国际标准分类(ICS)
19 试验
25 机械制造
29 电气工程
37 成像技术
45 铁路工程
61 服装工业
65 农业
67 食品技术
71 化工技术
77 冶金
79 木材技术
85 造纸技术
93 土木工程
95 军事工程
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现行
译：SJ/T 2658.9-2015 Measurements of Semiconductor Infrared Emitting Diodes - Part 9: Spatial Distribution of Radiation Intensity and Half-Power Beam Angle【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-10-10 | 实施时间： 2016-04-01收藏 -
现行
译：SJ/T 2658.12-2015 SJ/T 2658.12-2015 Semiconductor Infrared Emitting Diode Measurement Methods Part 12: Peak Emission Wavelength and Spectral Radiation Bandwidth【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-10-10 | 实施时间： 2016-04-01收藏
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现行
译：SJ/T 2658.6-2015 Semiconductor Infrared Emitter Diode Measurement Methods - Part 6: Radiated Power【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-10-10 | 实施时间： 2016-04-01收藏
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现行
译：SJ/T 2658.8-2015 Measurements of Semiconductor Infrared Emitting Diodes - Part 8: Radiant Intensity【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-10-10 | 实施时间： 2016-04-01收藏
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现行
译：SJ/T 2658.13-2015 Measurements of Semiconductor Infrared Emitting Diodes - Part 13: Radiated Power Temperature Coefficient【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-10-10 | 实施时间： 2016-04-01收藏
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现行
译：SJ/T 2658.7-2015 Measurements of Semiconductor Infrared Emitting Diodes - Part 7: Radiant Flux【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-10-10 | 实施时间： 2016-04-01收藏
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现行
译：SJ/T 2658.2-2015 Semiconductor Infrared Emitting Diode Measurement Methods Part 2: Forward Voltage。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-10-10 | 实施时间： 2016-04-01收藏
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现行
译：SJ/T 2658.11-2015 Measurement methods for semiconductor infrared emitting diodes - Part 11: Response time【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-10-10 | 实施时间： 2016-04-01收藏
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现行
译：SJ/T 2214-2015 Testing methods for semiconductor photo-diodes and photo-transistors【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L54半导体光敏器件发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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现行
译：SJ/T 11486-2015 SJ/T 11486-2015 Small Power LED Chip Technical Specification【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L53半导体发光器件发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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现行
译：SJ/T 2216-2015 Silicon photodiode technology specification【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L54半导体光敏器件发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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现行
译：SJ/T 2215-2015 Semiconductor photoelectric coupler testing method【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L50/54光电子器件发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2015-04-30 | 实施时间： 2015-10-01收藏
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译：DB52/T 860-2013 Detailed specification for 5KP series silicon transient voltage suppressor diodes【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管发布单位或类别：(CN-DB52)贵州省地方标准 | 发布时间： 2013-12-06 | 实施时间： 2014-02-01收藏
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废止
译：DB52/T 861-2013 Model 2CB003 Silicon Avalanche Rectifier Diode Detailed Specification【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.10二极管 【中国标准分类号(CCS)】 ：L41半导体二极管发布单位或类别：(CN-DB52)贵州省地方标准 | 发布时间： 2013-12-06 | 实施时间： 2014-02-01收藏
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废止
译：DB52/T 844-2013 semiconductor current regulating tube【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-DB52)贵州省地方标准 | 发布时间： 2013-10-16 | 实施时间： 2013-12-01收藏
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现行
译：GB/T 29332-2012 Semiconductor devices—Discrete devices—Part 9:Insulated-gate bipolar transistors (IGBT)适用范围：本标准给出了绝缘栅双极晶体管（IGBT）的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特定要求。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：L42半导体三极管发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2012-12-31 | 实施时间： 2013-06-01收藏
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现行
译：GB/T 4937.3-2012 Semiconductor devices—Mechanical and climatic tests methods—Part 3:External visual examination适用范围：GB/T 4937的本部分的目的是验证半导体器件的材料、设计、结构、标志和工艺质量是否符合适用的采购文件的要求。外部目检是非破坏性试验，适用于所有的封装类型。本试验用于鉴定检验、过程监控、批接收。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2012-11-05 | 实施时间： 2013-02-15收藏
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译：GB/T 4937.4-2012 Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 4:Damp heat,steady state,highly accelerated stress test(HAST)适用范围：GB/T 4937的本部分规定了强加速稳态湿热试验（HAST）方法，用于评价非气密封装半导体器件在潮湿的环境下的可靠性。【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.01半导体器分立件综合 【中国标准分类号(CCS)】 ：L40/49半导体分立器件发布单位或类别：(CN-GB)国家标准 | 发布时间： 2012-11-05 | 实施时间： 2013-02-15收藏
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译：SJ/T 10135-2010 TEC1 Series Thermoelectric Cooling Module Total Specification【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L46温差电致冷组件与器件发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2010-12-29 | 实施时间： 2011-04-01收藏
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译：SJ/T 10136-2010 Total specification for TES1 series thermoelectric cooling component【国际标准分类号(ICS)】 ：31.080.99其他半导体分立器件 【中国标准分类号(CCS)】 ：L46温差电致冷组件与器件发布单位或类别：(CN-SJ)行业标准-电子 | 发布时间： 2010-12-29 | 实施时间： 2011-04-01收藏
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