GB/T 24576-2009 高分辨率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
GB/T 24576-2009 Test method for measuring the Al fraction in AlGaAs on GaAs substrates by high resolution X-ray diffraction
国家标准
中文简体
现行
页数：8页
|
格式：PDF
基本信息
标准类型
国家标准
标准状态
现行
发布日期
2009-10-30
实施日期
2010-06-01
发布单位/组织
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
归口单位
全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
适用范围
本标准规定了用高分辨X射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。
本方法适用于在未掺杂GaAs衬底<001>方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定，使用本方法测量Al元素含量时，AlGaAs外延层厚度应大于300 nm。
本方法适用于在未掺杂GaAs衬底<001>方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定，使用本方法测量Al元素含量时，AlGaAs外延层厚度应大于300 nm。
发布历史
-
2009年10月
研制信息
- 起草单位：
- 信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 起草人：
- 章安辉、黄庆涛、何秀坤
- 出版信息：
- 页数：8页 | 字数：13 千字 | 开本： 大16开
内容描述
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中华人民共和国国家标准
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高分辨率射线衍射测量衬底
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生长的中成分的试验方法
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２００９１０３０发布２０１００６０１实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
发布
中国国家标准化管理委员会
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犌犅犜２４５７６２００９
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