0.001 mg/kg～2 mg/kg。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2022-12-30 | 实施时间： 2023-04-01收藏
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译：GB/T 24581-2022 Test method for Ⅲ and Ⅴ impurities content in single crystal silicon—Low temperature FT-IR analysis method适用范围：本文件描述了用低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的方法。 本文件适用于硅单晶中的Ⅲ、Ⅴ族杂质铝（Al)、锑（Sb)、砷（As)、硼（B)、镓（Ga)、铟（In)和 磷（P)含量的测定，各元素的测定范围（以原子数计)为1.0×10 10 cm -3～4.1×10 14 cm -3【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2022-03-09 | 实施时间： 2022-10-01收藏
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译：GB/T 41153-2021 Determination of boron,aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry适用范围：本文件规定了碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的二次离子质谱测试方法。本文件适用于碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的定量分析，测定范围为硼含量不小于5×1013 cm-3、铝含量不小于5×1013 cm-3、氮含量不小于5×1015 cm-3，元素浓度(原子个数百分比)不大于1%。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2021-12-31 | 实施时间： 2022-07-01收藏
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译：GB/T 39144-2020 Test method for magnesium content in gallium nitride materials—Secondary ion mass spectrometry适用范围：本标准规定了氮化镓材料中镁含量的二次离子质谱测试方法。 本标准适用于氮化镓材料中镁含量的定量分析，测定范围为不小于5×1014 cm-3。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2020-10-11 | 实施时间： 2021-09-01收藏
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译：GB/T 39145-2020 Test method for the content of surface metal elements on silicon wafers—Inductively coupled plasma mass spectrometry适用范围：本标准规定了电感耦合等离子体质谱法测定硅片表面金属元素含量的方法。 本标准适用于硅单晶抛光片和硅外延片表面痕量金属钠、镁、铝、钾、钙、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌元素含量的测定，测定范围为108 cm-2～1013 cm-2。本标准同时也适用于硅退火片、硅扩散片等无图形硅片表面痕量金属元素含量的测定。 注:硅片表面的金属元素含量以每平方厘米的原子数计。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2020-10-11 | 实施时间： 2021-09-01收藏
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译：GB/T 38976-2020 Test method for the oxygen concentration in silicon materials—Inert gas fusion infrared detection method适用范围：本标准规定了采用惰性气体熔融及红外技术测试硅材料中氧含量的方法。 本标准适用于不同导电类型、不同电阻率范围的硅单晶、多晶硅中氧含量的测试，测试范围为2.5×1015 cm-3（0.05 ppma)～2.5×1018 cm-3（50 ppma)。 注： 硅材料中的氧含量以每立方厘米中的原子数计。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2020-07-21 | 实施时间： 2021-06-01收藏
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译：GB/T 14849.3-2020 Methods for chemical analysis of silicon metal—Part 3:Determination of calcium content适用范围：GB/T 14849的本部分规定了工业硅中钙含量的测定方法。 本部分适用于工业硅中钙含量的测定，测定范围为：0.005 0%～0.55%。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.30金属材料化学分析 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2020-03-06 | 实施时间： 2021-02-01收藏
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译：GB/T 14849.1-2020 Methods for chemical analysis of silicon metal—Part 1:Determination of iron content适用范围：GB/T 14849的本部分规定了工业硅中铁含量的测定方法。 本部分适用于工业硅中铁含量的测定。测定范围为：0.050%～0.75%。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.30金属材料化学分析 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2020-03-06 | 实施时间： 2021-02-01收藏
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译：GB/T 37385-2019 Test method for chloride content of silicon—Ion chromatography method适用范围：本标准规定了硅中氯离子含量的离子色谱测定方法。 本标准适用于测定棒状、块状、颗粒状和片状硅中氯离子含量的测定。测定范围为1.0 μg/g至硅中氯离子的最大固溶度。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2019-03-25 | 实施时间： 2020-02-01收藏
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译：GB/T 37211.2-2018 Methods for chemical analysis of germanium metal—Part 2:Determination of aluminium,iron,copper,nickle,lead,cadmium,magnesium,cobalt,indium,zinc content—Inductively coupled plasma mass spectrometry method适用范围：GB/T 37211的本部分规定了还原锗锭、还原锗粉、区熔锗锭及其废料、锗单晶及其废料等锗金属中铝、铁、铜、镍、铅、钙、镁、钴、铟、锌含量的测定方法。 本部分适用于金属锗中杂质元素铝、铁、铜、镍、铅、钙、镁、钴、铟、锌等含量的测定。测定范围：0.005×10-4%～1.00×10-4%。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2018-12-28 | 实施时间： 2019-11-01收藏
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译：GB/T 4059-2018 Test method for phosphorus content in polycrystalline silicon by zone-melting method under controlled atmosphere适用范围：本标准规定了多晶硅中基磷含量的检验方法。本标准适用于在硅芯上沉积生长的多晶硅棒中基磷含量（原子数)的测定，测定范围为0.01×1013 cm-3～500×1013 cm-3。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2018-12-28 | 实施时间： 2019-11-01收藏
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译：GB/T 37049-2018 Test method for the content of metal impurity in electronic grade polysilicon—Inductively coupled-plasma mass spectrometry method适用范围：本标准规定了电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS)测定电子级多晶硅中痕量基体金属杂质含量的方法。 本标准适用于GB/T 12963中在基体金属杂质小于5 ng/g范围内铁、铬、镍、铜、锌、钠含量的测定。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040.30金属材料化学分析 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2018-12-28 | 实施时间： 2019-04-01收藏
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译：GB/T 37211.1-2018 Methods for chemical analysis of germanium metal—Part 1:Determination of arsenic content—Arsenic stain method适用范围：GB/T 37211的本部分规定了还原锗锭、还原锗粉、区熔锗锭及其废料、锗单晶及其废料等锗金属中杂质元素砷含量的测定方法。 本部分适用于锗金属中杂质元素砷含量的测定。测定范围：0.1×10-4 %～1.0×10-4 %。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2018-12-28 | 实施时间： 2019-11-01收藏
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译：GB/T 1557-2018 Test method for determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption适用范围：本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶晶体中间隙氧含量的方法。本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的P型硅单晶中间隙氧含量的测定。以常温红外设备测试时，氧含量（原子数）测试范围从1×1016 cm－3到硅中间隙氧的最大固溶度；以低温红外设备测试时，氧含量(原子数)的测试范围从0.5×1015 cm-3到硅中间隙氧的最大固溶度。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.040金属材料试验 【中国标准分类号(CCS)】 ：H17半金属及半导体材料分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2018-09-17 | 实施时间： 2019-06-01收藏
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