GA/T 1091-2019 基于13.56 MHz的电子证件芯片环境适应性评测规范

GA/T 1091-2019 Specifications for evaluation of environmental adaptability of integrated circuits on 13.56 MHz in electronic certificates

行业标准-公共安全 中文简体 现行 页数:17页 | 格式:PDF

基本信息

标准号
GA/T 1091-2019
相关服务
标准类型
行业标准-公共安全
标准状态
现行
中国标准分类号(CCS)
国际标准分类号(ICS)
发布日期
2019-06-15
实施日期
2019-06-15
发布单位/组织
中华人民共和国公安部
归口单位
公安部计算机与信息处理标准化技术委员会
适用范围
本标准规定了基于13.56 MHz的电子证件芯片电气、气候、机械环境和制卡工艺匹配性的试验项目、试验方法,以及环境适应性评测规则。
本标准适用于采用13.56 MHz射频工作模式的电子证件芯片评测。

研制信息

起草单位:
公安部第一研究所
起草人:
隋洪波、周东平、肖婷婷、张文直、周鹏、韩鹏霄
出版信息:
页数:17页 | 字数:30 千字 | 开本: 大16开

内容描述

ICS35.020

A90

中华人民共和国公共安全行业标准

/—

GAT10912019

代替—

GA10912013

基于13.56MHz的电子证件芯片

环境适应性评测规范

Secificationsforevaluationofenvironmentaladatabilitof

ppy

interatedcircuitson13.56MHzinelectroniccertificates

g

2019-06-15发布2019-06-15实施

中华人民共和国公安部发布

/—

GAT10912019

目次

前言…………………………Ⅰ

1范围………………………1

2规范性引用文件…………………………1

3术语和定义………………1

4符号和缩略语……………2

5一般要求…………………2

6试验项目…………………2

6.1交变磁场……………2

6.2静电放电敏感度……………………2

6.3变化场强……………3

6.4变化频率……………4

6.5变化调制深度………………………5

6.6组合状态副载波调制信号幅度……………………5

6.7稳定性烘焙…………………………7

6.8低温存贮……………8

6.9温度循环……………8

6.10高压蒸煮……………8

6.11动态弯曲……………9

6.12动态扭曲……………9

6.13振动疲劳…………………………10

6.14冲击………………10

6.15模塑料与框架粘合强度…………10

6.16点压力……………11

6.17制卡工艺匹配性…………………11

7评测规则…………………12

7.1评测分类……………12

7.2抽样规则……………13

7.3判定规则……………13

8评测报告…………………14

/—

GAT10912019

前言

本标准按照/—给出的规则起草。

GBT1.12009

—《》,—

本标准代替GA10912013基于13.56MHz的电子证件芯片环境适应性评测规范与GA1091

2013相比主要变化如下:

———修改为推荐性标准。

———(,);

标准提出单位改为公安部治安管理局见前言2013年版的前言

———/:(,);

修改了规范性引用文件见第章年版的第章

ISOIEC10373-62016220132

———/:(,);

修改了规范性引用文件见第章年版的第章

ISOIEC14443-12016220132

———/:(,)。

修改了规范性引用文件见第章年版的第章

ISOIEC14443-22016220132

。。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任

本标准由公安部治安管理局提出。

本标准由公安部计算机与信息处理标准化技术委员会归口。

:。

本标准起草单位公安部第一研究所

:、、、、、。

本标准主要起草人隋洪波周东平肖婷婷张文直周鹏韩鹏霄

本标准所代替标准的历次版本发布情况为:

————。

GA10912013

/—

GAT10912019

基于13.56MHz的电子证件芯片

环境适应性评测规范

1范围

、、

本标准规定了基于13.56MHz的电子证件芯片电气气候机械环境和制卡工艺匹配性的试验项

、,。

目试验方法以及环境适应性评测规则

本标准适用于采用13.56MHz射频工作模式的电子证件芯片评测。

2规范性引用文件

。,

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,()。

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

/—::

电工电子产品环境试验第部分试验方法试验和导则冲击

GBT2423.519952Ea

/—()

GBT28292002周期检验计数抽样程序及表适用于对过程稳定性的检验

/—:

识别卡测试方法第部分一般特性测试

GBT17554.120061

—:

军用装备实验室环境试验方法第部分低温试验

GJB150.4A20094

—微电子器件试验方法和程序

GJB548B2005

/::(—

识别卡测试方法第部分邻近式卡

ISOIEC10373-620166IdentificationcardsTest

—:)

methodsPart6Proximitcards

y

/::(

识别卡无触点集成电路卡邻近式卡第部分物理特性

ISOIEC14443-120161Identifi-

———:)

cationcardsContactlessinteratedcircuitcardsProximitcardsPart1Phsicalcharacteristics

gyy

/::

识别卡无触点集成电路卡邻近式卡第部分射频功率和信号接

ISOIEC14443-220162

口(———:

IdentificationcardsContactlessinteratedcircuitcardsProximitcardsPart2Radiofreuencower

gyqyp

)

andsinalinterface

g

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

样品samle

p

将芯片以规定的材料和工艺封装形成的构件。

3.2

样品卡samlecard

p

,。

含有样品和天线线圈且能与射频读卡器通信的塑料卡

3.3

TeA芯片TeAinteratedcircuit

ypypg

采用/:中定义的通信协议工作的芯片。

ISOIEC14443-22016TeA

yp

3.4

TeB芯片TeBinteratedcircuit

ypypg

采用/:中定义的通信协议工作的芯片。

ISOIEC14443-22016TeB

yp

1

/—

GAT10912019

4符号和缩略语

下列符号和缩略语适用于本文件。

:。

HvA卡体短边位移

:。

HvB卡体长边位移

:。

α卡体扭转角度

:()。

RF射频RadioFreuenc

qy

5一般要求

一般要求为:

)依据评测目标选择本文件规定的试验项目;

a

)样品提供方应向评测机构提供样品通信的传输协议;

b

):,,

c本文件所述样品或样品卡读写功能测试是指先向样品或样品卡中写入数据然后读取数据

,;,

若读出数据与写入数据一致视为样品或样品卡读写功能正常否则视为样品或样品卡读写

功能异常;

),,;

d对样品测试时应先将样品连接在与其匹配的天线线圈上然后使用射频读卡器进行测试对

,;

样品卡测试时直接使用射频读卡器进行测试

)、。

e样品或样品卡读写测试失效不应包含天线失效样品卡的卡体失效

6试验项目

6.1交变磁场

6.1.1目的

确定交变磁场对样品读写功能的影响。

6.1.2试验要求

试验要求为:

)将样品封装成样品卡;

a

)频率:;

b13.56MHz

):/(),/();

c磁场强度平均10Amrms最大不超过12Amrms

)暴露时间:。

d30s

6.1.3试验方法

按照/:中的要求执行后对样品卡进行读写功能测试。

ISOIEC14443-120164.4

6.1.4失效判据

样品卡读写功能异常视为样品失效。

6.2静电放电敏感度

6.2.1目的

确定静电对样品读写功能的影响。

2

/—

GAT10912019

6.2.2试验要求

试验要求为:

):;

a电压等级不小于3000V

)放电方式:

b

)端子对端子进行放电;

112

)端子对端子进行放电;

221

)“”;

端子对底进行放电

31

)“”;

端子对底进行放电

42

)“”;

底对端子进行放电

51

)“”。

底对端子进行放电

62

):,。

放电次数及间隔每种方式放电次间隔以上

c31s

6.2.3试验方法

按照—中方法中的要求执行后对样品进行读写功能测试。

GJB548B200530153.1~3.3

6.2.4失效判据

样品读写功能异常视为失效。

6.3变化场强

6.3.1目的

确定场强变化对样品读写功能的影响。

6.3.2试验要求

试验要求为:

)将样品封装成样品卡;

a

)/:,/、/、/、

按照中规定产生场强值分别为

bISOIEC14443-220166.21.5Am3.5Am5.5Am

/的工作场;

7.5AmRF

)按照/:中和规定分别产生芯片和芯片通信信号

cISOIEC14443-220168.19.1TeATeB

ypyp

调制波形。

6.3.3试验方法

()。

在每个试验点上对样品卡进行读写功能测试见表和表

12

表1TeA芯片变化场强测试

yp

工作场强调制深度

/

Am%

1.5

3.5

100

5.5

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