• GB/T 11093-2007 液封直拉法砷化镓单晶及切割片 现行
    译:GB/T 11093-2007 Liquid encapsulated czochralski-grown gallium arsenide single crystals and as-cut slices
    适用范围:本标准规定了液封直拉法砷化镓单晶及切割片的要求、试验方法、检验规则和标志、包装运输贮存等。 本标准适用于液封直拉法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作微波器件、集成电路、光电器件、传感元件和红外线窗口等元器件用材料。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2007-09-11 | 实施时间: 2008-02-01
  • YS/T 543-2006 半导体键合铝-1%硅细丝 废止
    译:YS/T 543-2006 Fine aluminum-1% silicon wire for semiconductor lend-bonding
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H81半金属
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2006-07-27 | 实施时间: 2006-10-11
  • GB/T 11069-2006 高纯二氧化锗 被代替
    译:GB/T 11069-2006 High purity germanium dioxide
    适用范围:本标准规定了高纯二氧化锗的要求、试验方法、检验规则和包装、标志、运输、贮存及合同内容等。 本标准适用于以高纯四氯化锗为原料,经水解、洗涤和烘干制得的高纯二氧化锗。产品供制作还原锗、有机锗、催化剂、光纤用四氯化锗、锗酸铋(BGO)晶体及化合物晶体等。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2006-07-18 | 实施时间: 2006-11-01
  • GB/T 11070-2006 还原锗锭 被代替
    译:GB/T 11070-2006 Reduced germanium ingot
    适用范围:本标准规定了还原锗锭的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、订货单(或合同)。 本标准适用于以高纯二氧化锗为原料,经氢还原法制备的锗锭。产品主要用于制备区熔锗锭。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2006-07-18 | 实施时间: 2006-11-01
  • GB/T 11071-2006 区熔锗锭 被代替
    译:GB/T 11071-2006 Zone-refined germanium ingot
    适用范围:本标准规定了区熔锗锭的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、储存等。 本标准适用于以还原锗锭及锗单晶返料为原料,经区熔提纯而制得的高纯锗锭。ZGe-0区熔锗锭主要用于制备探测器用高纯单晶,ZGe-1区熔锗锭主要用于制备半导体单晶、红外光学锗单晶、锗合金等。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2006-07-18 | 实施时间: 2006-11-01
  • GB/T 20229-2006 磷化镓单晶 被代替
    译:GB/T 20229-2006 Gallium phosphide single crystal
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2006-04-21 | 实施时间: 2006-10-01
  • GB/T 20228-2006 砷化镓单晶 被代替
    译:GB/T 20228-2006 Gallium arsenide single crystal
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2006-04-21 | 实施时间: 2006-10-01
  • GB/T 20230-2006 磷化铟单晶 被代替
    译:GB/T 20230-2006 Indium phosphide single crystal
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2006-04-21 | 实施时间: 2006-10-01
  • GB/T 12965-2005 硅单晶切割片和研磨片 被代替
    译:GB/T 12965-2005 Monocrystalline silicon as cut slices and lapped slices
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2005-09-19 | 实施时间: 2006-04-01
  • GB/T 12962-2005 硅单晶 被代替
    译:GB/T 12962-2005 Monoccrystalline silicon
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2005-09-19 | 实施时间: 2006-04-01
  • YS 68-2004 砷 被代替
    译:YS 68-2004 Arsenic
    适用范围:本标准规定了砷的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书及安全。 本标准适用于以三氧化二砷(As2O3)为原料,经升华、还原、冷却而制得的砷。该产品主要用于生产合金和半导体等行业。
    【国际标准分类号(ICS)】 :暂无 【中国标准分类号(CCS)】 :H81半金属
    发布单位或类别:(CN-YS)行业标准-有色金属 | 发布时间: 2004-06-17 | 实施时间: 2004-11-01
  • GB/T 12964-2003 硅单晶抛光片 被代替
    译:GB/T 12964-2003 Monocrystalline silicon polished wafers
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2003-06-16 | 实施时间: 2004-01-01
  • GB/T 19199-2003 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法 被代替
    译:GB/T 19199-2003 Test method for carbon concentration of semi-insulating monocrystal gallium arsenide by measurement infrared absorption method
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2003-06-16 | 实施时间: 2004-01-01
  • GB/T 8646-1998 半导体键合铝-1%硅细丝 废止转行标
    译:GB/T 8646-1998 Fine aluminum-1% silicon wire for semiconductor lend-bonding
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H81半金属
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1998-07-15 | 实施时间: 1999-02-01
  • GB/T 12963-1996 硅多晶 被代替
    译:GB/T 12963-1996 Polycrystalline silicon
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1996-11-04 | 实施时间: 1997-04-01
  • GB/T 16595-1996 晶片通用网格规范 被代替
    译:GB/T 16595-1996 Specification for a universal wafer grid
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1996-11-04 | 实施时间: 1997-04-01
  • GB/T 12962-1996 硅单晶 被代替
    译:GB/T 12962-1996 Monocrystalline silicon
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1996-11-04 | 实施时间: 1997-04-01
  • GB/T 12965-1996 硅单晶切割片和研磨片 被代替
    译:GB/T 12965-1996 Monocrystalline silicon as cut slices and lapped slices
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H82元素半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1996-11-04 | 实施时间: 1997-04-01
  • GB/T 5238-1995 锗单晶 被代替
    译:GB/T 5238-1995 Monocrystalline germanium
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H81半金属
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1995-10-17 | 实施时间: 1996-03-01
  • GB/T 15713-1995 锗单晶片 被代替
    译:GB/T 15713-1995 Monocrystalline germanium slices
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.040.20绝缘气体 【中国标准分类号(CCS)】 :H81半金属
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 1995-10-17 | 实施时间: 1996-03-01