19 试验
65 农业
77 冶金
  • GB/T 43885-2024 碳化硅外延片 现行
    译:GB/T 43885-2024 Silicon carbide epitaxial wafers
    适用范围:本文件规定了碳化硅外延片的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于在导电型碳化硅衬底上,生长碳化硅同质外延层的外延片,产品用于制作碳化硅电力电子器件。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2024-04-25 | 实施时间: 2024-11-01
  • GB/T 43662-2024 蓝宝石图形化衬底片 现行
    译:GB/T 43662-2024 Patterned sapphire substrate
    适用范围:本文件规定了蓝宝石图形化衬底片(以下简称“衬底”)的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于蓝宝石图形化衬底片的研发、生产、测试、检验及性能质量的评价。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2024-03-15 | 实施时间: 2024-10-01
  • GB/T 30652-2023 硅外延用三氯氢硅 现行
    译:GB/T 30652-2023 Trichlorosilane for silicon epitaxial
    适用范围:本文件规定了硅外延用三氯氢硅(SiHCl 3)的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于以三氯氢硅为原料精制提纯而制得的硅外延用三氯氢硅(以下简称产品)。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-08-06 | 实施时间: 2024-03-01
  • GB/T 30656-2023 碳化硅单晶抛光片 现行
    译:GB/T 30656-2023 Polished monocrystalline silicon carbide wafers
    适用范围:本文件规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于生产电力电子器件、射频微波器件及LED发光器件的外延材料用碳化硅单晶抛光片。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2023-03-17 | 实施时间: 2023-10-01
  • GB/T 31092-2022 蓝宝石单晶晶棒 现行
    译:GB/T 31092-2022 Monocrystalline sapphire bar
    适用范围:本文件规定了蓝宝石单晶晶棒的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。本文件适用于衬底、光学用途的蓝宝石单晶晶棒(以下简称“晶棒”)。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2022-12-30 | 实施时间: 2023-07-01
  • GB/T 20230-2022 磷化铟单晶 现行
    译:GB/T 20230-2022 Indium phosphide single crystal
    适用范围:本文件规定了磷化铟单晶的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。 本文件适用于制作光电、微电器件用的磷化铟单晶锭及磷化铟单晶抛光片。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2022-03-09 | 实施时间: 2022-10-01
  • GB/T 20229-2022 磷化镓单晶 现行
    译:GB/T 20229-2022 Gallium phosphide single crystal
    适用范围:本文件规定了磷化镓单晶的牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随行文件及订货单内容。 本文件适用于制作光电、微电及声光器件用的磷化镓单晶锭及磷化镓单晶研磨片。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2022-03-09 | 实施时间: 2022-10-01
  • GB/T 20228-2021 砷化镓单晶 现行
    译:GB/T 20228-2021 Gallium arsenide single crystal
    适用范围:本文件规定了砷化镓单晶的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于液封直拉法(LEC)、垂直梯度凝固法(VGF)、垂直布里奇曼法(VB)生长的,用于制备光电子、微电子等器件的砷化镓单晶,不适用于水平布里奇曼法(HB)生长的砷化镓单晶。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2021-05-21 | 实施时间: 2021-12-01
  • GB/T 11094-2020 水平法砷化镓单晶及切割片 现行
    译:GB/T 11094-2020 Gallium arsenide single crystal and cutting wafer grown by horizontal bridgman method
    适用范围:本标准规定了水平法砷化镓单晶(以下简称砷化镓单晶)及切割片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于光电器件、传感元件等用的砷化镓单晶及切割片。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2020-09-29 | 实施时间: 2021-08-01
  • GB/T 37053-2018 氮化镓外延片及衬底片通用规范 现行
    译:GB/T 37053-2018 General specification for epitaxial wafers and substrates based on gallium nitride
    适用范围:本标准规定了氮化镓外延片(以下简称外延片)及氮化镓衬底片(以下简称衬底片)的通用规范,包括产品分类、要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输和储存等。本标准适用于氮化镓外延片与氮化镓衬底片。产品主要用于发光二极管、激光二极管、探测器等光电器件,以及微波与电力电子功率器件。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2018-12-28 | 实施时间: 2019-07-01
  • GB/T 36706-2018 磷化铟多晶 现行
    译:GB/T 36706-2018 Polycrystalline indium phosphide
    适用范围:本标准规定了磷化铟多晶的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单(或合同)内容。本标准适用于生产磷化铟单晶用的磷化铟多晶。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2018-09-17 | 实施时间: 2019-06-01
  • GB/T 35305-2017 太阳能电池用砷化镓单晶抛光片 现行
    译:GB/T 35305-2017 Monocrystalline gallium arsenide polished wafers for solar cell
    适用范围:本标准规定了太阳能电池用砷化镓单晶抛光片的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书。本标准适用于太阳能电池用砷化镓单晶抛光片(以下简称砷化镓抛光片)。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2017-12-29 | 实施时间: 2018-07-01
  • GB/T 35308-2017 太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片 现行
    译:GB/T 35308-2017 Epitaxial wafers of germanium based Ⅲ-Ⅴcompounds for solar cell
    适用范围:本标准规定了太阳能电池用锗基ⅢⅤ族化合物外延片(以下简称“外延片”)的术语和定义、分类及牌号、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书。本标准适用于太阳能电池用锗基ⅢⅤ族化合物外延片。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2017-12-29 | 实施时间: 2018-07-01
  • GB/T 30652-2014 硅外延用三氯氢硅 被代替
    译:GB/T 30652-2014 Trichlorosilane for silicon epitaxial
    适用范围:本标准规定了硅外延用三氯氢硅(SiHCl3)的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存、质量证明书以及订货单 (或合同)内容。 本标准适用于以粗三氯氢硅为原料经过提纯而制得的硅外延用三氯氢硅(以下简称产品)。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-12-31 | 实施时间: 2015-09-01
  • GB/T 30656-2014 碳化硅单晶抛光片 被代替
    译:GB/T 30656-2014 Polished monocrystalline silicon carbide wafers
    适用范围:本标准规定了4H及6H碳化硅单晶抛光片的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书及订货单(或合同)内容。 本标准适用于4H及6H碳化硅单晶研磨片经单面或双面抛光后制备的碳化硅单晶抛光片。产品主要用于制作半导体照明及电力电子器件的外延衬底。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-12-31 | 实施时间: 2015-09-01
  • GB/T 31092-2014 蓝宝石单晶晶锭 被代替
    译:GB/T 31092-2014 Monocrystalline sapphire ingot
    适用范围:本标准规定了蓝宝石单晶晶锭的要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存和质量证明书、订货单(或合同)内容。 本标准适用于蓝宝石单晶晶锭,产品可用于制造氮化镓外延薄膜及其他用途的蓝宝石单晶衬底材料(以下简称晶锭)。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-12-22 | 实施时间: 2015-09-01
  • GB/T 30858-2014 蓝宝石单晶衬底抛光片 现行
    译:GB/T 30858-2014 Polished mono-crystalline sapphire substrate product
    适用范围:本标准规定了蓝宝石单晶衬底抛光片的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。 本标准适用于单面抛光蓝宝石衬底片(以下简称蓝宝石衬底片)。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-07-24 | 实施时间: 2015-04-01
  • GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片 现行
    译:GB/T 30854-2014 Gallium nitride based epitaxial layer for LED lighting
    适用范围:本标准规定了LED发光用氮化镓基外延片(以下简称外延片)的要求、检验方法和规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。 本标准适用于LED发光用氮化镓基外延片。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-07-24 | 实施时间: 2015-04-01
  • GB/T 30855-2014 LED外延芯片用磷化镓衬底 现行
    译:GB/T 30855-2014 GaP substrates for LED epitaxial chips
    适用范围:本标准规定了LED外延芯片用磷化镓单晶衬底片(以下简称衬底)的要求、检验方法以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。 本标准适用于LED外延芯片的磷化镓单晶衬底。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-07-24 | 实施时间: 2015-04-01
  • GB/T 30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法 现行
    译:GB/T 30866-2014 Test method for measuring diameter of monocrystalline silicon carbide wafers
    适用范围:本标准规定了用千分尺测量碳化硅单晶片直径的方法。 本标准适用于碳化硅单晶片直径的测量。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H83化合物半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2014-07-24 | 实施时间: 2015-02-01