适用范围：本文件描述了应用透射电子显微镜/扫描透射电子显微镜（TEM/STEM)技术测定金属材料中纳米级第二相颗粒数密度的方法。 本文件适用于测定金属材料中弥散分布、粒径在几纳米至几十纳米范围的第二相颗粒的数密度。被测颗粒的平均尺寸宜在透射电镜试样厚度的约1/3以下，且试样中的颗粒在透射电镜图像上没有互相重叠或很少重叠。颗粒尺寸不在这个范围的试样可参照执行，其他晶体材料可参照执行。 本方法不适于测定聚集成团的第二相颗粒的数密度。 注1:可测定的最小颗粒尺寸取决于所用TEM/STEM设备的分辨率和采用的实验技术。 注2:待测定的第二相颗粒尺寸通常在5 nm~40 nm范围。 注3:TEM图像上若出现第二相颗粒重叠的情况，将增大颗粒计数的不确定度。

适用范围：本文件规定了用透射电子显微镜/扫描透射电子显微镜(TEM/STEM)测定集成电路芯片中功能薄膜层厚度的方法。本文件适用于测定几个纳米以上厚度的集成电路芯片中功能薄膜层。

适用范围：本文件描述了用透射电子显微术测定线状晶体表观生长方向的方法。 本文件适用于通过各种方法制备的所有种类的线状晶体材料，也适用于测定在钢、合金和其他材料中析出的类似于棒状或多边形第二相颗粒的一个轴的方向。受透射电子显微镜（TEM)的加速电压和样品自身等条件的制约，本文件适用于直径（或厚度或宽度)为几十纳米到一百纳米左右的晶体材料。本文件不适用于测定折叠、扭曲、旋转状态的线状晶体。 注： 在本文件中，线状晶体、带状晶体、针状第二相颗粒等均属于广义上的线状晶体。

适用范围：本文件规定了用层状材料截面像所记录的两种不同材料之间平均界面位置的测定方法。本文件适用于透射电子显微镜（TEM）或扫描透射电子显微镜（STEM）所记录的层状材料截面像和X射线能谱仪（EDS）或者电子能量损失谱仪（EELS）所记录的截面元素面分布图。也适用于由数码相机、电脑存储器和成像板图像传感器所采集的数字像以及胶片记录的模拟像经扫描仪转换的数字像。本文件不适用于测定多层模拟法（MSS）获得的界面位置。

适用范围：本标准规定了用电子探针测定碳钢和低合金钢（铁质量分数大于95%）中硅、锰含量的校准曲线法。本标准适用于电子探针波谱仪，不适用于能谱仪。带波谱仪的扫描电镜可以参照使用。

适用范围：本标准规定了表征以半导体探测器、前置放大器和信号处理系统为基本构成的X射线能谱仪(EDS)特性最重要的量值。本标准仅适用于固态电离作用原理的半导体探测器EDS。本标准只规定了与电子探针(EPMA)或扫描电镜(SEM)联用的此类EDS的最低要求,至于如何实现分析则不在本标准的规定范围之内。

适用范围：为使俄歇电子能谱、X射线光电子能谱和二次离子质谱的仪器设定达到深度分辨的优化目的，本标准采用适当的单层和多层膜系参考物质，提供优化溅射深度剖析参数的指南。 特殊多层膜系（如各种掺杂层膜系）的使用不包括在本标准内。

适用范围：本标准详细说明了用标定的均匀掺杂物质（用注入硼的参考物质校准）确定单晶硅中硼的原子浓度的二次离子质谱方法。它适用于均匀掺杂硼浓度范围从1×10 16 atoms/cm 3~1×10 20 atoms/cm3。