适用范围：本文件规定了波长开关的要求和质量评定程序内容。 本文件适用于具有以下特性的纤维光学波长开关（通常指具备有源或无源的器件、组件和系统，以下简称“波长开关”）。 ——波长开关采用有源驱动机制，而光路部分是无源的，即不包括光放大和光电转换。 ——波长开关的功能仅限于对光的路由切换，而不兼具功率分配功能。即不包括信号广播功能。 ——波长开关的功率传输端口不少于两个，端口间的路由切换状态也不少于两种。 ——端接形式是光纤或光纤连接器。 本文件规定的波长开关包含无源光路。除衰减外，其他信号性能要求与信号类型无关。但特别关注某些切换技术和波长识别技术可能对信道传输信号有影响，因此需要考虑空间串扰、工作波长范围内串扰和偏振效应等性能。 波长切换通常包括波长的分离、路由选择和复用。因此，波长开关可能包括多个光学接头和开关内的多级切换，本文件仅对波长开关端口到端口的光学性能予以规定。 本文件未规定系统控制和监控的硬件和软件。波长开关组件可能含其他功能部件（如光纤接头或波长监控），由此引起的任何开关性能的劣化在波长开关规范中予以考虑。

适用范围：本文件描述了电子/空穴功能材料纯度的测试方法，主要包括电子/空穴功能材料的主物质含量、金属元素(锂、镁、钾、钙、铬、铁、镍、铜、钯、银、锡、钡等)、卤族元素（氟、氯、溴)的测试方法。 本文件适用于各类有机发光显示用电子/空穴功能材料的研发生产、应用验证、检验检测和行业管理等。

适用范围：本文件描述了液晶显示用液晶配向膜的透过率、折射率、膜面硬度、体积电阻率、相对介电常数、介质损耗、热分解温度、玻璃化转变温度及吸水率的测试方法。 本文件适用于液晶显示用液晶配向膜的研发、生产、检验检测和应用验证。

适用范围：本文件描述了液晶显示用液晶配向膜光电性能的试验方法。 本文件适用于液晶显示用液晶配向膜的研发、生产、检验检测和应用验证。

适用范围：本文件描述了有机发光电子/空穴功能材料的熔点、玻璃化转变温度、热稳定性测试方法。 本文件适用于各类有机发光显示用电子/空穴功能材料的研发生产、应用验证、检验检测等。

适用范围：本文件规定了半导体行业用电子级四(二甲氨基)钛的技术要求、检验规则、包装、标志及随货资料、运输、贮存及安全信息的要求,描述了相应的检测方法。 本文件适用于沉积氮化钛、氧化钛、碳化钛和钛掺杂物等钛基薄膜的电子级四(二甲氨基)钛。

适用范围：本文件描述了有机发光显示用电子/空穴功能材料光学性能的测试方法，主要包括材料紫外可见吸收光谱、荧光光谱、磷光光谱以及所制备的有机发光二极管的折射率和消光系数、色度、亮度、发光效率、亮度老化等光学性能的测试方法。 本文件适用于各类有机发光显示用电子/空穴功能材料（以下简称“有机功能材料”)的研发生产、应用验证、检验检测等。

适用范围：T/CSA 100—2025《Micro-LED芯片光电性能测试方法》描述了单色Micro-LED芯片的光电性能测试方法。文件适用于发光台面(mesa)的长边边长（或直径）在1 μm～50 μm范围内的单色Micro-LED芯片的光电性能测试评估

适用范围：T/CSA 099—2025《Micro-LED芯片外量子效率测试方法》描述了低功率（nW～μW）微型发光二极管（以下简称Micro-LED）的外量子效率（EQE）测量方法，包括：Micro-LED芯片的点测和LED封装的测试。本文件适用于Micro-LED的EQE的测量

适用范围：本文件提出了碳化硅器件在进行功率循环试验时需要遵循的方法和步骤。 本文件适用于碳化硅金属氧化物场效应晶体管（SiC MOSFET）、碳化硅（SiC）二极管以及二者混 合封装器件的测试。 本文件规定了碳化硅（SiC）二极管器件、碳化硅金属氧化物场效应晶体管（SiC MOSFET）器件以及二者混合封装的器件，在进行功率循环试验时，需要遵循的方法和步骤

适用范围：本文件描述了压电陶瓷材料长条横向长度伸缩振动模式的介电、压电和弹性性能的测试方法。 本文件适用于压电陶瓷材料长条横向长度伸缩振动模式参数性能的测试。

适用范围：本文件描述了压电陶瓷振子频率温度稳定性的测试方法。 本文件适用于测试圆片径向伸缩振动模式和长条横向长度伸缩振动模式的压电陶瓷振子的串联谐振频率和并联谐振频率的温度稳定性，其他压电陶瓷振子参照使用。

适用范围：本文件规定了紫外线灯产品[包括紫外线发光二极管(UVLED)灯产品]的光辐射安全要求,光辐射安全评估和紫外线灯产品风险等级的要求,给出了用户使用安全措施相关信息以及紫外线灯产品的相应标识。 本文件适用于以紫外辐射为主要用途的灯和灯系统,且180 nm⁓3000 nm 发射的辐射功率有一半以上位于180 nm⁓400 nm 的光谱范围内。如果180 nm⁓3000 nm 发出的光辐射有一半以上不在180 nm⁓400 nm 的光谱区内,则使用GB/T 30117.1—2024。本文件适用于主要发射紫外辐射的医疗诊断和美容设备或产品。

适用范围：本文件描述了铁电陶瓷材料电滞回线的准静态测试方法。本文件适用于铁电陶瓷材料的电滞回线的测试，并由测得的电滞回线确定材料的矫顽电场强度（Ec）、剩余极化强度（Pr）和自发极化强度（Ps）。

适用范围：本文件规定了电子级磷酸的要求、检验规则以及标志、包装、运输、贮存、安全等，并描述了相应的试验方法。 本文件适用于半导体集成电路、芯片、显示面板等行业用的电子级磷酸。

适用范围：本文件规定了先进制程关键器件层刻蚀及表面处理超低损伤技术的术语和定义、不同类型层刻蚀损伤要求、表面处理损伤要求、检验方法及超低损伤控制。 本文件适用于半导体制造、微电子器件加工过程中使用化学、物理方法选择性去除器件特定材料层（3nm节点）的质量控制

适用范围：本文件规定了芯粒互联接口的数据链路层技术要求，包括：传输报文格式、数据错误检测和纠错机制，以及链路状态和功耗管理相关技术要求。 本文件适用于芯粒互联接口的设计、制造和应用。

适用范围：本文件规定了芯粒互联接口的协议层功能要求，对接总线协议的通用传输要求，并规定了对接AXI总线协议、对接HAI协议、对接自定义协议的传输要求及不同协议之间的配置。 本文件适用于芯粒互联接口的设计、制造和应用。