国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
29 电气工程
31 电子学
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
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译：GB/T 31854-2015 Test method for measuring metallic impurities content in silicon materials used for photovoltaic applications by inductively coupled plasma mass spectrometry适用范围：本标准规定了利用电感耦合等离子体质谱仪(ICP—MS)测定光伏电池用硅材料中痕量体金属杂质含量的方法。 本标准适用于光伏电池用硅材料中痕量体金属杂质铁、铬、镍、铜、锌含量的测定。各元素的测量范围见表1。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2015-07-03 | 实施时间： 2016-03-01收藏 -
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译：SJ/T 11502-2015【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：SJ/T 11500-2015【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：SJ/T 11497-2015 The test method for thermal stability of gallium arsenide wafers【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：SJ/T 11495-2015 Silicon interstitial oxygen conversion factor guideline【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：SJ/T 11503-2015 The method for testing the surface roughness of a single-crystal silicon carbide polishing slice【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：SJ/T 11493-2015 The method of secondary ion mass spectrometry for measuring the nitrogen concentration in a silicon substrate【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：SJ/T 11505-2015 Ruby monocrystal polishing specification【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：SJ/T 11496-2015【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：SJ/T 11492-2015 The determination of composition of phosphorus-gallium-arsenic wafers using photoluminescence method【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：SJ/T 11487-2015 Non-contact method for measuring the resistivity of semi-insulating semiconductor wafers【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：SJ/T 11498-2015 The secondary ion mass spectrometry measurement method for oxygen concentration in heavily doped silicon substrate【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：YS/T 1061-2015 Silicon core for polysilicon by improved siemens method适用范围：本标准规定了改良西门子法生产多晶硅用硅芯的要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容等。 本标准适用于以多晶硅为原料，通过直拉法（CZ）生产硅棒再经过线切割加工或采用基座法拉制的硅芯。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：SJ/T 11504-2015 The testing method for surface quality of silicon carbide single crystal polishing wafers【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：SJ/T 11489-2015 The measurement method for the low-dislocation density indium phosphide polished surface pit density【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：SJ/T 11501-2015【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：YS/T 28-2015 Package of silicon wafers适用范围：本标准规定了硅片的包装。 本标准适用于硅单晶抛光片、外延片、SOI等硅片的洁净包装、硅单晶研磨片(简称硅研磨片)包装和太阳能电池用硅片包装使其在运输、贮存过程中避免再次沾污和破碎。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别：(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：SJ/T 11494-2015 The method for testing the photoluminescence of impurities in silicon single crystal belonging to the III-V group【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：SJ/T 11491-2015 Short-baseline infrared absorption spectroscopy method for measuring silicon interstitial oxygen content【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H82元素半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：SJ/T 11499-2015 The testing methods for the electrical properties of silicon carbide single crystal【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H83化合物半导体材料发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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