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  • T/IAWBS 022-2024 SiC MOSFET阈值电压测试方法——电流源单点测试法 现行
    译:T/IAWBS 022-2024 SiC MOSFET threshold voltage testing method - Current source single point testing method
    适用范围:主要技术内容:本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)阈值电压测试方法。本文件适用于SiC MOSFET阈值电压的测量,包含测试原理,测试电路以及测试条件
    【国际标准分类号(ICS)】 :31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 :L40/49半导体分立器件
    发布单位或类别:(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间: 2024-12-23 | 实施时间: 2024-12-30