适用范围：本文件提供了在商用碳化硅（SiC）同质外延片产品上缺陷光学检测的定义和方法。主要是通过给出这些缺陷的光学图像示例，为SiC同质外延片上缺陷的光学检测提供检测和分类的依据。 本文件主要论述缺陷的无损表征方法，因此有损表征例如湿法腐蚀等不包含在本文件范围内。

适用范围：本文件提供了商用碳化硅(4H-SiC)同质外延片生长缺陷光致发光检测的定义和方法。主要是通过光致发光图像示例和发射光谱示例，为SiC同质外延片上缺陷的光致发光检测提供检测和分类的依据。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了钠离子电池用电解液的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、 运输和储存。本文件适用于由电解质钠盐、溶剂等组成的钠离子电池电解液

适用范围：范围:本文件规定了道路车辆用被动电子元件的工作温度范围及等级、技术要求、试验方法、检验规则等内容。 本文件适用于道路车辆用被动电子元件，包括安装在车辆内部特定位置的系统或组件内的元件; 主要技术内容:5.1 通用要求5.1.1 外观检查应力测试前后应检查元件/组件的结构、标识和工艺质量，标识应清晰可见，结构和工艺质量应符合产品详细规范中规定。通过外观检查和6.1.1的试验来检验其是否符合要求。5.1.2 物理尺寸物理尺寸测量结果应符合产品详细规范中规定。通过6.1.2的试验来检验其是否符合要求。5.1.3 电性能参数测试除有特殊说明无需进行电性能参数测试的，其他所有应力测试前后均应进行电性能参数测试。测量值的偏差和变化率等不应超过产品详细规范中规定。通过6.1.3的试验来检验其是否符合要求。5.2 气候环境应力要求5.2.1 高温存储此试验是模拟元件/组件在高温环境下贮存、运输或使用的能力。样品经受6.2.1试验后，进行外观检查及电性能参数测试。外观检查应符合产品详细规范中规定，电性能参数测量值的变化率等不应超过产品详细规范中规定。5.2.2 高温工作寿命此试验是模拟元件/组件在上限类别温度工作状态下的寿命试验。样品经受6.2.2试验时间1000 h后，进行外观检查及电性能参数测试。外观检查应符合产品详细规范中规定，电性能参数测量值的变化率等不应超过产品详细规范中规定。5.2.3 温度变化此试验是验证元件/组件耐受环境温度快速变化的能力。样品经受6.2.3试验后，在1000次循环后进行外观检查及电性能参数测试。外观检查应符合产品详细规范中规定，电性能参数测量值的变化率等不应超过产品详细规范中规定。5.2.4 温度湿度组合循环此试验是验证元件/组件在高温、高湿条件劣化作用下的耐受性能，加速元件/组件失效过程。样品经受6.2.4试验后，允许其在标准大气压条件下恢复，时长按照分规范或相应产品详细规范中规定，恢复后进行外观检查和电性能参数测试。外观检查应符合产品详细规范中规定，电性能参数测量值的变化率等不应超过产品详细规范中规定。5.2.5 恒定湿热（加电偏置）此试验是模拟元件/组件用于高湿条件下贮存、运输和使用时的适应性，验证样品在规定时间内恒定温度、无凝露的高湿环境对试验样品的影响，或者以加速方式验证样品耐湿热劣化效应性能，通常需T/CQAE 21001—20233要

适用范围：本文件规定了厚膜集成电路用银钯导体浆料的产品分类、技术要求、检验方法、检验规则及包装、标志、运输、贮存。本文件适用于由导电相、玻璃相、有机载体以及添加剂组成的能满足印刷特性的厚膜集成电路用银钯导体浆料(以下简称：银钯导体浆料)。

适用范围：本文件规定了片式电阻器用低温固化包封浆料的技术要求、检验方法、检验规则及包装、标志、运输、贮存。 本文件适用于由功能填料、有机载体以及添加剂组成的能满足印刷特性的片式电阻器用低温固化包封浆料（以下简称：低温固化包封浆料）。

适用范围：本文件规定了半导体显示用高碱浓度负胶显影液的缩略语、技术要求、检验方法、检验规则、标志及包装、运输、贮存和安全事项。本文件适用于由氢氧化钾、表面活性剂和水组成，其中氢氧化钾的质量百分比大于8%的半导体显示用高碱浓度负胶显影液。此半导体显示用高碱浓度负胶显影液主要用于半导体制程中负性光刻胶的显影，及薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)或有机发光二极管显示器(OLED)彩膜工艺光刻胶的显影。

适用范围：本文件规定了印制板与印制板组装件平整度控制的要求。本文件适用于刚性印制板与刚性印制板组装件(组装件)设计、制造与使用中平整度的控制。

适用范围：本文件规定了适用于电子组装件焊接的返工、改装和返修的内容和工艺要求。 本文件适用于将元器件与印制板和最终产品相关部件连接的电子组装件焊接制造过程中的返工、改装和返修，也适用于混合安装技术产品组装中的相关作业活动。 本文件也包括与返工相关的设计内容的指南。 注：在不引起混淆的情况下，本文件中的“返工操作”适用于返工、改装和返修。仅适用于返工的操作会以“返工操作（仅适用返工）”表示。

适用范围：范围:本文件规定了激光照明用稀土激光荧光陶瓷的表面形貌热稳定性、光致发光性能热稳定性的性能指标和测定方法。 本文件适用于激光照明用稀土激光荧光陶瓷的表面形貌热稳定性、光致发光性能热稳定性的评价和测定; 主要技术内容:4.1 测试安全要求a)测量时应按GB 7247.1 的要求采取激光安全防护措施；b)激光器配套的电系统应符合GB/T10320 的规定。4.2 被测荧光陶瓷样品要求除特殊要求外，样品应满足以下要求：a)端面表面疵病质量根据GB/T1185，应符合：麻点B/0.8D0 ×0.05，划痕  C/2D0 ×0.01（D0为样品直径，单位为mm)；b)端面应清洁，无影响测量的灰尘和挡光污渍。4.3 环境要求测量时环境应满足下面要求：a)无明显的振动、气流、烟尘、杂散光及电磁干扰；b)环境照度：在较暗环境下，避免强光干扰；c)防静电

适用范围：范围:本文件规定了激光照明用稀土荧光陶瓷可靠性性能的一般试验方法。 本文件适用于激光照明用稀土荧光陶瓷的可靠性性能试验，为了进行产品可靠性的验证，可根据产品的特性和使用环境，选择本标准中适宜的可靠性试验项目; 主要技术内容:4.1测试安全要求a)测量时应按GB 7247.1 的要求采取激光安全防护措施；b)激光器配套的电系统应符合GB/T10320 的规定。4.2被测荧光陶瓷样品要求除特殊要求外，样品应满足以下要求：a)端面表面疵病质量根据GB/T 1185，应符合：麻点B/0.8D0 ×0.05，划痕  C/2D0 ×0.01（D0为样品直径，单位为mm)；b)端面应清洁，无影响测量的灰尘和挡光污渍。4.3 环境要求测量时环境应满足下面要求：a)无明显的振动、气流、烟尘、杂散光及电磁干扰；b)环境照度：在较暗环境下，避免强光干扰；c)防静电

适用范围：本文件规定了半导体制程8英寸（200 mm）12英寸（300 mm）用石英玻璃炉管的术语和定义，分类和产品结构，技术要求，试验方法，检验规则，标志、包装、贮存和运输。本文件适用于半导体扩散工艺制程8英寸（200 mm）12英寸（300 mm）用石英玻璃炉管制品，包含石英外管、石英内管、石英工艺管及石英双层管（以下简称“石英玻璃炉管”），不适用于14 nm及以下半导体制程用石英玻璃炉管。

适用范围：本文件描述了显示用发光量子点材料的效率和寿命测试方法。 本文件适用于电致发光量子点材料性能的评价。