行业标准-半导体分立器件（分类列表）最全国家标准、行业标准-第3页-准行天下

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SJ/T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法第3部分：反向电压和反向电流

译：SJ/T 2658.3-2015 SJ/T 2658.3-2015 Semiconductor infrared emitting diode measurement methods Part 3: Reverse voltage and reverse current

【国际标准分类号(ICS)】：31.080半导体分立器件【中国标准分类号(CCS)】：L53半导体发光器件

发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-10-10 | 实施时间： 2016-04-01

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SJ/T 2658.9-2015 半导体红外发射二极管测量方法第9部分：辐射强度空间分布和半强度角

译：SJ/T 2658.9-2015 Measurements of Semiconductor Infrared Emitting Diodes - Part 9: Spatial Distribution of Radiation Intensity and Half-Power Beam Angle

【国际标准分类号(ICS)】：31.080半导体分立器件【中国标准分类号(CCS)】：L53半导体发光器件

发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-10-10 | 实施时间： 2016-04-01

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SJ/T 2658.12-2015 半导体红外发射二极管测量方法第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽

译：SJ/T 2658.12-2015 SJ/T 2658.12-2015 Semiconductor Infrared Emitting Diode Measurement Methods Part 12: Peak Emission Wavelength and Spectral Radiation Bandwidth

【国际标准分类号(ICS)】：31.080半导体分立器件【中国标准分类号(CCS)】：L53半导体发光器件

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SJ/T 2658.6-2015 半导体红外发射二极管测量方法第6部分：辐射功率

译：SJ/T 2658.6-2015 Semiconductor Infrared Emitter Diode Measurement Methods - Part 6: Radiated Power

【国际标准分类号(ICS)】：31.080半导体分立器件【中国标准分类号(CCS)】：L53半导体发光器件

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SJ/T 2658.8-2015 半导体红外发射二极管测量方法第8部分：辐射强度

译：SJ/T 2658.8-2015 Measurements of Semiconductor Infrared Emitting Diodes - Part 8: Radiant Intensity

【国际标准分类号(ICS)】：31.080半导体分立器件【中国标准分类号(CCS)】：L53半导体发光器件

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SJ/T 2658.13-2015 半导体红外发射二极管测量方法第13部分：辐射功率温度系数

译：SJ/T 2658.13-2015 Measurements of Semiconductor Infrared Emitting Diodes - Part 13: Radiated Power Temperature Coefficient

【国际标准分类号(ICS)】：31.080半导体分立器件【中国标准分类号(CCS)】：L53半导体发光器件

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SJ/T 2658.7-2015 半导体红外发射二极管测量方法第7部分：辐射通量

译：SJ/T 2658.7-2015 Measurements of Semiconductor Infrared Emitting Diodes - Part 7: Radiant Flux

【国际标准分类号(ICS)】：31.080半导体分立器件【中国标准分类号(CCS)】：L53半导体发光器件

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SJ/T 2658.2-2015 半导体红外发射二极管测量方法第2部分：正向电压

译：SJ/T 2658.2-2015 Semiconductor Infrared Emitting Diode Measurement Methods Part 2: Forward Voltage。

【国际标准分类号(ICS)】：31.080半导体分立器件【中国标准分类号(CCS)】：L53半导体发光器件

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SJ/T 2658.11-2015 半导体红外发射二极管测量方法第11部分：响应时间

译：SJ/T 2658.11-2015 Measurement methods for semiconductor infrared emitting diodes - Part 11: Response time

【国际标准分类号(ICS)】：31.080半导体分立器件【中国标准分类号(CCS)】：L53半导体发光器件

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SJ/T 2214-2015 半导体光电二极管和光电晶体管测试方法

译：SJ/T 2214-2015 Testing methods for semiconductor photo-diodes and photo-transistors

【国际标准分类号(ICS)】：31.080半导体分立器件【中国标准分类号(CCS)】：L54半导体光敏器件

发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01

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SJ/T 11486-2015 小功率LED芯片技术规范

译：SJ/T 11486-2015 SJ/T 11486-2015 Small Power LED Chip Technical Specification

【国际标准分类号(ICS)】：31.080半导体分立器件【中国标准分类号(CCS)】：L53半导体发光器件

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SJ/T 2216-2015 硅光电二极管技术规范

译：SJ/T 2216-2015 Silicon photodiode technology specification

【国际标准分类号(ICS)】：31.080半导体分立器件【中国标准分类号(CCS)】：L54半导体光敏器件

发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01

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SJ/T 2215-2015 半导体光电耦合器测试方法

译：SJ/T 2215-2015 Semiconductor photoelectric coupler testing method

【国际标准分类号(ICS)】：31.080.10二极管【中国标准分类号(CCS)】：L50/54光电子器件

发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01

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JB/T 11623-2013 平面厚膜半导体气敏元件

译：JB/T 11623-2013 Planar thick film semiconductor gas sensor element

【国际标准分类号(ICS)】：31.080.99其他半导体分立器件【中国标准分类号(CCS)】：N05仪器、仪表用材料和元件

发布单位或类别：(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间： 2013-12-31 | 实施时间： 2014-07-01

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JB/T 7626-2013 反向阻断三极晶闸管测试方法

译：JB/T 7626-2013 Testing method for reverse-blocking triode thyristor

【国际标准分类号(ICS)】：31.080.20晶体闸流管【中国标准分类号(CCS)】：K46电力半导体器件、部件

发布单位或类别：(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间： 2013-04-25 | 实施时间： 2013-09-01

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JB/T 8949.2-2013 普通整流管第2部分：平板形器件

译：JB/T 8949.2-2013 JB/T 8949.2-2013 Ordinary Rectifier Tubes Part 2: Flat Devices

【国际标准分类号(ICS)】：31.080.10二极管【中国标准分类号(CCS)】：K46电力半导体器件、部件

发布单位或类别：(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间： 2013-04-25 | 实施时间： 2013-09-01

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JB/T 8949.1-2013 普通整流管第1部分：螺栓形器件

译：JB/T 8949.1-2013 JB/T 8949.1-2013 General Rectifier Diodes Part 1: Bolted Devices

【国际标准分类号(ICS)】：31.080.10二极管【中国标准分类号(CCS)】：K46电力半导体器件、部件

发布单位或类别：(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间： 2013-04-25 | 实施时间： 2013-09-01

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JB/T 4193-2013 快速晶闸管

译：JB/T 4193-2013 Fast thyristor

【国际标准分类号(ICS)】：31.080.20晶体闸流管【中国标准分类号(CCS)】：K46电力半导体器件、部件

发布单位或类别：(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间： 2013-04-25 | 实施时间： 2013-09-01

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JB/T 8950.2-2013 普通晶闸管第2部分：平板形器件

译：JB/T 8950.2-2013 General Thyristor - Part 2: Flat Devices

【国际标准分类号(ICS)】：31.080.20晶体闸流管【中国标准分类号(CCS)】：K46电力半导体器件、部件

发布单位或类别：(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间： 2013-04-25 | 实施时间： 2013-09-01

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JB/T 8950.1-2013 普通晶闸管第1部分：螺栓形器件

译：JB/T 8950.1-2013 Ordinary Thyristor - Part 1: Bolted Devices

【国际标准分类号(ICS)】：31.080.20晶体闸流管【中国标准分类号(CCS)】：K46电力半导体器件、部件

发布单位或类别：(CN-JB)行业标准-机械 | 发布时间： 2013-04-25 | 实施时间： 2013-09-01

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