适用范围：范围:本文件规定了单片集成相干光接收器芯片（以下简称“接收芯片”）的工作条件与接口特性、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本产品基于互补金属氧化物半导体工艺，适用于128 GBaud的相干传输传感系统，主要应用于电信通信领域; 主要技术内容:本文件规定了单片集成相干光接收器芯片（以下简称“接收芯片”）的工作条件与接口特性、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本产品基于互补金属氧化物半导体工艺，适用于128 GBaud的相干传输传感系统，主要应用于电信通信领域

适用范围：范围:本文件适用于各类工业自动化、手工焊机、新能源发电、电动汽车、家电等领域使用的功率集成模块（PIM）; 主要技术内容:本文件规定了功率集成模块（PIM）的术语和定义、文字符号、产品概述、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存的要求

适用范围：主要技术内容:本文件规定了高性能高密度沟槽栅IGBT器件的结构、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于高性能高密度沟槽栅IGBT器件的生产和检验

适用范围：主要技术内容:本文件规定了检测车规级功率半导体模块动态特性的双脉冲测试和短路测试的平台、方法和数据处理的要求。本文件适用于车规级IGBT和二极管功率半导体模块，SiC MOSFET和GaN等芯片封装而成的车规级功率模块也可参考本文件

适用范围：范围:本文件规定了表贴式（SMT)微波机械开关（以下简称微波开关）的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。 本文件适用于表贴式（SMT)微波机械开关的设计、生产、检验和使用，针式射频接口机械开关可参照执行; 主要技术内容:本文件规定了表贴式（SMT)微波机械开关（以下简称微波开关）的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本文件适用于表贴式（SMT)微波机械开关的设计、生产、检验和使用，针式射频接口机械开关可参照执行

适用范围：范围:本文件适用于没有经过喷漆或电镀的半导体设备零配件的清洗; 主要技术内容:本文件规定了半导体设备零配件清洗的一般要求、表面处理、化学清洗、外观面检验、标识、包装和贮存

适用范围：范围:本文件适用于整车厂、零部件供应商、软件供应商、第三方测评机构等企业，开展汽车用射频前端芯片的研发测试和应用等; 主要技术内容:本文件规定汽车用射频前端芯片的可靠性要求、制式功能要求、技术要求和试验方法。本文件适用于整车厂、零部件供应商、软件供应商、第三方测评机构等企业，开展汽车用射频前端芯片的研发测试和应用等

适用范围：范围:本文件适用于乘用车及商用车的车身域控制器场效应管负载能力检测，其它非乘用车及商用车的车身域控制器场效应管负载能力检测参照执行; 主要技术内容:本文件规定了乘用车及商用车车身域控制器场效应管的分类、参数要求及封装、技术要求、检测方法、包装、贮存、标识要求。本文件适用于乘用车及商用车的车身域控制器场效应管负载能力检测，其它非乘用车及商用车的车身域控制器场效应管负载能力检测参照执行

适用范围：主要技术内容:前言.I引言.IIESD/TVS静电保护类器件测试规范.11  范围.12  规范性引用文件.13  术语和定义.13.1  静电阻抗器Electro-Static Discharge.13.2  瞬态抑制二极管Transient Voltage Suppressor.13.3  击穿电压Breakdown Voltage.23.4  反向截止电压Reverse Stand-Off Voltage.23.5 反向脉冲峰值电流Peak Pulse Current.23.6  箝位电压Clamping Voltage.23.7  反向脉冲峰值功率 Reverse pulse peak power .23.8  结电容Junction capacitor.23.9  反向漏电流 Current Intensity Reverse.23.10  I-V特性曲线.23.11  C-V特性曲线.23.12  传输线脉冲 Transmission Line Pulse.34  分类型号.34.1 分类.34.2 型号.35  测试方法.45.1 总则.45.2 测试目的.45.3 测试条件.45.4 测试设备和装置.55.5测试关键指标.55.6 测试内容.55.7 关键参数示例.6

适用范围：范围:本文件规定了低维半导体材料生长 、表征及电子元器件制作的总则 、电子元器件制作流程 、检验与测试。 本文件适用于低维半导体材料生长 、表征及电子元器件制作流程; 主要技术内容:本文件规定了低维半导体材料生长 、表征及电子元器件制作的总则 、电子元器件制作流程 、检验与测试 

适用范围：范围:本文件适用于半导体器件加工; 主要技术内容:本文件规定了半导体器件加工的缩略语、一般要求、加工工艺、标识、记录、包装和贮存

适用范围：本文件规定了利用电容瞬态深能级瞬态谱（DLTS）测试辐射诱生缺陷的方法和程序。 本文件适用于包含P-N结、肖特基结、MOS结构的半导体器件中辐射诱生深能级缺陷的测试。

适用范围：本文件规定了空间行波管加速寿命试验及基于此试验的寿命评估技术规范。 本文件适用于空间行波管的寿命评估。

适用范围：范围:本文件适用于耳温枪温度传感器; 主要技术内容:本文件规定了耳温枪温度传感器的术语和定义、工作环境、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存

适用范围：本文件确立了使用散裂中子源对半导体器件进行大气中子单粒子效应加速试验的方法与程序。 本文件适用于航空、地面等应用环境中半导体集成电路和半导体分立器件的中子单粒子效应敏感性检测试验。该环境下的中子来源于初始高能宇宙射线与大气的相互作用，主要为热中子和能量高于1 MeV的高能中子。 本文件适用的单粒子效应包括大气中子在半导体器件中引起的单粒子翻转、单粒子瞬态、单粒子功能中断、单粒子锁定、单粒子烧毁、单粒子栅穿等。 本文件不适用于α粒子引起的单粒子效应。

适用范围：本文件描述了逆导型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件(以下简称器件)的稳态热阻和瞬态热阻的电学法测试的基本原理和方法。 本文件适用于逆导型IGBT器件的热阻测试。

适用范围：主要技术内容:本文件规定了车规级半导体功率模块的测试认证要求。本文件适用于汽车应用的硅基和碳化硅基功率模块的测试认证

适用范围：范围:本文件规定了压接型绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块高温反偏试验的试验电路、设备要求、试验条件、试验步骤、接收判据等要求。 本文件适用于电网电力电子装置用压接型IGBT模块，其他新型IGBT模块如增强注入型IGBT（IEGT）、双模式绝缘栅晶体管（BIGT）等模块也可参照此文件; 主要技术内容:本标准适用于电网用电力电子装置用的压接型IGBT模块，其它新型IGBT模块如增强注入型IGBT（IEGT）、双模式绝缘栅晶体管（BIGT）等模块也可参照此标准。本标准介绍了压接型IGBT模块高温反偏试验的相关内容，包含适用范围、相关术语的定义、设备要求、试验流程、冷却、测试以及失效标准等技术内容。本标准考虑到了压接型IGBT模块的特殊性，对检测方法和设备要求进行更具针对性和更为详尽的规定和特殊要求，可以有效解决常规测试耗时较长、测试成本高，检测效率低等问题，对压接型IGBT模块的广泛应用提供了基础保障。主要内容如下：前言1 范围2 规范性引用文件3 术语和定义4 符号和缩略语5 试验电路6 设备要求7 试验条件8 试验步骤9 失效判据10 试验时间认定11 试验报告

适用范围：范围:本文件规定了柔性直流输电用IGBT模块应用可靠性的试验项目、试验条件以及试验方法等技术要求。 本文件适用于柔性直流换流阀和高压直流断路器用压接型与焊接型IGBT模块的生产、检验、交付使用; 主要技术内容:本标准适用于柔性直流输电用IGBT模块，其它新型IGBT器件如增强注入型IGBT（IEGT）、双模式绝缘栅晶体管（BIGT）等器件也可参照此标准。本标准介绍了柔性直流输电用IGBT模块应用可靠性试验规范的相关内容，包含适用范围、相关术语的定义、试验项目、试验、接收判据等技术内容。本标准考虑了柔性直流输电用IGBT模块工况的特殊性，对试验条件与程序进行更具针对性和更为详尽的规定和特殊要求，可以有效解决IGBT模块通过实际运行检验性能的周期长、风险大、成本高等问题，为柔性直流输电用IGBT模块的应用可靠性试验提供了技术指导。主要内容如下：前言1 范围2 规范性引用文件3 术语和定义4 符号和缩略语5 试验项目6 试验6.1 长时间双脉冲试验6.2 重复安全工作区试验6.3 二极管多周波浪涌电流试验6.4 IGBT饱和区浪涌电流试验7 接收判据

适用范围：范围:本文件规定了电动汽车用功率半导体器件可靠性试验前的功能性检查要求，可靠性试验要求和试验 方法。本文件还规定了车用宽禁带功率半导体器件的特殊试验要求。 本文件适用于非绝缘型功率半导体器件和绝缘型功率半导体模块，包括但不限于绝缘栅双极晶体 管、金属氧化物场效应晶体管和二极管器件及模块。 本文件提供了对电动汽车用功率半导体器件进行可靠性型式试验及可靠性设计与检验的指南; 主要技术内容:本文件规定了电动汽车用功率半导体器件可靠性试验前的功能性检查要求，可靠性试验要求和试验 方法。本文件还规定了车用宽禁带功率半导体器件的特殊试验要求。 本文件适用于非绝缘型功率半导体器件和绝缘型功率半导体模块，包括但不限于绝缘栅双极晶体 管、金属氧化物场效应晶体管和二极管器件及模块。 本文件提供了对电动汽车用功率半导体器件进行可靠性型式试验及可靠性设计与检验的指南