适用范围：本文件描述了用于段码、无源或有源矩阵单色或彩色类显示的电子纸显示器件（EPD)光电性能的测试方法。为了统一规范器件描述，提出了常规的可接受的相关参数说明。本文件的目的是列出程序依赖性参数，并描述了具体的测试方法和条件。

适用范围：本文件规定了高密度互连印制板的应用等级、性能要求、质量保证规定和交付要求。本文件适用于有微导通孔的高密度互连印制板。

适用范围：本文件描述了激光显示器件的激光前投影显示（简称“激光投影”）光学性能的测试条件和测试方法。本文件适用于全画幅投影显示光学性能的测量和评价。本文件不适用于光点扫描等其他投影显示光学性能的测量和评价。

适用范围：本文件描述了激光投影显示（屏）图像质量的测量条件和测量方法。 本文件适用于激光投影机和屏幕组合的全帧激光投影显示（屏）图像质量的测量，包括前投影和背投影显示。 本文件不适用于光点扫描等投影显示（屏）的测量和评价。

适用范围：本文件规定了光电二极管（以下简称“PDs”）和光电晶体管（以下简称“PTs”）的术语、基本额定值和特性以及测试方法。本文件适用于光电二极管和光电晶体管。

适用范围：本文件规定了液晶显示（LCD）屏和无源矩阵单色液晶显示（LCD）模块的基本额定值和特性要求。本文件适用于液晶显示（LCD）屏和无源矩阵单色液晶显示（LCD）模块的评价。

适用范围：本文件描述了显示用曲面有机发光二极管（OLED）光源（以下简称“曲面光源”）的光学性能测试方法。本文件适用于围绕一轴弯曲的曲面光源的光学性能测试。

适用范围：本文件规定了激光显示器件单色散斑对比度的标准测量条件和测量方法。本文件适用于全部为激光光源以及包含激光光源（一个或多个)和自发辐射光源（例如发光二极管)的混合型光源的激光显示器件。注： 单色散斑对比度测量不包含图像质量的内容。

适用范围：本文件规定了用于质量评定或任何其他用途的电子元器件分规范和详细规范中使用的标准术语、检验程序和试验方法。本文件适用于电子设备用固定电容器。

适用范围：本文件规定了室内LED显示屏（以下简称“显示屏”）的分类、要求、测试方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于显示图文及视频等信息的全彩大间距、中间距、小间距、微小间距、超小间距显示屏产品。

适用范围：本文件规定了光电耦合器的基本额定值、特性、安全试验及测试方法。

适用范围：本文件规定了印制板组装件在热循环寿命内焊点空洞评估要求，描述了利用X射线观察法测定空洞的方法。本文件适用于印制板上焊接的球栅阵列（BGA）器件和盘栅阵列（LGA）器件焊点产生的空洞评估和测试，不适用于印制板组装前BGA器件封装自身空洞的评估和测试。本文件也适用于除BGA器件和LGA器件外，具有熔化和再凝固形成焊点的空洞评估和测试，如倒装芯片和多芯片组件。不适用于印制板组装件BGA器件和印制板之间有底部填充材料，或器件封装体内焊点的评估和测试。本文件适用于焊点中产生的从10 μm到几百微米的大空洞，不适用于直径小于10 μm的较小空洞（如平面微空洞）。

适用范围：本文件为电阻器的电阻值和电容器的电容值提供了一系列优先数值。 这些优先数值是以电阻器和电容器各自按照IEC 60062标志和代码为基础定义的电阻值和电容值。

适用范围：本文件描述了采用分离式介质谐振器（SPDR）测定层压板1.1 GHz~20 GHz范围内离散频率点下的相对介电常数（Dk或εr）和介质损耗角正切（Df或tanδ）的方法。本文件适用于印制板用覆铜箔层压板和绝缘介质基材的测试。

适用范围：本文件规定了塑封电子元器件进行声学显微镜检查的程序。本文件提供了一种使用声学显微镜对塑料封装进行缺陷（分层、裂纹、模塑料空洞等）检查的方法，本方法具有可重复性，是非破坏性试验。

适用范围：本文件规定了模拟/混合信号知识产权（IP）核质量的评测内容，包括IP核的文档质量、IP核的电路设计质量、物理设计质量、模型质量、IP核功能验证质量和IP核流片验证质量等。本文件适用于模拟/混合信号IP核的提供者、使用者和第三方评测模拟/混合信号IP核的质量，包括完备性和可复用性，并不涵盖具体功能和性能的评测。

适用范围：本文件提供了在商用碳化硅（SiC）同质外延片产品上缺陷光学检测的定义和方法。主要是通过给出这些缺陷的光学图像示例，为SiC同质外延片上缺陷的光学检测提供检测和分类的依据。 本文件主要论述缺陷的无损表征方法，因此有损表征例如湿法腐蚀等不包含在本文件范围内。

适用范围：本文件规定了模拟/混合信号知识产权(IP)核交付项及推荐格式或语言的要求。本文件适用于模拟/混合信号IP核的测试、交换与集成。

适用范围：本文件界定了基于硅通孔(TSV)或凸点实现堆叠芯片的多芯片集成电路的术语和定义。 本文件适用于基于硅通孔(TSV)或凸点实现堆叠芯片的多芯片集成电路的制造和测试。

适用范围：本文件给出了4H-SiC(碳化硅)同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按晶体学结构进行分类，并通过明场光学显微术（OM)、光致发光（PL)和X射线形貌(XRT)图像等无损检测方法进行识别。