GB/T 12565-1990 半导体器件 光电子器件分规范(可供认证用)
GB/T 12565-1990 Semiconductor devices Sectional specification for optoelectronic devices
基本信息
发布历史
-
1990年12月
研制信息
- 起草单位:
- 机械电子工业部标准化研究所
- 起草人:
- 张彦秋
- 出版信息:
- 页数:13页 | 字数:32 千字 | 开本: 大16开
内容描述
UDC621.582.032.26
L50
中华人民共和家标准
GB12565—90
半导体器件
光电子器件分规范
Semiconductordevices
Sectionalspecificationforoptoelectronicdevices
(可供认证用)
1990-12-12发布1991-10-01实
国家技术监警局发布
中华人民共和国国家标准
半导体器件
光电子器件分规范GB12565—90
ScmkoBduclordevices
Sectioaaltpcclfkatiooforoptodcctrowicdevices
(可供认证用)
1范團
1-1半导体尢发射器件
・•光电子昱示器件;
b.发光-极簣(LED);
c.红外发射二极管(【RED),
<1-厳光二极誓.
12半导体光嫩器件
*•光敏二极管;
b.尢敏三扱管;
<•光控闸擁品体竹,
K3半#体图像器件.
1.4光精台器.
2总則
本规范应与其有关的总世砲一起便用;本建范规定了评宦半导体光电子靄件所希的质试评定稈序、
检验要求、篩选噸序、抽样要求、试鲨和灌试方法的细节.
2.1押关文杵
GB4589.KIFjC747-10/QC700000)<半导体养件分立器件和集成电踣总规范》
2-2型度的描荐位(优选值》
见IEC747-H半导体器件分芷器件和•成电路第-部分总则〉第6.5条一
2.3电压和电ift的惟荐值(优送值)
见1EC747-1第6.6条.
3质■评定程序
3.1初治的制造阶段和转包
初始的制造阶段为下述之一?
■.单品半导体器杵
改变纯P刘或纯N51俎晶半导体材冏的第一道工序.
b.多晶半导体器件
国家技术越*局1990-12-121991-10-01卖整
GB12565-90
在村廉上淀积多品层.
5.2结构相但器件
器件哥号按结构相似分组的关谴依懈是组内各种型号间的差别不影响试验结果。
对本文件来说:
结构用似器件是指由冋一的适单位采用基本相何的设计和相同的材料,工序和方法制适的器蚌•逋
常仅凶为制造匕的变化使再它们玻分为具有不问电持性、光峙性或辐射秤性的各种F号.
为了联得畫定批准和质械致性检虫所用的样品,半静体光电子昶件可以按F述规則分姐.
附录A(补充件》的图解Xjf这些规则的应用.
32-1A组和(戒)B组中电和光持性灣试的分组
艮有相同的器件设计、在同一生产圾上制逍的而蛙别仅在搖电和光待性梭限值进行分类的器件•应
帳据这些不同的电和尢特性扱限值(皱分成各种据号)分为不同埜号的子批.
上述器件最好应包含在冋一坪细规范屮•但圮在任何悄况下槿应在鉴定批准试脸报吿中说明所采
用的分纽细节。
S.2.1.1不同的电稅尢特性极RJ值
对于那其込用于#于抢的不間的电和光特性板限值的具休丽试,毎个子批应擢取与各子批落件数
梅綾的样品试.
上述具体测试的实例为,
•-尢敬器件按不同的光敏灵敏度分成各十子批;
b・尢刑合藩按不同的输入传输比分成各个干批;
c.发丸器件按不同的发光或轴射强度分成各个子眦.
J.2.1.2相同的电和光持性极琨值
对于那典适用于所有千批的相同的电或尢待性极限(H和演试条件的貝体側试.須下述之一种洵试
评定总■批:
・•由騎有子批的相尊的攻成比例的数量组成的一组样品;
b-从总批中随机抽取的一组样•品.
3-2.2B组和(或)C组中坏境试笆的分姐
用相冋方法封装的、具有相同内部机懐结恂基本型式、由相冋零部件时成的、井绘共同的密対和涂
覆住序的器件•按下述可以认为是培构相似的.按規定抽取的一姐样品可以评定遙相似春件的总•批.
注广相側零祁件”E歹按相离图歩或相纠規花自创的成禺得的合裕尊茹件.
3-2-2-1相同生产线剖或的器件
上述分组能适用的试验有:
••目检;
b-尺寸:
c.焊接:可翼性和耐焊接热;
d.引出踹爱度:
c.IW烛(例如◎态噩热h
f型腹变化和遛热储环(或序封n
K-报动;
h恒定tB速度;
i冲缶.
注;CD•相同生产戏•搖掐卫有尋效的段药、相同的工艺規丹桂樹国或观恋、便弔相同寧都件和材科、設iff空同一厂
区井檢主严相母卷件的生产&.
咗这些得件是榆亦相2生产坂上觸遭的.并用料同的管斤封靈的.
2
GB12565-90
3.2-2.2不同生产线制戒的器件
上述分绘能适用的试脸琨于’
•-目嵌
b-尺寸;
“焊接:可焊性和耐焊接热;
机引出瑞强度:
e.商烛(例如锂态湿曲>・
5.2.5耐次性试卷的分粗
除毎详细规范另育规范外•对于耐久性试脸(例如电耐久性试够或干热试於)而才・貝有相同的器件
设计.在相同生产线上射造的南差别仅在按电或光特性极瑕值逬彳了分类的刘件•应根据这曲不同的电或
尢持性极垠值分为药种空号的子批’根据第3-2.X1或$2.3.2条的规定.这些子批之一中的器件可用
作电耐久性试验.
上述器件量好应包含在同一详捌規范中•但是在任何悄况下都应在毎宦报准试軸报告屮说咽所采
用的分组的细卩・
3-2-5-1庄B组(逐批〉中规定试验时
对于每冲耐久性试够,倘若从下述规定的任一子批中抽取一组样品•則可以评定总批:
<•检选于批的潘件总數同耳有较低顎定值戒不太严恪的粹性极琨值的所有杖他了批的器件总数
之和,不少于所有子批总批秋的60%。
b.庄生产过程中的肋三,月内•应对总批屮在连周期内提交检验过的、具有©高懂定值或坨严格
的电或你性叛限临的于批抬取适当的样品址进行电耐久性试购.
3.2.3-2仅在<?俎(周期)中規定试脸时
对于毎种周期性坷久性试邕•按免详细规范披定的样品就抽取的一组样品可评定总批.样品聚好从
器件数fit侵篡的子批中抽取.而且应保证在较长的期阪内适当轮孰杖他熨号,
3.3鉴定址准的检脸空求
应与本标准査5和表6规宦的抽样要求一起,正倉it采用QC00!Q02偲序規则》胡11.3.1条的方
法b).
但超•如果采用有关的空白详细規范规定的抽伸要求•则允许采用QC001002第】1.11条的方
法a).
£4质址一致性整般
3.4.1组籾分组的就分
应按下列各丧划分殂和分姐:
我1Affi—j$批
分m输捡或试毅引用怀冷条件
Al外冊日检GB4&891,4.2.L1
A2a不工作扶良定
A2b.A3.A4电和光静性育关新肛按适用方快的規定
3
gb12565—90
表2B组一溟批
(关于I类•见GB4589.1第2.6条〉
分组检翰或试艘引用休庭羡件
B1尺寸(imtt)按泾胡無范所命的外老阳(电可见附汞»)
电和光轉住
B?ii适用时.撞履宅
B2b其矩电和丸希性迢用时.按现宅;側如高2稱M
电祀光樋般
B2c自关忻准适用时,按規定
偵的蜀迁
B3引出秋翌廈GB4937",2.1疫規定:例ftHI
B4可綁性GB4937t2.2.1ttM
烈度快連受比GB4937.3.1
»ZU.
««t«环&>/Z9016.4”
B5a檢履乞.取决F刿叢
(1BC749.I.4)
GB4937.3.7
SJ/Z90Ob4n
B5b化"檢馄定(恂查阿It火效〉
(IEC68214I)
按爼定•取决F對慕
Bfi恒定tic速度GB4937.2.5
(卸果空白4衍坟范要求时〉
B7利f用
IM电耐久性有关钛k按♦定方tt.lMh
BdGB4937,M2im»>
CRRL放行批证朗记录
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