GA 1091-2013 基于13.56 MHz的电子证件芯片环境适应性评测规范

ICS35.020

A90

中华人民共和国公共安全行业标准

—

GA10912013

基于13.56MHz的电子证件芯片

环境适应性评测规范

ㅤㅤㅤㅤ

Evaluationsecificationsforenvironmentaladatabilitofinteratedcircuits

ppyg

on13.56MHzinelectroniccertificates

2013-10-14发布2013-10-14实施

中华人民共和国公安部发布

—

GA10912013

基于13.56MHz的电子证件芯片

环境适应性评测规范

1范围

、、

本标准规定了基于13.56MHz的电子证件芯片电气气候机械环境和制卡工艺匹配性的试验项

、,。

目试验方法以及环境适应性评测规则

本标准适用于采用13.56MHz射频工作模式的电子证件芯片评测。

2规范性引用文件

。,

下列文件对于本文件的应用是必不可少的凡是注日期的引用文件仅注日期的版本适用于本文

。,()。

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于本文件

/—::

电工电子产品环境试验第部分试验方法试验和导则冲击

GBT2423.519952Ea

/—()

GBT28292002周期检验计数抽样程序及表适用于对过程稳定性的检验

/—:

识别卡测试方法第部分一般特性测试

GBT17554.120061

—

:

军用装备实验室环境试验方法第部分低温试验

GJB150.4A20094

—微电子器件试验方法和程序

GJB548B2005

ㅤㅤㅤㅤ

/::(—

识别卡测试方法第部分邻近式卡

ISOIEC10373-620116IdentificationcardsTest

—:)

methodsPart6Proximitcards

y

/::(

识别卡无触点集成电路卡邻近式卡第部分物理特性

ISOIEC14443-120081I

-

———:

dentificationcardsContactlessinteratedcircuitcardsProximitcardsPart1Phsicalcharacteris

gyy-

)

tics

/::

识别卡无触点集成电路卡邻近式卡第部分射频功率和信号接

ISOIEC14443-220102

口(———:

IdentificationcardsContactlessinteratedcircuitcardsProximitcardsPart2Radio

gy

freuencowerandsinalinterface)

qypg

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

样品samle

p

将芯片以规定的材料和工艺封装形成的构件。

3.2

样品卡samlecard

p

,。

含有样品和天线线圈且能与射频读卡器通信的塑料卡

3.3

TeA芯片TeAinteratedcircuits

ypypg

采用/:中定义的通信协议工作的芯片。

ISOIEC14443-22010TeA

yp

1

—

GA10912013

3.4

芯片

TeBTeBinteratedcircuits

ypypg

采用/:中定义的通信协议工作的芯片。

ISOIEC14443-22010TeB

yp

4符号和缩略语

下列符号和缩略语适用于本文件。

:

HvA卡体短边位移

:

HvB卡体长边位移

:()

RF射频RadioFreuenc

qy

:

α卡体扭转角度

5一般要求

5.1依据评测目标选择本文件规定的试验项目。

5.2样品提供方应向评测机构提供样品通信的传输协议。

:,,

5.3本文件所述样品或样品卡读写功能测试是指先向样品或样品卡中写入数据然后读取数据若读

,;,。

出数据与写入数据一致视为样品或样品卡读写功能正常否则视为样品或样品卡读写功能异常

,,;

5.4对样品测试时应先将样品连接在与其匹配的天线线圈上然后使用射频读卡器进行测试对样品

,。

卡测试时直接使用射频读卡器进行测试

ㅤㅤㅤㅤ

、。

5.5样品或样品卡读写测试失效不应包含天线失效样品卡的卡体失效

6试验项目

6.1交变磁场

6.1.1目的

确定交变磁场对样品读写功能的影响。

6.1.2试验要求

试验要求为:

)将样品封装成样品卡;

a

)频率:;

b13.56MHz

):/(),/();

c磁场强度平均10Amrms最大不超过12Amrms

)暴露时间:。

d30s

6.1.3试验方法

按照/:中的要求执行后对样品卡进行读写功能测试。

ISOIEC14443-120084.4

6.1.4失效判据

样品卡读写功能异常视为样品失效。

2

—

GA10912013

6.2.1目的

确定静电对样品读写功能的影响。

6.2.2试验要求

试验要求为:

):;

a电压等级不小于3000V

)放电方式:

b

)端子对端子进行放电;

112

)端子对端子进行放电;

221

)“”;

端子对底进行放电

31

)“”;

端子对底进行放电

42

)“”;

底对端子进行放电

51

)“”。

底对端子进行放电

62

):,。

放电次数及间隔每种方式放电次间隔以上

c31s

6.2.3试验方法

—

按照中方法中的要求执行后对样品进行读写功能测试。

GJB548B200530153.1~3.3

6.2.4失效判据

ㅤㅤㅤㅤ

样品读写功能异常视为失效。

6.3变化场强

6.3.1目的

确定场强变化对样品读写功能的影响。

6.3.2试验要求

试验要求为:

)将样品封装成样品卡;

a

)/:,/、/、/、

按照中规定产生场强值分别为

bISOIEC14443-220106.21.5Am3.5Am5.5Am

/的工作场;

7.5AmRF

)按照/:中和规定分别产生芯片和芯片通信信号

cISOIEC14443-220108.19.1TeATeB

ypyp

调制波形。

6.3.3试验方法

()。

在每个试验点上对样品卡进行读写功能测试见表和表

12

3

—

GA10912013

表1TeA芯片变化场强测试

yp

工作场强调制深度

/

Am%

1.5

3.5

100

5.5

7.5

表2TeB芯片变化场强测试

yp

工作场强调制深度

/

Am%

1.5

3.5

10

5.5

7.5

6.3.4失效判据

,。

在任何一个试验点上样品卡读写功能异常视为样品失效

ㅤㅤㅤㅤ

6.4变化频率

6.4.1目的

确定载波频率变化对样品读写功能的影响。

6.4.2试验要求

试验要求为:

)将样品封装成样品卡;

a

)设置载波频率分别为、和;

b13.567MHz13.56MHz13.553MHz

)按照/:中和规定分别产生芯片和芯片通信信号

cISOIEC14443-220108.19.1TeATeB

ypyp

调制波形。

6.4.3试验方法

()。

在每个试验点上对样品卡进行读写功能测试见表和表

34

表3TeA芯片变化频率测试

yp

载波频率调制深度

MHz%

13.553

13.56100

13.567

4