国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
29 电气工程
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
-
现行
译：SJ/T 11975-2025 Power system insulation gate bipolar transistor (IGBT) specification for packaging and categories【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2025-05-09 | 实施时间： 2025-08-01收藏 -
现行
译：SJ/T 11974-2025 Electrical specification for isolation gate bipolar transistor (IGBT) module【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2025-05-09 | 实施时间： 2025-08-01收藏
-
现行
译：SJ/T 11973-2025 Electric vehicle (EV) insulation gate bipolar transistor (IGBT) module category specification【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2025-05-09 | 实施时间： 2025-08-01收藏
-
现行
译：T/IAWBS 022-2024 SiC MOSFET threshold voltage testing method - Current source single point testing method适用范围：主要技术内容:本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)阈值电压测试方法。本文件适用于SiC MOSFET阈值电压的测量，包含测试原理，测试电路以及测试条件【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-TUANTI)团体标准 | 发布时间： 2024-12-23 | 实施时间： 2024-12-30收藏
-
现行
译：GB/T 4587-2023 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 7:Bipolar transistors适用范围：本文件给出了下列几种类型双极型晶体管(微波晶体管除外)的有关要求：--小信号晶体管（开关和微波用除外）；--线性功率晶体管（开关、高频和微波用除外）；--放大和振荡用高频功率晶体管；--高速开关和电源开关用开关晶体管；--电阻偏置晶体管。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2023-09-07 | 实施时间： 2024-04-01收藏
-
现行
译：SJ/T 11851-2022 SJ/T 11851-2022 Semiconductor discrete devices - Detailed specification for NPN silicon small power switching transistor pair S3DK5794【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2022-10-20 | 实施时间： 2023-01-01收藏
-
现行
译：SJ/T 11849-2022 Semiconductor discrete devices 3DG3500, 3DG3501 type NPN silicon high frequency small power transistor detailed specification【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2022-10-20 | 实施时间： 2023-01-01收藏
-
现行
译：SJ/T 11850-2022 Semiconductor discrete devices 3DK2219A, 3DK2222A, and 3DK2222AUB type NPN silicon small power switching transistor specification in detail【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2022-10-20 | 实施时间： 2023-01-01收藏
-
现行
译：SJ/T 11848-2022 Detailed specification for 3DG2484 type NPN silicon high frequency small power transistor in semiconductor discrete devices【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2022-10-20 | 实施时间： 2023-01-01收藏
-
现行
译：SJ/T 11824-2022 SJ/T 11824-2022 Metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) equivalent capacitance and voltage change rate test method【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2022-10-20 | 实施时间： 2023-01-01收藏
-
现行
译：SJ/T 11765-2020 Transistor low-frequency noise parameter testing method适用范围：适用于双极型晶体管与场效应晶体管，其他晶体管产品可参照执行【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2020-12-09 | 实施时间： 2021-04-01收藏
-
现行
译：SJ/T 9014.8.2-2018 Semiconductor Devices, Discrete Devices Part 8-2: Ultra Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Blank Specification Manual【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L44场效应器件发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2018-04-30 | 实施时间： 2018-07-01收藏
-
现行
译：SJ/T 1480-2016 The detailed specification of a high-frequency small-power silicon PNP transistor type 3CG130【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-04-05 | 实施时间： 2016-09-01收藏
-
现行
译：SJ/T 1826-2016 Semiconductor discrete device 3DK100 type NPN silicon small power switching transistor specification in detail【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-04-05 | 实施时间： 2016-09-01收藏
-
现行
译：SJ/T 1832-2016 Detailed specification of NPN silicon small power switching transistor model 3DK102 in semiconductor discrete devices【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-04-05 | 实施时间： 2016-09-01收藏
-
现行
译：SJ/T 1472-2016 Detailed specification for high frequency small power silicon PNP transistor type 3CG110 in semiconductor discrete devices【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-04-05 | 实施时间： 2016-09-01收藏
-
现行
译：SJ/T 1830-2016 Detailed specification of NPN silicon small power switching transistor 3DK101 in semiconductor discrete devices【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-04-05 | 实施时间： 2016-09-01收藏
-
现行
译：SJ/T 1486-2016 Semiconductor discrete device 3CG180 silicon PNP high frequency and high reverse voltage small power transistor detailed specification【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-04-05 | 实施时间： 2016-09-01收藏
-
现行
译：SJ/T 1838-2016 Detailed specification of the 3DK29 type NPN silicon small power switching transistor for semiconductor discrete devices【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-04-05 | 实施时间： 2016-09-01收藏
-
现行
译：SJ/T 1831-2016 Detailed specification for 3DK28 type NPN silicon small power switching transistor in semiconductor discrete devices【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.30三极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2016-04-05 | 实施时间： 2016-09-01收藏
现行
现行
现行
现行
现行
现行
现行
现行
现行
现行