国际标准分类(ICS)
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译：GB/T 24572.4-2009 Standard practice for separation and concentration of ignitable liquid residues from fire debris samples—Part 4:Solid phase microextraction(SPME)适用范围：GB/T 24572的本部分规定了火灾现场易燃液体残留物的固相微萃取法的原理与特性、设备和器材以及试验步骤。 本部分适用于实验室提取汽油、煤油、柴油、油漆稀释剂和乙醇等火场常见易燃液体残留物。【国际标准分类号(ICS)】 ：13.220.01消防综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：C82防火技术发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2009-10-30 | 实施时间： 2010-04-01收藏 -
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译：GB/T 24579-2009 Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-atomic absorption spectroscopy【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2009-10-30 | 实施时间： 2010-06-01收藏
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译：GB/T 24575-2009 Test method for measuring surface sodium,aluminum,potassium,and iron on silicon and epi substrates by secondary ion mass spectrometry【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2009-10-30 | 实施时间： 2010-06-01收藏
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译：GB/T 24580-2009 Test method for measuring Boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2009-10-30 | 实施时间： 2010-06-01收藏
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译：GB/T 24574-2009 Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities适用范围：本标准规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。 本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。 本标准用于检测单晶硅中含量为1×1011 at·cm-3~5×1015 at·cm-3的各种电活性杂质元素。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2009-10-30 | 实施时间： 2010-06-01收藏
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译：GB/T 24573-2009 Fire resistance tests for vault and file room doors适用范围：本标准规定了金库和档案室门耐火性能分级、耐火试验装置、试验条件、试件要求、试验程序、试验结果表示和试验报告等。 本标准适用于密闭空间且最大内容积为142 m3的固定和移动式金库的门，也适用于最大内容积为1 420 m3密闭空间的档案室的门。金库门或档案室门按本标准进行试验后试验结果的应用方法参见附录A。【国际标准分类号(ICS)】 ：13.220.50建筑材料和构件的阻燃性 【中国标准分类号(CCS)】 ：C82防火技术发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2009-10-30 | 实施时间： 2010-04-01收藏
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译：GB/T 24576-2009 Test method for measuring the Al fraction in AlGaAs on GaAs substrates by high resolution X-ray diffraction适用范围：本标准规定了用高分辨X射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。 本方法适用于在未掺杂GaAs衬底方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定，使用本方法测量Al元素含量时，AlGaAs外延层厚度应大于300 nm。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2009-10-30 | 实施时间： 2010-06-01收藏
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译：GB/T 24572.3-2009 Standard practice for separation and concentration of ignitable liquid residues from fire debris samples—Part 3:Activated charcoal absorption适用范围：GB/T 24572的本部分规定了活性炭炭片或活性炭纤维吸附方法提取火灾现场中常见易燃液体残留物的原理与特性、试剂、材料与设备和试验步骤。 本部分适用于实验室提取汽油、煤油、柴油和油漆稀释剂等火灾现场常见易燃液体残留物。【国际标准分类号(ICS)】 ：13.220.01消防综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：C82防火技术发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2009-10-30 | 实施时间： 2010-04-01收藏
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译：GB/T 24581-2009 Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities适用范围：2.1本标准适用于检测硅单晶中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。2.2本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为（0.01×10 -9～5.0×10 -9）a。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2009-10-30 | 实施时间： 2010-06-01收藏
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译：GB/T 24577-2009 Test methods for analyzing organic contaminants on silicon wafer surfaces by thermal desorption gas chromatography适用范围：1.1本标准规定了硅片表面的有机污染物的定性和定量方法，采用气质联用仪或磷选择检测器或者两者同时采用。1.2本标准描述了热解吸气相色谱仪（TD-GC）以及有关样品制备和分析的相关程序。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2009-10-30 | 实施时间： 2010-06-01收藏
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