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    适用范围:GB/T 24583的本部分规定了惰性气体熔融热导法测定氮含量。本部分适用于钒氮合金中氮含量的测定。测定范围(质量分数):5.00%~20.00%。
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    适用范围:1.1本标准规定了硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法,本方法使用单色X光源全反射X光荧光光谱的方法定量测定硅单晶抛光衬底表面层的元素面密度。1.2本标准适用于N型和P型硅单晶抛光片、外延片等镜面抛光的硅片,尤其适用于清洗后硅片自然氧化层,或经化学方法生长的氧化层中沾污元素的面密度测定。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
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    译:GB/T 24581-2009 Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
    适用范围:2.1本标准适用于检测硅单晶中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。2.2本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为(0.01×10 -9~5.0×10 -9)a。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
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    译:GB/T 24582-2009 Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-inductively coupled plasma mass spectrometry
    适用范围:1.1本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质,并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面上的金属杂质痕量分析方法。 1.2本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镍、铜、锌以及其他元素如铝的检测。 1.3本标准适用于各种棒、块、粒、片状多晶表面金属污染物的检测。由于块、片或粒形状不规则,面积很难准确测定,故根据样品重量计算结果,使用的样品重量为50 g~300 g,检测限为0.01 ng/mL。 1.4酸的浓度、组成、温度和浸取时间决定着表面腐蚀深度和表面污染物的浸取效率。在这个实验方法中腐蚀掉的样品重量小于样品重量的1%。 1.5本标准适用于重量为25 g~5 000 g的样品的测定,为了达到仲裁的目的,该实验方法规定样品的重量为约300 g。
    【国际标准分类号(ICS)】 :29.045半导体材料 【中国标准分类号(CCS)】 :H80/84半金属与半导体材料
    发布单位或类别:(CN-GB)国家标准 | 发布时间: 2009-10-30 | 实施时间: 2010-06-01
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    译:GB/T 24583.3-2009 Vanadium-Nitrogen alloy-Determination of nitrogen content—The distillation-neutralization titration method
    适用范围:GB/T 24583的本部分规定了蒸馏中和滴定法测定氮含量。 本部分适用于钒氮合金中氮含量的测定。测定范围(质量分数):5.00%~20.00%。
    【国际标准分类号(ICS)】 :77.100铁合金 【中国标准分类号(CCS)】 :H11钢铁与铁合金分析方法
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    译:GB/T 24583.1-2009 Vanadium-Nitrogen alloy—Determination of vanadium content—The ammonium ferrous sulfate titration method
    适用范围:GB/T 24583的本部分规定了硫酸亚铁铵滴定法测定钒含量。本部分适用于钒氮合金中钒含量的测定。测定范围(质量分数):≥60.00%。
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    适用范围:1.1本标准规定了硅片表面的有机污染物的定性和定量方法,采用气质联用仪或磷选择检测器或者两者同时采用。1.2本标准描述了热解吸气相色谱仪(TD-GC)以及有关样品制备和分析的相关程序。
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