适用范围：本标准规定了印制板用光成像耐电镀抗蚀剂的术语和定义、性能、试验方法、检验规则和包装。 本标准适用于印制板制造用的光成像耐电镀抗蚀剂、光成像抗电镀剂、光成像抗酸性蚀刻剂和光成像抗碱性蚀刻剂。

适用范围：本标准规定了用二次离子质谱仪（SIMS）测定光伏电池用硅材料中硼和铝含量的方法。 本标准适用于光伏电池用硅材料中受主杂质硼和铝含量的定量分析，其中硼和铝的浓度均大于1×1013atoms/cm3。其他受主杂质的测量也可参照本标准。

适用范围：本标准规定了直流电子负载的术语和定义、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存等。 本标准适用于输入电压小于或等于600 V（DC）的直流电子负载。

适用范围：本标准规定了光伏组件封装用乙烯-醋酸乙烯酯共聚物（EVA）胶膜（以下简称EVA胶膜）的术语和定义、要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输和贮存。 本标准适用于以乙烯-醋酸乙烯酯共聚物（EVA）为主要原料，添加各种助剂，经熔融加工成型，用于地面光伏组件封装的胶膜。

适用范围：本标准规定了用于先进集成电路光刻工艺综合评估的标准测试图形单元的形状、一般尺寸，以及推荐的布局和设计规则，这些标准测试图形包括可供光学显微镜和扫描电子显微镜用的各种图形单元。 本标准适用集成电路的工艺、常规掩模版、光致抗蚀剂和光刻机的特征和能力作出评价及交替移相掩模版相位测量，适用于g线、i线、KrF、ArF等波长的光刻设备及相应的光刻工艺。

适用范围：本标准规定了利用电感耦合等离子体质谱仪（ICPMS）测定光伏电池用硅材料表面痕量金属杂质含量的方法。 本标准适用于光伏电池用硅材料表面痕量金属杂质钠、镁、铝、钾、钙、钛、铬、铁、镍、铜、锌、钼含量的测定。各元素的测量范围见表1。

适用范围：本标准给出了半导体制造设备（SME）在供应商工厂的最终装配（总装）、包装、运输以及在客户洁净室生产区的拆包和安放等特定活动指南。 本标准适用于半导体制造设备、独立的组件和部件在供应商工厂的最终装配（总装）、包装和运输以及从客户装货码头/接收区到高纯和超高纯应用的洁净室生产区的转移过程。 本标准不包含与环境、健康和安全（EHS）相关的特殊要求，也不适用于与晶片粒子或晶片质量（如离子污染度）相关的加工过程规范。

适用范围：本标准规定了光伏电池用硅材料补偿度的测量和分析方法。 本标准适用于光伏电池用非掺杂硅材料补偿度的测量和分析。

适用范围：本标准规定了用二次离子质谱仪（SIMS）测定光伏电池用硅材料中磷、砷和锑含量的方法。 本标准适用于光伏电池用硅材料中施主杂质磷、砷和锑含量的定量分析，其中磷、砷和锑的浓度均大于1×1014atoms/cm3。

适用范围：本标准规定了与卫星导航定位应用有关的时间系统的术语和定义、标记方法，以及时间系统的建立、系统时间换算方法和应用中的主要技术方法。 本标准适用于利用卫星导航定位系统进行与时间相关的导航、定位、定时、时间同步等领域的科研、教学及应用。