适用范围：本文件适用于硅单晶抛光片、硅外延片、SOI硅片、硅单晶腐蚀片、硅单晶研磨片、太阳能电池用硅片，其他晶片可参照使用

适用范围：本文件适用于通过直拉法（CZ）或区熔法（FZ）拉制的用于硅多晶生产原料的硅芯

适用范围：本文件适用于化学气相沉积法（CVD）制备的硫化锌晶体（包括标准硫化锌和多光谱硫化锌），透过波长范围为1μm～14μm。

适用范围：本文件适用于半导体光电器件与电子器件用氮化镓衬底片的研发生产、测试检验等相关领域。

适用范围：本文件适用于以高纯二氧化锗为原料经氢气还原后，研磨、筛分生产的高纯锗粉。

适用范围：本标准规定了多晶硅生产用硅粉的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容等。 本标准适用于多晶硅生产用硅粉。

适用范围：本标准规定了粗硒的要求、试验方法、检验规则、包装、贮存、质量证明书及订货单（或合同）等内容。 本标准适用于从铜、铅电解阳极泥中提取的粗硒。本产品主要用于精硒、二氧化硒生产的原料。

适用范围：本标准规定了有机硅用硅粉的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）的内容。 本标准适用于以工业硅为原料机械加工而成、用于有机硅生产的硅粉（以下简称硅粉）。

适用范围：本标准规定了硅单晶腐蚀片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于直拉法、悬浮区熔法（包括区熔中子嬗变和气相掺杂）制备的硅单晶研磨片经化学腐蚀液去除表面损伤层后制备的酸腐蚀片和碱腐蚀片（以下简称腐蚀片）。产品主要用于制作晶体管、整流管、特大功率晶闸管、光电器件等半导体元器件或进一步加工成硅抛光片。

适用范围：本标准规定了改良西门子法生产多晶硅用硅芯的要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书及订货单（或合同）内容等。 本标准适用于以多晶硅为原料，通过直拉法（CZ）生产硅棒再经过线切割加工或采用基座法拉制的硅芯。

适用范围：本标准规定了硅片的包装。 本标准适用于硅单晶抛光片、外延片、SOI等硅片的洁净包装、硅单晶研磨片(简称硅研磨片)包装和太阳能电池用硅片包装使其在运输、贮存过程中避免再次沾污和破碎。

适用范围：本标准规定了高纯四氯化锗的要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容等。 本标准适用于以粗四氯化锗为原料经提纯工艺制备的高纯四氯化锗。产品主要用作石英光导纤维的掺杂剂及高纯二氧化锗的制备。

适用范围：本标准规定了锗粒的要求、检验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于以锗单晶或区熔锗锭为原料，经机械加工而制得的锗粒，主要为工艺品和健身护品提供镶件。

适用范围：本标准规定了氢化炉用碳/碳复合材料U形发热体的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单(或合同)内容。 本标准适用于多晶硅生产领域氢化炉用碳/碳复合材料U形发热体。

适用范围：本标准规定了直拉单晶炉用碳/碳复合材料导流筒的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单（或合同）内容。 本标准适用于直拉单晶炉用碳/碳复合材料导流筒。

适用范围：本标准定义了标记包括字母数字的几何尺寸和空间位置尤其适用于带参考面和带缺口的硅抛光片。 本标准不涉及制作标记的技术。

适用范围：本标准规定了砷的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、质量证明书、合同(或订货单)及安全。 本标准适用于以三氧化二砷(As2O3)为原料经升华、还原、冷却而制得的砷。该产品主要用于生产合金和半导体等行业。