适用范围：本文件界定了在AEM实践中所用的术语。包含一般概念和特定概念的术语，按照系统顺序中各自的层次分类。 本文件适用于所有和 AEM 实践相关的标准化文件。此外，本文件的某些部分适用于相关领域（如 TEM, STEM, SEM, EPMA, EDX)通用术语的定义。

适用范围：本文件规定了利用原子力显微术测量层状二硫化钼纳米片厚度的测量方法。 本文件适用于转移或生长在固体衬底表面的层状二硫化钼纳米片厚度的测量,测量范围从单层二硫化钼纳米片至厚度不大于100 nm，其他类似的纳米片层材料厚度测量也可参照此方法进行。

适用范围：本文件描述了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中硼进行深度剖析的方法，以及用触针式表面轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。 本文件适用于硼原子浓度范围1×1016 atoms/cm3～1×1020 atoms/cm3的单晶硅、多晶硅或非晶硅样品，溅射弧坑深度在50 nm及以上。

适用范围：本文件描述了一种用于优化一般分析目的的飞行时间二次离子质谱（SIMS）仪器的质量校准准确度的方法。本文件仅适用于飞行时间仪器，但并不限于任何特定的仪器设计。本文件提供了对一些仪器参数优化的指导，这些参数能使用此程序进行优化，还提供了适用于校准质量标以获得最佳质量准确度的一般峰的类型。

适用范围：本文件描述了测量经化学机械抛光或外延生长的硅片上表面元素污染的原子表面密度的TXRF方法。 本文件适用于以下情形： ——原子序数从16（S）到92（U）的元素； ——原子表面密度介于1×1010 atoms/cm2~1×1014 atoms/cm2之间的污染元素； ——采用VPD（气相分解）样品制备方法得到的原子表面密度介于5×108 atoms/cm2~5×1012 atoms/cm2之间的污染元素（见3.4）。

适用范围：本文件规定了化学品固液鉴别流动性测定法的试验概述、试验设备、样品处理、试验步骤和结果判定。本文件适用于不能确定熔点的黏性或糊状化学品的固体与液体形态鉴别。

适用范围：本标准提供了建设智慧化工园区建设的总则、信息基础设施、支撑平台、安全生产、环境管理、应急管理、封闭化管理、运输车辆管理、能源管理、办公管理、公共服务和保障体系等的指导和建议。 本标准适用于智慧化工园区建设。

适用范围：本标准规定了用电子背散射衍射法(EBSD)对抛光截面进行平均晶粒尺寸的测定方法，包含与晶体试样中的位置相关的取向、取向差和花样质量因子的测量要求[1]。 注1： 使用光学显微镜测定晶粒尺寸已为大家普遍接受，与其相比，EBSD具有很多技术优势，如高的空间分辨率和晶粒取向的定量描述等。 注2： 该方法还可用于一些复杂材料（如双相材料）的晶粒尺寸测量。 注3： 对变形程度较大的试样进行分析时，需谨慎处理结果。

适用范围：本标准规定了计算机层析成像（CT)技术用于致密岩石微纳米级孔隙结构成像的术语和定义、分析方法、技术要求、数据处理、分析报告内容与不确定度分析。本标准适用于泥页岩、致密碳酸盐岩、致密砂岩、煤岩等岩石的微纳米级CT分析，其他地质样品也可参照执行。