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译：GB/T 24577-2009 Test methods for analyzing organic contaminants on silicon wafer surfaces by thermal desorption gas chromatography适用范围：1.1本标准规定了硅片表面的有机污染物的定性和定量方法，采用气质联用仪或磷选择检测器或者两者同时采用。1.2本标准描述了热解吸气相色谱仪（TD-GC）以及有关样品制备和分析的相关程序。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2009-10-30 | 实施时间： 2010-06-01收藏 -
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译：GB/T 24583.2-2009 Vanadium—Nitrogen alloy—Determination of nitrogen content—Thermal conductimetric method after fusion in a current of inert gas适用范围：GB/T 24583的本部分规定了惰性气体熔融热导法测定氮含量。本部分适用于钒氮合金中氮含量的测定。测定范围（质量分数）：5.00%～20.00%。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.100铁合金 【中国标准分类号(CCS)】 ：H11钢铁与铁合金分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2009-10-30 | 实施时间： 2010-05-01收藏
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译：GB/T 24583.3-2009 Vanadium-Nitrogen alloy-Determination of nitrogen content—The distillation-neutralization titration method适用范围：GB/T 24583的本部分规定了蒸馏中和滴定法测定氮含量。 本部分适用于钒氮合金中氮含量的测定。测定范围（质量分数）：5.00%～20.00%。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.100铁合金 【中国标准分类号(CCS)】 ：H11钢铁与铁合金分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2009-10-30 | 实施时间： 2010-05-01收藏
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译：GB/T 24579-2009 Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-atomic absorption spectroscopy【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2009-10-30 | 实施时间： 2010-06-01收藏
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译：GB/T 24580-2009 Test method for measuring Boron contamination in heavily doped n-type silicon substrates by secondary ion mass spectrometry【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2009-10-30 | 实施时间： 2010-06-01收藏
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译：GB/T 24583.1-2009 Vanadium-Nitrogen alloy—Determination of vanadium content—The ammonium ferrous sulfate titration method适用范围：GB/T 24583的本部分规定了硫酸亚铁铵滴定法测定钒含量。本部分适用于钒氮合金中钒含量的测定。测定范围（质量分数）：≥60.00%。【国际标准分类号(ICS)】 ：77.100铁合金 【中国标准分类号(CCS)】 ：H11钢铁与铁合金分析方法发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2009-10-30 | 实施时间： 2010-05-01收藏
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译：GB/T 24578-2009 Test method for measuring surface metal contamination on silicon wafers by total reflection X-ray fluorescence spectroscopy适用范围：1.1本标准规定了硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法，本方法使用单色X光源全反射X光荧光光谱的方法定量测定硅单晶抛光衬底表面层的元素面密度。1.2本标准适用于N型和P型硅单晶抛光片、外延片等镜面抛光的硅片，尤其适用于清洗后硅片自然氧化层，或经化学方法生长的氧化层中沾污元素的面密度测定。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2009-10-30 | 实施时间： 2010-06-01收藏
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译：GB/T 24575-2009 Test method for measuring surface sodium,aluminum,potassium,and iron on silicon and epi substrates by secondary ion mass spectrometry【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2009-10-30 | 实施时间： 2010-06-01收藏
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译：GB/T 24581-2009 Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities适用范围：2.1本标准适用于检测硅单晶中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。2.2本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为（0.01×10 -9～5.0×10 -9）a。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2009-10-30 | 实施时间： 2010-06-01收藏
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译：GB/T 24576-2009 Test method for measuring the Al fraction in AlGaAs on GaAs substrates by high resolution X-ray diffraction适用范围：本标准规定了用高分辨X射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。 本方法适用于在未掺杂GaAs衬底方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定，使用本方法测量Al元素含量时，AlGaAs外延层厚度应大于300 nm。【国际标准分类号(ICS)】 ：29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 ：H80/84半金属与半导体材料发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2009-10-30 | 实施时间： 2010-06-01收藏
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